水结构的正电子湮没研究

正电子及正电子素在水和冰中湮没的实验结果显示出冰人有相同的电子结构，由水分子结构提出了水分子在氢键作用下生成３－水分子集团，这个基团的范德瓦尔斯散力的作用下生成宏观水，水的这个结构模型不但解释了正电子在水和冰中湮没的实验结果，与水的能态图相一致，而且得到了原力显微镜（ＡＦＭ）对水层结构观测的支持。     

正电子在高能电子辐照聚乙烯和聚丙烯中的湮没特性

用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽方法研究高能电子（12MeV）辐照聚丙烯和聚乙烯的不同特性，发现在160kGy剂量内，正电子在聚丙烯内的短寿命成分随着电子辐照剂量的增大而变长，中间成分的强度则减弱，但当剂量为320kGy时，各湮没寿命与没有辐照的样品类似。而长寿命成分的强度不随剂量增加而变化。在电子辐照的聚乙烯薄膜中，当剂量为80kGy时，正电子中间寿命强度I2增加，长寿命成分的强度I5则有所减少。之后，随着电子辐照剂量的增加，则不再变化。正电子湮没γ射线多普勒展宽S参数随电子辐照聚乙烯的剂量变化与I5相同。正电子湮没特性的差别表明高能电子辐照这两种聚合物所引起结构上的变化是不同的，并为其宏观特性（如力学性质变化）的改变提供了微观依据。     

含卤素高聚物的正电子湮没特性

用正电子湮没辐射一维角关联实验装置和正电子湮没寿命谱仪观察了全氟乙烯丙烯共聚物(FEP)系列试样和不同含氯量的聚乙烯系列试样的正电子湮没特性,并分别与聚四氟乙烯均聚物(PTFE)和聚乙烯(PE)进行了对照。结果表明:分子材料的介电性质对正电子湮没特性有明显的影响。极性基团的加入改变了分子链上的电荷密度分布,导致微观偶极电场的产生,使在自由体积内部或陷落在缺陷巾的0-Ps正电子波函数与分子链上轨道电子波函数的重迭几率增加,长寿命τ_3减小;同时,由于卤素原子的电负性较强,抑制了Ps的形成,增加了自由正电子的数目,使角关联曲线低动量成分减小。     

用正电子湮没谱研究煅烧对SBA-15热稳定性的影响

多孔材料由于具有高比表面积、高渗透性、吸附性和可组装性等优异的物理化学性能,被广泛应用于气体吸附、电化学、药物输送、催化剂和催化剂载体等领域。多孔材料的应用性取决于其宏观性质,尤其是孔隙结构的多样性、孔径的可调性、热稳定性等对其大规模实际应用非常重要。利用正电子湮没谱学（Positron Annihilation Spectroscopy,PAS）观察了SBA-15的热稳定性。以正硅酸四乙酯为硅源,P123为结构导向剂,合成了原生有序介孔二氧化硅（SBA-15）和550℃煅烧后的有序介孔二氧化硅（SBA-15）。将上述两种SBA-15在100～1 000℃温度下煅烧处理,观察其孔隙结构的热稳定性变化。采用小角度X射线散射（Small Angle X-ray Scattering,SAXS）、扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscopy,SEM）、高分辨透射电子显微镜（Highresolution Transmission Electron Microscope,HRTEM）、N2吸附/脱附（N2adsorption-desorption）和正电子湮没谱学（P...     

半导体中的正电子湮没研究

根据Brandt-Reinheimer模型,用一个与禁带宽度有关的增强因子f(r_i,E_g)来考虑半导体中出现的禁带,而与正电子发生湮没的价电子,则仍然被当作自由电子气,得到半导体中正电子湮没的寿命:     

Cu-Al-Zn-Mn-Ni形状记忆合金的正电子湮没研究

Cu-Al-Zn-Mn-Ni为形状记忆合金。本文采用正电子湮没寿命和多普勒展宽参数的测 量对该合金在不同工艺处理后的内部结构作进一步研究。熔炼两种成份合金,其化学成份和相变点如下表所示,试样均在865℃加热20min,然后分别淬入200—-196℃不同温度的冷却     

金属氢化物的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法在７７－３００Ｋ温区和ｘ为０－０．８６氢浓度范围研究了Ｐｄ０．７５Ａｇ０．２５Ｈｘ和ＮｂＨｘ两种金属氢化物，叙述了获得的实验结果。     

用正电子湮没技术研究Ni－20Al－30Fe合金中的缺陷组态

测量了铸态、热轧和定向结晶三种不同工艺的Ｎｉ－２０Ａｌ－３０Ｆｅ的ｅ＋寿命谱：ｅ＋这三种试样的缺陷中的寿命十分相近．说明ｅ＋在该合金的空位、应错和晶界中的寿命相近．合金晶界缺陷处的自由电子密度和空位处的相当。在ＮｉＡｌ合金中加入Ｆｅ元素后．改善了合金的晶界结构．     

掺杂BaTiO3系PTC材料的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命谱学的方法研究了ＢＳＴｉＯ３系ＰＴＣ材料中掺Ｎｂ５＋、Ｙ３＋及不同掺杂量所引起的缺陷变化，并讨论了不同掺杂对ＰＴＣ效应的影响。     

过渡金属元素中d和f电子行为的正电子湮没研究

采用双探头符合技术,大幅度地降低了正电子湮没辐射Doppler展宽谱的本底,使谱线的峰高与本底之比高于104,从谱线的高能端提取正电子与过渡金属原子中d或f电子湮没的信息.测量了Zr、Nb、Mo、Ag、Hf、Pt、Au等纯金属和单晶Si样品的符合Doppler展宽谱,并以单晶Si样品为参考作出了这些金属的商谱.结果表明:金属Zr、Nb、Mo、Ag的商谱随原子的4d电子数目的增多而升高;金属Hf、Pt、Au的商谱出现了双峰,其峰高均随原子序数的增加而升高.     

用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷

测量了铝含量从47at%到53at%的二元TiAl合金的正电子寿命谱。结果表明：所有测试合金晶界缺陷的开空间均在于金属Al单空位的开空间。富Al的TiAl合金，其晶界缺陷的开空间随Al含量的增加而增大，晶界处的电子密度随Al含量的增加而降低。富Ti的TiAl合金，随着Ti含量的增加，其晶界（或相界）缺陷的开空间减小，晶界处的电子密度增高，使得晶界结合力增强。富Ti的TiAl合金中形成了α2(Ti3Al) γ（TiAl)层状结构双相组织使相界面增多，导致正电子陷阱数增加。讨论了合金的微观结构对其力学性能的影响。     

磁场对水作用机理的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命谱仪对经过磁场处理的水样品进行了对照测量。分析结果表明,磁场能使水的氧原子的部分Ｋ壳电子向核靠近。水的稳定的３－分子集团结构可以维持水对磁化效应的记忆。     

正电子湮没技术测量冷却方式对Zr在Ni3Al中扩散行为的影响

测量了在Ni3Al（Zr）合金经高温均匀化处理后,在空冷和水冷条件下的正电子寿命谱。结果表明,Ni3Al（Zr）合金经高温均匀化后,随即进行空冷时,随着Zr含量的增加,正电子在合金中的寿命谱特征参数降低,捕获率置降低。表明Zr原子扩散到晶界,并在晶界偏聚。而合金经高温均匀化后水冷时,合金的正电子寿命谱特征参数随着Zr含量的增加几乎没有变化。由于冷却速度较快,Zr原子来不及扩散到晶界上,而以固溶方式存在于Ni3Al基体中。