有机电致发光材料的能隙计算

有机电致发光材料具有可进行分子结构设计而改变其溶解性及光电性能等特点,以此为功能层、将电能转换为光能的有机电致发光二极管更是具备轻薄、高效、自发光、低能耗以及低成本可实现柔性器件等潜在优势。因此,研究合成高性能的有机电致发光材料并应用于制备可实用化的显示器及照明产品成了业界研究的热点。文中综述了以能带理论为基础,对有机电致发光材料进行结构设计改进发光性能时对将合成的材料的能隙计算的理论模型与计算方法及其应用进展,可望为聚合物发光材料的合成设计提供理论支持。     

新型蓝色有机发光材料苯-吡啶共聚物的光电性能

报道了4种新型有机发光材料苯－吡啶共聚物在室温下的光吸收、光致发光特性和能带结构特点。用4种材料共聚物设计了单层发光元件，并在液氮中（77K）测定了其发光性能。4种材料均得到了蓝色发光。     

发光材料的微波合成方法

综述了微波合成发光材料,从微波合成法原理,优点等总结了其不同于传统合成方法之处,并举例说明了利用微波加热合成的发光材料的结构性能的光学性能,从而说明微波合成法是一种合成优良发光材料的好方法,对微波合成技术做了合理的近期展望。     

窄能隙共轭聚合物--聚[吡咯-2,5-二(二茂铁甲烯)]的合成与表征

通过吡咯与二茂铁甲醛的缩合反应合成了含茂类金属的共轭高分子－聚[吡咯－2，5－二（二茂铁甲烯）]（PPDFcE)及其前聚物聚[吡咯－2，5－二（二茂铁甲烷）](PPDFcA).通过红外、核磁、紫外，元素分析鉴定了产物及其前聚物的结构。利用DSC、TGA及TGA－IR测试分析了所合成聚合物的热学性质，紫外光谱表明PPDFcE的能隙为1．13eV，属窄能隙共轭聚合物，经碘掺杂后产物的电导率在10^-7S/cm,而掺杂TCNQ的产物的导电率达到了10^-2S/cm。     

利用聚合物共混法对活性炭材料的孔径分布进行控制的原理和方法

在母体聚合物中引入的作为造孔剂的聚合物在碳化期间完全分解,从而在碳基体中留下大量的孔隙。通过添加不同种类的聚合物,可以控制活性炭材料的孔径分布。综述了利用这种方法对活性炭材料的孔径分布进行控制的原理和方法,并介绍了这方面的研究进展。     

考虑几何尺寸和物性参数影响的铝硅闭孔泡沫材料冲击吸能性能分析

几何尺寸和物性参数对铝硅闭孔泡沫材料动态力学性能影响较大。消除材料自身尺寸效应的影响,采用落锤冲击实验方法对不同几何尺寸和物性参数的泡沫材料进行冲击实验,研究几何尺寸和物性参数对材料冲击吸能特性的影响。冲击实验结果表明:(1)材料几何高度增加,冲击作用下应变值减小,吸能量却有减小趋势,说明材料几何高度增大,极易产生材料孔壁破裂或整体失稳破坏,造成材料抵抗冲击载荷能力降低,立方体试件高宽比在1.0～1.5之间为宜,圆柱体试件高宽比为1.0～2.0时缓冲吸能作用发挥较好;(2)随着材料直径增大,抗压强度值增加,且峰值后降低幅值减小,应变值逐渐减小,说明材料直径的增加提高了抗压强度值,增强了材料抗冲击能力,但直径增加有一定界限,圆柱和立方体高宽比为1.0左右为宜;(3)材料密度越大,抗压强度值也越高,但峰值后的突降也越大;材料孔隙度越大,抗压强度值越小,材料易产生破坏,抗冲击能力也较低;材料孔径增大,抗压强度值降低,但变形量增加,受冲击载荷作用影响较大;(4)对比结果得到冲击吸能效果良好的泡沫材料合理物性参数,密度为0.35～0.70g/cm3,孔隙度为65%～87%,孔径为1.0～4.0mm。     

测量不确定度基本原理和评定方法及在材料检测中的评定实例 第六讲 测量不确定度的评定方法(测量不确定度的评定方法及步骤)

<正>9测量不确定度的评定方法对于从事材料理化检验的检测实验室,由于检测项目繁多,检测方法也很多,各种参数和相应的检测方法都具有各自的特点,检测条件和试样情况也都各不相同。因此如何具体应用有广泛适应性和兼容性的不确定度评定指南GUM(或JJF 1059.1-2012)来正确评定检测结果的不确定度,具有一定的     

Photoabsorption and energy band gap of amorphous Se alloy films

Amorphous selenium alloy films have been found to exhibit excellent photosensitive properties from 300 to 700 nm. These films constitute the essential part of xerographic photoreceptors. Optical absorption, energy band gap and X-ray structural analysis of Se₈₅ Te₁₅ and Se₈₅ As₁₅ films are reported. The effect of annealing on these parameters has also been indicated.     

Synthesis of poly(2,5-Thienylene Vinylene) and its derivatives: Low band gap materials for photovoltaics

Poly-(2,5-Thienylene Vinylene) (PTV) derivatives have been synthesised via the “dithiocarbamate precursor route” in good yield and satisfactory molecular weight. Structural characterisations of the conjugated PTV polymers reveal an optical band gap around 1.8 eV. Organic field effect transistors and organic based photovoltaic devices were made with the plain PTV, via a precursor approach. More specifically, solar cells were produced using a blend of the precursor PTV polymer and PCBM (1-(3-methoxycarbonyl) propyl-1-phenyl [6,6] C₆₁) at various ratios, converted in situ in thin film. A promising power efficiency of 0.76% was achieved.     

Synthesis and characterization of poly(2,5-dimethoxyaniline) and poly(aniline-Co-2,5-dimethoxyaniline): The processable conducting polymers

Poly(2,5-dimethoxyaniline) (PDMOA) and its copolymers with aniline (PADMOA), which exhibit remarkably improved solubility in common organic solvents, were obtained by chemical polymerization, and characterized by a host of physical techniques. The lowering of the quinoid absorption in the IR spectra and the upshifting of the N_1s envelope in the XPS spectra indicate residual doping in the XPS polymers and thermal characteristic of the polymers provide evidence for hydrogen bonding, which appear to enhance the thermal stability of the homopolymer. These polymers are highly planar and conjugated, with well-developed polaronic features, shown by the XRD, ESR and UV-spectral data. The conductivity, however, is not high and apparently may be due to localization of polaronic charges at the hydrogen-bonding sites and the increased proportion of the insulating methoxy component in the polymer matrix.     

电沉积ZnO纳米柱的光学带隙与非辐射复合EI北大核心CSCD

为实现ZnO纳米柱阵列材料在新型纳米结构化太阳能电池中的应用,需要对纳米柱的几何形貌与光电特性进行调控。ZnO纳米柱阵列材料的制备方法为电化学沉积方法。通过在生长溶液中使用In(NO_(3))_(3)和NH_(4)NO_(3),实现了对纳米柱的直径、阵列密度、柱间距、光学带隙、近带边发射、斯托克斯位移等物理性质的调控。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、分光光度计、光致发光测试仪对样品的形貌、晶体性质、透射反射性质、光致发光性质进行测试与表征。结果表明,使用NH_(4)NO_(3)将紧密排列的ZnO纳米柱阵列密度降低了51%,导致柱间距增大至超过100 nm,同时可将纳米柱的直径降低至22 nm。使用In(NO_(3))_(3)使ZnO纳米柱的光学带隙展宽100 meV。通过NH_(4)NO_(3)的使用可在3.41 eV至3.55 eV范围内调控带隙。由于NH_(4)NO_(3)的引入,ZnO纳米柱的斯托克斯位移可降低至19 meV,表明NH_(4)NO_(3)的引入能够有效地抑制纳米柱阵列中的非辐射复合。     

荧光导电聚合物聚N-[5-(8-羟基喹啉)甲基]苯胺的合成与表征

用化学氧化法合成了功能材料聚N-[5-(8-羟基喹啉)甲基]苯胺,并用X射线衍射、红外光谱、紫外-可见光谱和荧光分光光度计等对其及掺杂态结构和性质进行了表征和分析,研究结果表明该导电化合物无论掺杂与否,都同时既具有较好的导电性,又具有较好的荧光特性。     

Co-Se化合物薄膜的电沉积制备与表征

采用电沉积方法在SnO2玻璃基底上制备了Co-Se化合物薄膜.研究了薄膜形成的电化学机理和电沉积工艺对薄膜组成与形貌的影响,并表征了薄膜的结构与光学性质.结果表明:Co2+受预沉积Se的表面诱导还原或直接与H2SeO3的六电子还原反应产物H2Se发生反应形成Co-Se化合物;沉积电位、沉积温度和pH值均显著影响电沉积Co-Se化合物薄膜的形貌与成分;在沉积电位为?0.5V(vs SCE)、沉积温度为50℃和pH值为2.0时可制备出表面致密平整且呈六方晶型结构的富硒CoSe薄膜,其光吸收系数达到1×105 cm?1,直接带隙宽度为(1.53±0.01)eV,接近单结太阳电池光吸收层材料的理论最佳值.     

离散频谱四点能量重心校正法及抗噪性能分析

在对比离散频谱能量重心法采用不同点数时的频率、幅值和相位校正精度的基础上提出了4点能量重心校正法,推导了高斯白噪声背景下单频率谐波信号采用4点能量重心法进行频率、幅值和相位校正的统计方差公式,通过仿真计算验证了其正确性.分析对比了采用不同点数进行能量重心校正时的优缺点,建议在工程中采用Han-ning窗4点能量重心法进行谐波信号离散频谱校正.     

基于辛数学方法的一维声子晶体禁带计算

将一维声子晶体的原胞简化为有限多个自由度的弹簧振子结构,在辛对偶变量体系下探讨晶格振动,引入辛数学方法确定波矢与本证值的色散关系。通过本证值计数法计算特征频率,从而得到禁带区间。与传统集中质量法相比,该算法的计算结果与之吻合很好,且提高了计算精度和计算效率,更重要的是在低频处收敛性更好。     

窄带隙聚吡咯甲烷衍生物的制备与光学性能

由于高分子发光材料具有柔韧性好、合成简单、可大面积制备和使用寿命长等优点,成为近年来显示和照明领域的研究热点。本文以N-甲基吡咯和苯甲醛类为单体,采用缩聚法制备了3种可溶性、窄带隙、分子主链为部分共轭的聚吡咯甲烷衍生物,并利用红外光谱、紫外-可见光谱、荧光光谱、X射线衍射谱和热失重分析等方法对其结构、光致发光性质和热稳定性能等进行了测试分析,比较了大分子链上苯环对位取代基对材料发光性能的影响。研究结果表明,3种衍生物的热稳定性较好且具有部分结晶性,其光学禁带宽度均小于1.6 eV,属于窄带隙聚合物;在355 nm左右激发光下,3种衍生物均会产生约420 nm的发射光,为蓝紫色发光材料,且大分子链上苯环的对位取代基对该类材料的发光行为基本没有影响;在循环伏安曲线中,3种衍生物均存在较为明显的氧化还原峰。聚吡咯甲烷衍生物在光电器件材料方面有着潜在的应用价值。     

基于遗传算法与能量方程的粘弹性隔震装置参数优化分析

本文基于能量方程研究了粘弹性隔震装置的参数优化问题,从能量角度提出了基于遗传算法的目标优化函数,建立了粘弹性隔震装置参数优化模型。以柱面网壳隔减震为例,基于遗传算法和能量方程,采用ANSYS和MATLAB并行对其进行参数优化分析,并分析了该方法对地震波的敏感性。结果表明：基于能量方程的优化目标函数,通过遗传算法优化分析得到的粘弹性隔震参数能够使得结构的位移和应力得到有效的控制;同时也表明该优化方法受不同地震波的影响较小。