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提出了亚微米栅FET的一个新的简单的噪声模型。它考虑了非稳态电子动力学效应,这种效应对亚微米栅FET是非常重要的。所述的这种模型可以估算本征FET的噪声系数,并可用作研究寄生元件影响的一种方法。理论预言与实验结果之间的比较证明了这种模型的有效性。给出了一些重要的结果,例如不同的沟道区域对输出噪声的贡献;栅长和寄生元件对噪声性能的影响等。 相似文献
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采用一个能解释电子能量弛豫效应的两维模型,研究了栅长、有源层厚度以及缓冲层电流对短栅长GaAs FET的静态和射频参数的影响。对于夹断电压相近的器件来说,饱和电流大致相等,但当器件存在衬底电导时,其跨导和增益带宽乘积将大大降低。对频率响应与栅长、施主浓度、栅电阻以及源电感的关系作了数字估算。业已证明此模型与测量的亚微米器件特性比较符合。 相似文献
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本文基于对过冲效应的分析、计算,说明了亚微米栅GaAs MESFET的特性。建立了简明的考虑了过冲的漂移速度模型,并结合求解泊松方程、电流连续性方程进行了器件的二维计算机模拟。得到的结果与实际接近。 相似文献
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陈克金 《固体电子学研究与进展》1988,(1)
本文根据0.4μm栅长MESFET的实验情况,参照考虑非稳定电子动力学和边缘效应后的Carnez结果,对Fukui的公式进行修正。据此计算g_m,C_(gs)的结果与实验结果、Carnez结果很一致。用修正后的F_0公式计算所得器件最小噪声系数和实验结果也符合。 相似文献
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<正> 南京固体器件研究所成功地研制了深槽亚微米栅GaAs MESFET。器件栅工0.4～0.6μm、栅宽150μm、槽深0.3～0.4μm。以1.8×1.8mm标准陶瓷金属微带管壳封装,进一步改善了射频特性。在12GHz下测量,器件噪声系数的最佳值为1.4dB,相关增益7.5dB。大部分器件的噪声系数在1.5～3.5dB范围内。器件在2～12GHz频率范围内的s参数也较好。与日本三菱公司的2SK267和NEC的NE38883 MESFET 进行了同等条件下测试对比,说明测试结果可靠。 用于制作器件的GaAs材料的质量较好。GaAs半绝缘衬底有较高的电阻率;缓冲层纯度较高,提高了与有源层交界面附近的迁移率;有源层为N~+-N层,有利于减小源漏接触电阻。这些为器件获得高增益、低噪声打下了良好的基础。 相似文献
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很久以来，传统的光学显微技术一直是IC测量中的重要技术，但它正在被共焦扫描显微技术、相干探测显微技术和扫描电子显微技术等精度更高的技术所取代。本文重点对用于在线线宽测量的低压扫描电子显微镜进行了讨论。 相似文献
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侯印春 《激光与光电子学进展》1988,25(1):42
日本电报电话公司电气通信研究所，使用迈克耳逊干涉仪（双光束干涉仪）和光纤等，研究成功对超大规模集成电路等刻划宽0.8微米、深3~5微米的沟槽深度进行无损测量。 相似文献
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随着高超音速武器的出现,实现系统对目标从低温到高温宽动态的辐射测量是未来的发展趋势,而现在对辐射测量宽动态范围的研究相对较少。文中针对宽动态辐射测量中的平行光管和衰减片带来的误差提出了二次修正方法,进一步提高了高温红外辐射测量的目标反演的精度。为验证文中提出方法的实际效果,对基于600 mm口径的中波红外辐射测量系统进行了实验。并利用文中的方法对2%、10%、20%的辐射测量结果进行了修正,实验分析结果显示,该修正方法分别将原有的测量精度提高3.31%、3.27%、1.60%,证实修正方法可以有效地提高辐射测量的精度,具有一定的工程实践意义。 相似文献
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光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量 总被引：3，自引：0，他引：3
论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正是未来光刻技术中的地位和作用。 相似文献
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以英明领袖华主席为首的党中央一举粉碎了"王、张、江、姚"反党集团·全国人民响应华主席提出的"抓纲治国"的战略决策,高举毛主席的伟大旗帜,继承毛主席的遗志,为在本世纪内全面实现"四个现代化",在科学技术上赶上和超过国际先进水平而努力奋斗。在这种大好形势下,上海锅炉厂,上海烟华玻璃厂,上海城建局测母总队,同济大学,上海市安装公司等单位和有关部队密切协作,胜利造成了二十米抛物面天线。遵照伟大领袖毛主席"我们必须打破常规,尽受采用先进技术"的教导,在设计天线时,采用了修正卡塞格伦天线;在结构理论分析时,采用了有限单元法;在精度检验时,采用了光学测耸技术。经过测试和使用,天线曲面精度和天线增益均特合设计要求。为便于交流,我们将《二十来天线结构理论分析和光学测全》资料编印出来,供有关单位参考。 相似文献
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