多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响

为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与SCR相比,具有多晶硅栅的LDMOS-SCR有多条导通路径且开启速度快,有更均匀的电流和电场分布;触发电压降低了12.5%,失效电流提高了27.0%,ESD鲁棒性强.     

飞机静电的产生与防护

飞机在飞行中会因为大气粒子的冲击摩擦、发动机排气、大气电场感应、地磁场感应等因素而迅速积累大量的静电荷,在非导电表面、非搭接的金属部件之间、曲率半径很小的翼尖等尖锐部位形成较强的静电电场,击穿空气形成静电放电,产生大量的电磁噪声,对飞机的通信、导航等无线电系统的工作造成严重干扰.     

DVD生产过程中的静电防护

随着科学技术的飞速发展，微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂，对静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。作为生产管理者和工程技术人员，不仅要把静电防护设计到DVD产品上，还必须在生产过程中建立一套完善并切实可行的静电防护系统。通过采取有效的工艺手段，控制和防止静电危害，最大限度地减少静电造成的损失。     

非金属输油管道静电起电及防护研究

非金属管道以其优异的工作性能成为油气管道技术发展的新方向,但输油过程中伴随的静电问题成为管道安全运行的隐患。基于扩散双电层理论,对金属管道和非金属管道的静电起电机理进行了分析;阐明了管内流体流动速度,管道性质和油品性质对油流带电的影响规律;归纳了输油管道的主要静电放电类型及其危害影响;从避免静电产生和中和静电两方面提出了一系列非金属输油管道的静电控制与防护措施。     

单相电能表PCB板电路的静电防护设计

单相电能表的防静电指标已成为其在研发和生产阶段的重要技术内容,也是评价电能表能否安全可靠运行的重要参数之一。本文首先介绍了静电的产生,通过对静电放电过程的研究,分析了静电放电造成电子元器件破坏的主要失效模式,并提出了相对应的防静电措施,包括印制板布板和部分电路的优化设计,有效的提高了单相电能表的抗静电的能力。     

航空电子设备维修的静电防护措施初探

随着科技的发展和进步,航天设备中的集成电路和电子设备使用的越来越多,航空电子设备也受到静电的影响,这是航空电子设备使用中较为常见的一种危害.本文主要的研究对象就是航空电子设备,其维修中的静电防护工作进行分析,寻找静电防护路径,改善现在的航空电子设备的维修现状,促进航空电子设备的使用,避免不必要的损失.     

新型VBO接口芯片静电放电防护器件

为了改进VBO接口电路静电放电（ESD）防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件：栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器（SCR）. 采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及器件模拟工具（TCAD）进行仿真,分析电流密度;通过传输线脉冲测试（TLP）方法,测试不同结构ESD防护器件的Ⅰ-Ⅴ特性. 栅二极管的ESD鲁棒性为19.7 mA/μm,导通电阻为1.28 Ω,相较于传统二极管降低了38.8%. 面积效率二极管触发SCR触发电压为1.82 V,鲁棒性为48.1 mA/μm,相较于传统二极管提升了174.8%. 测试结果表明,栅二极管与ASCR和传统ESD器件相比,性能有极大的提升,适合用作VBO接口芯片的ESD防护.     

具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法

针对实际产品中ESD保护产生的寄生效应对低噪声放大器噪声性能的影响,通过详细的理论分析,提出了一种具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法,并给出了具体的设计公式。采用该优化方法设计的低噪声放大器可以接近或等于单个晶体管的最小噪声系数。在0.25μm CMOS工艺下进行了仿真,仿真结果表明设计的低噪声放大器可以在不同的功耗下接近最小噪声系数,从而验证了提出的噪声优化方法的有效性。     

集成电路绝缘氧化层ESD击穿机理探讨

在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理.     

静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理

基干静电敲电应力下对深亚微米硅化物工艺栅接地NMOSFET的研究，考虑了源／漏寄生串连电阻的影响，建立了源／漏接触区的电流集中模型．由模型分析表明，不同的温度和掺杂条件下，源／漏寄生串连电阻会引起器件源／漏接触前端边缘附近产生不同程度的电流集中．在器件源端产生新的热点．影响了源／满端的击穿特性．很好地解释了栅接地NMOSFET的源端热击穿机理．     

一种宽带静电放电电场测试仪器的设计

主要讨论了一种宽带静电电场测试仪器的设计,从宽带场接收电小天线、输入等效电路传输特性、宽带阻抗变换配适电路和驱动电路以及测试信号的光纤传输方面,论证了设计方案的可行性.     

输电线路单端暂态量保护在全数字变电站中的应用

根据超高压线路发生区内、外故障时的暂态电流行波中高频分量的含量的差异,利用多分辨形态梯度来检测、放大这一差异,构成了一种全数字变电站中利用单端故障暂态电流的超高速保护新原理。仿真试验证明:该原理能在线路发生不同位置、不同过渡电阻、不同初始角等情况下的故障时准确、快速地放大并提取这种差异。     

智能手机的ESD损伤与防护

为有效改善智能手机的ESD防护性能,分析了ESD产生的原因和对手机的危害。根据智能手机的特性,从外壳设计、电路设计、软件设计等方面提出了ESD的对应防护措施。     

Research on the influence of the channel dimension on the characteristics of the gate grounded NMOS protection device

The effect of the channel width and channel length on the single finger GGNMOS ESD protection device based on the deep sub-micron technology is researched, which gives the insight into the selection of the optimum value for the channel. The I-V characteristic of the protection device with various layout parameters results from the tapeout based on the SMIC 018μm CMOS process and the TLP test. The physics mechnism is detailed based on the variation tendency of the failure current level and the device simulation. The results show that the selection of the channel width should consider the on-off uniformity and that the channel length affects the robustness of the protection device by changing the heat distribution under the channel. This paper analyzes the physical mechnism of the effcts of the channel dimension on the single finger GGNMOS protection device and gives the guidauce for the optimum layout design of the deep sub-micron ESD protection devices.     

漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响

研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制．基于中芯国际018μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势．结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况．研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险．同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势．     

小电流接地保护装置应用探讨

本文对高压配电系统中遇到的小电流接地故障进行简单分析，并着重对目前常用的两种小电流接地系统保护装置在原理和使用特性方面进行了比较分析。     

合理设置变电所10kV进线保护

依据实际资料,阐述了一种较为合理的变电所10kV进线保护设置方案.