高亮度蓝光与绿光发光二极管

高亮度蓝光与绿光发光二极管当前，平面显示器市场十分走俏，虽然阴极射线管有许多优点，当今在电视机中仍唱主角，但是它太大，太重，耗电多，人们已在用液晶显示器等来代替它。如今在计算机显示屏中已采用液晶显示。有源矩阵液晶显示器是当前已经大量生产的产品，可以显...     

蓝光波段顶发射有机发光二极管

针对顶发射有机发光二极管(TEOLEDs)中的微腔效应会增加蓝光波段TEOLEDs的制作难度这一问题,提出利用高透明金属阴极并结合在阴极表面生长增透膜的方法来减小二极管阴极的反光性,从而抑制二极管中的微腔效应(这里主要是指多光束干涉);同时利用宽角干涉对器件结构进行设计来改善二极管的蓝光强度,制备了基于有机蓝光材料4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-1,1'-biphenyl的顶发射有机发光二极管;优化了增透膜的厚度,研究了增透膜对于二极管电光性能的影响;得到了性能(亮度、效率、色纯度等)可以与底发射有机发光二极管相比的蓝光波段TEOLEDs.     

GaN基蓝光大功率发光二极管的研制

采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm)。其光学参数：总辐射功率143．19mW,光通量8．861m,发光效率7．291m/W,峰值波长462nm,半峰全宽24nm;其电学参数：正向电压3．47V、正向电流350mA。对相关工艺进行了简要讨论。     

GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究

利用交流(a．c．)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究．观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象．并且测试频率越低、正向电压越大．这种负电容现象就越明显。研究结果表明,这一现象产生的最主要原因是由于GaN蓝光LEDs有源区内注入载流子的辐射复合。     

非平面化型ITO氮化镓基蓝光发光二极管

将氧化铟锡(ITO)生长于氮化镓基蓝色发光二极管的出光台面上(p型GaN台面),用非平面化处理的方法制作出ITO井状结构,研制出非平面化型氧化铟锡-氮化镓基蓝色发光二极管(LED),获得了高的出光效率.结果表明,在20mA工作电流下,该蓝色发光二极管的出光光强是平整的普通ITO-GaN基LED的1.35倍.     

GaN 基蓝光发光二极管分布布拉格反射器的设计

采用传输矩阵法对GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器(DBR)反射光谱进行研究.计算发现正入射时S偏振(TE模)与P偏振(TM模)反射带是一致的; S偏振和P偏振反射带随着入射角的增大都向高频(短波)方向移动,且两者之间的差别也随之增大,DBR反射带蓝移快慢与入射介质相关;低折射率入射介质时DBR具有更宽角度响应.通过修改结构参数多次计算表明;入射角修正的方法能较快地找到提高全方向反射的结构.复合DBR以降低反射率或者成倍增加膜层厚度为代价实现大角度范围的反射,复合DBR比传统DBR有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义.     

半导体GaN基蓝光发光二极管的精确电学特性

对传统的电容-电压(C-V)、电流 -电压(I-V)测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管(L ED)正向特性的结 果做了详细的对比分析,发现传统测量方法得到的电学参量是不够精确的。但是传统C-V方法得到的表观电容以及我们自建方法得到的结电容在大电压和低 频率下都表现出了明显的负值,该实验结果与经典肖克莱理论相冲突。此外,我们精确 地得到了负的结电容以及结电导随电压和频率变化的经验表达式。这将为半导体二极管的正 向电学特性的理论研究提供实验基础。     

GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究

通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的温度系数为0.080 7nm/K,In0.2Ga0.8N/GaN发光二极管量子阱中的极化强度为3.765 0 MV/cm;分析还认为电流注入下多量子阱中栽流子分布不均匀也是影响器件峰值波长的一个因素,并计算得到去除极化影响后量子阱中的场强,验证了在电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀的结论.     

三氟乙酸盐诱导的光谱稳定的蓝光钙钛矿发光二极管

近年来,金属卤化物蓝光钙钛矿发光二极管(Perovskite light-emitting diodes,PeLEDs)的发展十分迅速.然而,氯/溴混合的蓝光钙钛矿在电场作用下容易发生卤素离子迁移,致使发光光谱发生红移.光谱的不稳定性已严重地阻碍了蓝光PeLEDs的商业应用.本文通过在钙钛矿前驱体中引入三氟乙酸铯(Cs...     

GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器设计研究

采用传输矩阵法对GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器（DBR）反射光谱进行研究。计算发现正入射时S偏振(TE模)与P偏振(TM模)反射带是一致的;S偏振和P偏振反射带随着入射角的增大都向高频(短波)方向移动,且两者之间的差别也随之增大,DBR反射带蓝移快慢与入射介质相关;低折射率入射介质时DBR具有更宽角度响应。通过修改结构参数多次计算表明：入射角修正的方法能较快的找到提高全方向反射的结构。复合DBR以降低反射率或者成倍增加膜层厚度为代价实现大角度范围的反射。复合DBR比传统DBR有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。     

发蓝光的Nd:YAG激光器

把特定取向的KTP晶体安放进Nd:YAG激光腔内,IBM公司的研究人员成功地产生出了459nm波长的蓝光.这个系统是使809nm的KTP泵浦光与1064nm的Nd:YAG基波输出光进行非线性混频.     

实现双蓝光波长发光二极管光谱均衡辐射的研究

采用数值分析方法进行模拟分析InGaN/GaN混合多量子阱中不同活性层结构对GaN基双蓝光波长发光二极管光谱的影响。结果发现只依靠改变活性层中的In0.12Ga0.88N/GaN量子阱和In0.18Ga0.82N/GaN量子阱的数量或位置,难以有效改善电子空穴在混合多量子阱中的分布和实现双蓝光均衡辐射。但随着p-AlGaN层的移去和n-AlGaN层的引入,或在量子阱引入应力补偿层AlGaN,能有效实现双蓝光平衡辐射。     

AlGaN中Mg掺杂对蓝光发光二极管光电性质的影响

采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL)表征晶体质量和光学性能,其他的光电性能由制成芯片后测试获得,目的是研究外延片p型AlGaN电子阻挡层Mg掺杂的优化条件.结果表明,在生长p型AlGaN电子阻挡层的Cp2Mg流量为300 cm3/min时,蓝光发光二极管获得最小正向电压VF,而且在此掺杂流量下的多量子阱蓝光发光二极管芯片发光强度明显高于其他流量的样品.因此可以通过优化AlGaN电子阻挡层的掺杂浓度,来显著提高多量子阱蓝光发光二极管的电学性能和光学性能.     

台阶型InGaN量子阱蓝光发光二极管设计与数值模拟

一种特定发光波长(415～425nm)的台阶型InGaN构型量子阱被设计并从理论上进行考察,包括量子阱区域载流子浓度分布、自发辐射复合速率、Shockley-Read-Hall(SRH)辐射复合速率以及输出功率和内量子发光效率的分析.与传统的InGaN构型量子阱结构相比,使用台阶型InGaN构型的量子阱结构,活性区载流子浓度特别是空穴浓度得到明显的改善,输出功率和内量子效率分别提高了52.5%和52.6%.自发发光强度与传统的InGaN构型量子阱发光强度相比也有1.54倍的增强.分析结果暗示SRH非辐射复合速率积分强度的减少被认为是台阶型InGaN构型量子阱光学性能提升的主要原因.     

具有干涉滤光片和发蓝光荧光粉的投影阴极射线管

多层干涉滤光片提高了用于投影电视阴极射线管的亮度。这些滤光片对发射光的色度也有影响。根据第一原理计算出了这两种效应,采用这些计算方法,发现通过使用多层干涉滤光片,实际上使所有发蓝光荧光粉的色度都被包括在EBU所确定的基色范围内。而且,可以在D白光效率无任何损失的情况下得到这一色度变化。