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相似文献
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1.
应用磁控溅射技术、光刻技术和水热法在玻璃衬底上制备了氧化锌(ZnO)光电导型紫外探测器。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和分光光度计等测试仪器对ZnO光电导型紫外探测器进行表征分析。实验结果表明,ZnO薄膜紫外探测器和ZnO纳米棒紫外探测器光电流分别为5.78mA和6.48mA;相比ZnO薄膜光电导型紫外探测器,ZnO纳米棒光电导型紫外探测器响应度提高了12.9%、灵敏度提高了14.5%,响应时间缩短了66.7%。  相似文献   

2.
通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积Al/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分析结果对测试结果进行了理论分析.结果表明,即使在未进行合金工艺的情况下,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO也可以形成良好的欧姆接触,正向偏压下,探测器的暗电流与光电流随外加偏压线性增加;探测器对紫外光潜具有明显的响应,其响应截止波长为368nm.XPS分析表明,在ZnO薄膜表面存在着一定的O空位和Zn间隙,非化学计量的O与Zn之比对器件的响应时间有影响.  相似文献   

3.
构建合适的异质结是改善光电探测器性能的一种有效方法,为了提升超宽禁带半导体Ga2O3薄膜日盲光电探测器的光电性能,采用金属有机化学气相沉积技术在SiC单晶衬底上成功异质外延了高质量的ε-Ga2O3薄膜,并制备了ε-Ga2O3/SiC异质结光电探测器。探究外延薄膜的晶体结构和吸收光谱可知,单一取向的ε-Ga2O3薄膜对日盲区紫外光表现出强烈的吸收特性。得益于较强的内建电场,制备的异质结光电探测器件具有出色的自驱动光电响应特性。在无外置电场条件下具有稳定的深紫外光响应,其具有暗电流低、灵敏度高的特点。在0V偏压、254nm紫外光辐照下,探测器光暗电流比高达104,光响应度达到0.3mA/W,比探测率达到1.45×1010cm·√Hz/W。ε-Ga2O3/SiC自驱动光电探测器的成功研制可为实现零能耗探测器件的制备提供理论思路和实验指导。  相似文献   

4.
氮化铝(Al N)是一种宽禁带深紫外半导体材料,其良好的性能可作为紫外固态光源。采用射频磁控溅射法,在p型Si(100)衬底上制备了Al N薄膜。通过X射线衍射分析(XRD)、紫外-可见光光谱(UV-Vis)、场发射测试对制备的Al N薄膜进行了测试分析,针对薄膜生长特性对光吸收的影响及其场发射性能进行了研究。结果显示:在Si衬底上成功的制备了高度(002)取向的Al N薄膜,薄膜在230~250nm间有强紫外吸收,阈值电场为6.39V/μm。场发射测试结果表明,磁控溅射法制备的Al N薄膜具备良好的场发射性。  相似文献   

5.
为了降低暗电流,通过原子层沉积(ALD)生长了一层氧化铝(Al2O3)隧穿层,制备了PdSe2/Al2O3/Si异质结光电探测器.通过优化Al2O3层的厚度,使得该探测器实现了高速和宽光谱响应.研究结果表明,在波长为808 nm的光照射和-2 V偏压下,所制备的光电探测器与未生长Al2O3的器件相比,暗电流降低了约3个数量级,器件的光响应度达到了约为0.31 A/W,对应的比探测率约为2.5×1012 Jones,器件在零偏压下表现出明显的自驱动效应.经过循环测试1 200次后,器件保持良好的光响应.器件响应的上升时间和下降时间分别为7.1和15.6μs.结果表明,在二维层状半导体材料与Si之间引入Al2O3隧穿层,可以有效地降低器件的暗电流,有利于高性能的Si基光电探测器的制备.  相似文献   

6.
针对宽禁带半导体紫外探测器响应不够灵敏和响应度偏低等问题,将具有高功函数的Pt电极引入TiO2紫外探测器,采用溶胶凝胶法制备了纳米TiO2薄膜。以金属Pt为电极,采用磁控溅射的方法,将Pt电极溅射在TiO2纳米薄膜上,制作了MSM(Metal-Semiconductor-Metal)型紫外探测器件。在5 V偏压下,探测器的暗电流为4.5 nA,260 nm波长光照下的光电流为5.7μA。在260 nm的紫外光照射下,探测器的响应度达到最大值,约为447 A/W,与其他紫外探测器(200 A/W左右)的响应度均值相比有了很大的提升。最后,设计外围电路,制作出功能完整的紫外强度测试仪。实验表明,该探测器成功地解决了传统宽禁带半导体紫外探测器灵敏度及响应度偏低等问题。  相似文献   

7.
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了非晶态ZnO薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描探针显微镜(SPM)研究了非晶态ZnO薄膜的晶相和微观形貌,用紫外-可见光光度计和荧光光度计研究了非晶态ZnO薄膜的光学特性。测试结果表明,XRD谱没有任何衍射峰,表明所制备的ZnO薄膜确实是非晶态;非晶态ZnO薄膜的表面平整、光滑,表面粗糙度均值为1.5 nm;在可见光区有很高的透过率,最高值为90%;光学带隙为3.39 eV;其PL谱显示在紫外区384 nm处有较强的紫外发射。  相似文献   

8.
宽带隙半导体合金材料AlxGa1-xN成为紫外光电探测器的优选材料,本文通过金属有机气相外延(MOCVD)的方法在Al2O3衬底上制备出Al0.25Ga0.75N合金薄膜,并通过紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备出平面对称结构的金属-半导体-金属(MSM)又指电极结构,通过器件在氮气气氛下不同温度的退火,使得器件的响应度得到很大的提高,在1V偏压下达到3.25A/W,同时对器件的其它参数进行了深入的分析。  相似文献   

9.
研制了Ni/4H-SiC肖特基二极管电离辐照探测器,并采用不同的辐照源进行了测试。实验结果表明,对于低能电子和γ射线辐照,该探测器都有比较灵敏的电流响应。经过1 Mrad(Si)的γ射线辐照后,探测器的信号电流没有明显退化;分别经过1 Mrad(Si)的γ射线和100 Mrad(Si)的1 MeV电子辐照后,0 V和-30 V辐照偏压下的探测器的暗电流仅有较轻微的退化。说明了该文研制的探测器具有暗电流低、灵敏度高和抗辐射容限高等优点,可以在强辐射环境中长时间应用。  相似文献   

10.
研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器。采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)上生长探测器材料。测试表明,器件的暗电流主要来源于表面漏电流,暗电流密度随着尺寸的增加而减小,在2V偏压时暗电流密度可达17.2mA/cm2;器件在波长1.31μm处的响应度高达0.22A/W,对应量子效率为20.8%。无偏压时,器件的响应光谱在1.2~1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分别位于1.25、1.35、1.45和1.55μm左右,峰值半高宽约为50nm,共振增强效应是由SOI衬底的高反射率引起的。采用传输矩阵法模拟的响应光谱与实验测量结果吻合良好。  相似文献   

11.
在大学英语教学过程中,有关/n/与/l/的发音错误很常见,原因是没有完全掌握它们的发音规则。/n//l/发音规则的相似性造成了/n//l/不分的情况,而且局部方言中这两个音也不作区分,使得/n//l/混淆的情况更加严重。在教学过程中,可以通过重点讲解区分/n/与/l/的发音规则及其区别来避免/n//l/发音错误。本文同时也分析了含糊/l/音的发音错误,通过对/n/与/l/相关的发音错误分析找出大学英语语音教学行之有效的途径:在完全把握单音的发音规则的基础上,进一步强调语调的掌握,使学生拥有良好的语音。  相似文献   

12.
MXene 具有较大比表面积和优异的导电性, 当与金属氧化物半导体结合时可以抑制片层团聚, 还可以大大提高载流子转移速率, 提高气敏性能。通过简单的水热和煅烧两步法成功合成了Fe2O3/Nb2O5/Nb4C3Tx 三元复合材料。通过表征, Fe2O3 微米球分布在 MXene 纳米片层之间。气敏测试结果表明, 与原始Fe2O3相 比, Fe2O3/Nb2O5/Nb4C3Tx 传感器对丙酮的响应能力有明显的提高。传感器灵敏度高, 选择性较好, 对环境中 浓度为 5 ×10?6 的丙酮响应高 (Ra /Rg = 7.81, 30% RH), 响应和恢复速度快, 具有出色的重复性和长期稳定性。Fe2O3/Nb2O5/Nb4C3Tx 传感器具有良好的气敏性能, 主要因为三元复合材料提供了较大比表面积和丰富的氧空位, 增强了活性位点, 使得气体易于在传感器表面扩散, 为开发丙酮敏感复合材料提供了参考。  相似文献   

13.
对肼、一甲基肼、偏二甲肼的亚临界--超临界蒸发/分解燃烧进行了研究,计算了肼类燃料滴在不同压力下液滴温度和蒸发速度的变化历程,计算了蒸发常数、传热数和传质数,其结果和实验数据是吻合的。本文不但考虑了肼类燃料滴的亚临界蒸发/分解燃烧,还考虑到了其超临界蒸发/分解燃烧,并对达到超临界工况时的界限参数进行了计算。  相似文献   

14.
LiCo1/3Ni1/3Mn1/3O2 was coated by a layer of 1.0 wt% CeO2 via sol-gel method. The bared and coated LiMn1/3Co1/3Ni1/3O2 was characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), cyclic voltammogram (CV) and galvanotactic charge-discharge test. The results show that the coating layer has no effect on the crystal structure, only coating on the surface; the 1.0 wt% CeO2-coated LiCo1/3Ni1/3Mn1/3O2 exhibits better discharge capacity and cycling performance than the bared LiCo1/3Ni1/3Mn1/3O2. The discharge capacity of 1.0 wt% CeO2-coated cathode is 182.5 mAh·g−1 at a current density of 20 mA·g−1, in contrast to 165.8 mAh·g−1of the bared sample. The discharge capacity retention of 1.0 wt% CeO2-coated sample after 12 cycles reaches 93.2%, in comparison with 86.6% of the bared sample. CV results show that the CeO2 coating could suppress phase transitions and prevent the surface of cathode material from direct contact with the electrolyte, thus enhance the electrochemical performance of the coated material.  相似文献   

15.
RDSS/Doppler/GPS/SINS组合导航系统研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
针对双星定位系统(RDSS)存在的定位位置滞后的先天缺陷,根据组合导航定位系统输出速度误差小的特点,给出了一套消除RDSS位置滞后的方案,并对RDSS/SINS组合系统进行了建模,依据联邦滤波器理论,考虑到GPS的实际情况,提出了RDSS/Doppler/GPS/SINS多传感器组合导航系统的设想,仿真结果表明,该组合导航系统具有准确度高、自主性强的特点。  相似文献   

16.
The infuence of Cu dopant (x) and sintering temperature(Ts) on the troansport propeties of La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3 series samples prepared by Sol-Gel technique was investigated.X-ray diffraction patterns show that all the samples with different Cu dopant and sintering temperatures (Ts) are of single phase without obvious latice distortion.Experimental results indicate that the insulator-metal transition temperature is diectly related to the sintering temperature and Cu dopant x.It is interesting to observe that a proper amount of Cu dompant can substantially improve magnetoresistance effects.  相似文献   

17.
研究了用固相反应法制备亚锰酸盐多晶样品La0.7-xYxCa0.3MnO3,并研究了Y的不同掺杂(x=0.1,0.2)对样品的晶体结构、电磁特性和磁电阻效应的影响.实验结果表明,随着温度的降低,x=0.1样品的R-T曲线没有出现峰值,而x=0.2样品出现了峰值,显示了复杂的输运特性.两种样品的磁电阻Rm都随着温度的降低而升高,但都没有出现峰值.x=0.2的样品在较宽的温区内,磁电阻效应都很显著,而且Y掺杂由x=0.1提高至x=0.2,磁电阻效应增强.  相似文献   

18.
A thin organic film of p-type semiconducting copper phthalocynanine (CuPc) was deposited by vacuum evaporation on an n-type GaAs single-crystal semiconductor substrate. The fabricated Ag/p-CuPc/n-GaAs/Ag sensor was carried through an ageing process to stabilize the parameters. Voltage-current characteristics and photoelectrical response of the sensor were investigated at a wide temperature range of 82 to 350 K. Photoelectric characteristics were measured under nonmodulated filament-lamp illumination. It was observed that such sensor parameters as rectification ratio, threshold voltage, junction, shunt and series resistances, open-circuit voltage and short circuit current are temperature-dependent. It was found that wide-range voltage-current characteristics of the sensor may be described similarly to that of a Schottky barrier diode. Using the experimental data on voltage-current characteristics and absorbance of the CuPc films, the energy-band diagram of the p-CuPc/n-GaAs heterojunction was developed. It was shown that data obtained from simulation of an equivalent circuit of photoelectric sensor agreed with experimental results. Supported by the National Engineering and Scientific Commission of Pakistan  相似文献   

19.
为了更具体地分析M/M/c和c个M/M/1并联系统在性能上的差异,首先分析了Little公式在应用中可能存在的缺陷,然后通过AnyLogic仿真工具对模型运行过程进行跟踪,最后通过管理系统仿真(general purpose simulation system,GPSS) JAVA仿真获取了2种排队系统中服务台利用率、平均队长、最大队长、平均等待时间等对比指标,并指出了M/M/1并联系统用解析法求解存在的缺陷.仿真结果表明:2种排队系统中服务台利用率几乎相同;M/M/c系统中顾客平均等待时间稍短于c个M/M/1并联系统,对传统排队论中的“与c个M/M/1并联系统相比,M/M/c系统可以显著提高服务效率和减少等待时间”结论进行了修正.此外,M/M/c系统中“短时等待”顾客更多,其“零等待”顾客数和“长时等待”顾客数均显著少于c个M/M/1并联系统.  相似文献   

20.
采用半连续乳液种子聚合法合成苯乙烯(St)、丙烯酸丁酯(BA)、甲基丙烯酸 (MAA)、丙烯酸(AA)、醋酸乙烯酯 (VAc)的复合乳液.分析了丙烯酸对乳液电解质性能的影响,引发剂对聚合反应转化率的影响及乳化剂含量对乳液粘度的影响.通过正交试验确定组分的适当配比.该共聚乳液的粘度及固体含量符合要求,稳定性好, 性能价格比高.应用表明:用此乳液配制成地毯乳胶,胶膜具有良好的机械性能.  相似文献   

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