基于键合技术的新型集成光学干涉仪

提出了一种基于超薄薄膜光电二极管(PD)构成的新型集成光学干涉仪构造方案，基于键合技术，论证了超薄薄膜光电二极管阵列集成化构成集成光学干涉仪的可能性。着重描述了集成光学干涉仪构造关键部件——超薄薄膜光电二极管的设计、制造及其特性。所构成的集成光学干涉仪经实验得到初步验证，结果表明，利用微细加工制作微光学干涉计是完全可行的。     

含非线性缺陷的光子晶体异质结构中的光学响应

为了得到非线性介质中的光学响应,考虑了光通过含有非线性缺陷的一维光子晶体异质结构的情况,对缺陷层的介电函数采取δ函数近似的方法,得到了具有非线性缺陷的一维光子晶体异质结构中的光学响应表达式。结果表明,非线性缺陷存在时,在光学响应中会出现双稳态、多稳态等特性。讨论了双稳态及其多稳态的形成条件,并与考虑缺陷层厚度时的结论进行了比较,为构造零阈值的激光器和非线性光学器件的初步设计提供了有益的理论参考。     

基于键合技术的新型集成光学干涉仪

提出了一种基于超薄薄膜光电二极管 (PD)构成的新型集成光学干涉仪构造方案 ,基于键合技术 ,论证了超薄薄膜光电二极管阵列集成化构成集成光学干涉仪的可能性。着重描述了集成光学干涉仪构造关键部件———超薄薄膜光电二极管的设计、制造及其特性。所构成的集成光学干涉仪经实验得到初步验证 ,结果表明 ,利用微细加工制作微光学干涉计是完全可行的     

基于键合技术的新型集成光学干涉仪

提出了一种基于超薄薄膜光电二极管(PD)构成的新型集成光学干涉仪构造方案,基于键合技术,论证了超薄薄膜光电二极管阵列集成化构成集成光学干涉仪的可能性.着重描述了集成光学干涉仪构造关键部件--超薄薄膜光电二极管的设计、制造及其特性.所构成的集成光学干涉仪经实验得到初步验证,结果表明,利用微细加工制作微光学干涉计是完全可行的.     

LED测量误差探讨

CIE 127 1997推荐A条件和B条件，并提出“平均光强”的概念，对于各实验室统一测试条件，提高比对精度起到良好的作用。但是该规定也存在着平均光强概念不明确，发光点定位不准确的严重缺陷。本文建议摒弃平均光强概念，认可LED为简单光学系统，并提出用光学封装的概念代替电子封装，且LED封装要有定位要求，这样才能根本解决LED的测量误差。     

光电探测器的设计

分析了硅光电二极管的基本结构，等效电路，噪声等情况，为了提高测量时的线性，要选取Ｒｄ大，Ｒｓ小，ｉ０小的硅光电二极管，并在输出短路状态下工作。因此常采用将运算放大器接成电流－电压转换器的办法来满足这一要求。分析了运算放大器的噪声电压，噪声电流，失调电压，失调电流和硅光电二极管的噪声因素对硅光电二极管与运算放大器组合电路的影响。考虑这些因素可以设计出响应快，灵敏度高，稳定度好，测量线性好，信噪比高的     

大孔径重复率脉冲CO2激光器窗口材料的光学损伤强度

二氧化碳激光透射光学元件材料的选择要考虑它们的基本光学物理性质和具体激光装置的使用条件。对于大功率连续激光器,重要的参数是工作波长上的激光吸收,因为甚至较弱的吸收也不仅导致热聚焦的出现,使激光束劣化,而且还导致热机械应力的产生和积累,使光学元件损坏。脉冲激光辐射的特征是瞬时功率高,这里红外光学元件材料的损坏机理与连续激光作用时不同光学元件的损坏是由微观不均质处击穿引起的,所以这种情况下的光学强度与杂质及生长缺陷的存在、性质和分布有关［１～４］。红外强光光学材料不同的损坏机制决定了解决提高它们光学…     

自填隙原子对Si晶体性能影响的研究

运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响.理论计算表明,缺陷使体 Si 材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生了不同程度的改变,空位缺陷导致Si晶体材料吸收光谱红移.     

光学三稳性临界点的二级相变特征

本文中我们唯象地提出了一个光学非一性系统的动力学模型，阐明了光学三稳系统的临界现象同样可以纳入朗道相变理论的模式，将相变的朗道理论由原来的双稳系统推广到三稳系统，揭示了不同光学非线性系统在临界点附近的共性。     

关注自动光学检验和自动光学测试的区别

AOI是一种检验包含元器件和配件的电子电路的设备。在装配实施期间通过使用光学器件来获取图像，然后与那些己经确认不含缺陷的电路板进行比较，从而发现和识别出缺陷现象。而另外一项AOT技术相对较新，它在传统的探针式电子测试系统中加入了故障检测逻辑功能，同时又使用了采用光学扫描方式的检验系统。     

Optical properties of a total-reflection-type one-dimensionalphotonic crystal

We produced an asymmetric Fabry-Perot microcavity using total reflection, and its optical properties were investigated. The structure is considered to be a total-reflection-type 1-D photonic crystal. An electric-field enhancement of incident light in a defect layer installed inside the photonic crystal was observed by fluorescence emission from dye molecules doped into the defect layer division. We confirmed that the incident light intensity was strengthened by about 63 times in the defect layer     

缺陷诱导光学薄膜光场增强损伤分析

高损伤阈值的光学薄膜是高功率激光系统的关键器件。众多研究显示,纳米量级的缺陷是光学薄膜激光损伤的主要诱因,是制约光学薄膜向高损伤阈值发展的主要因素。基于有限差分时域方法分析了纳米大小的缺陷诱导SiO₂光学薄膜的局部光场增强导致的激光损伤。结果显示:缺陷的存在使SiO₂单层薄膜的光场分布发生了变化,无缺陷的SiO₂薄膜峰值光场位于膜层表面,而有缺陷的SiO₂薄膜峰值光场位于缺陷与薄膜的边界处,光场增强了约2.3倍;同时缺陷诱导的光场局部增强不仅依赖于缺陷与膜层之间的相对折射率,而且也依赖于缺陷的大小、缺陷在膜层中的分布深度,以及入射激光波长。缺陷与膜层的相对折射率越大,缺陷的直径越大,缺陷在膜层中的深度越小,入射激光波长越短,光场增强越大。研究结果显示光学薄膜中纳米大小的缺陷诱导的光场增强不可忽视,在研究光学薄膜的激光损伤过程中应予以考虑。     

负折射率缺陷层的一维各向异性光子晶体缺陷模特性

本文提出了负折射率缺陷层的一维各向异性光子晶体结构,利用传输矩阵的方法给出了TE波和TM波的透射率,结果表明在TE波中出现两个及多个缺陷模,TM波存在单缺陷模,两种偏振状态不同的透射波的缺陷模能分开,得出了光通过负折射率缺陷层的一维各向异性光子晶体后TE波和TM波随入射角的变化特性、随缺陷层厚度的的变化特性。这些特性用于光子晶体多通滤波、光子晶体偏振和激光谐振腔等器件的设计具有重要意义。     

关注激光技术的一些发展和应用

本文阐述了激光、光纤通信、计算机控制系统的基本特点和作用,介绍了国外激光武器和激光制导的应用状况,说明了激光技术与计算机控制系统结合的重要性,并站在节能减排和保护环境的高度,预测了激光技术未来应用于电力行业的内容和前景。     

Band structures, defect mode and field propagation characteristics in one-dimensional photonic crystals composed of single-negative materials

By using the transfer matrix, the band structures, defect mode and field propagation characteristics of one-dimensional photonic crystals composed of single-negative （SNG） material are studied. It is shown that this structure possesses a new type of photonic gap which is insensitive to the incident angle and the light polarizations, as well the change of scale length. When a normal dielectric defect layer is inserted, the defect mode is insensitive to the angle of incidence, but the electromagnetic field in the defect layer is strongly localized, and the number of the defect modes increases with the thickness of the defect layer.     

含液晶缺陷层阶梯型双周期结构的电场方向调控特性

利用传输矩阵法研究了含向列相液晶缺陷层的一维阶梯型Double-period第四代准周期结构缺陷模的电场方向调控特性。分析了外加电场方向和正入射波方向间夹角θ与缺陷模的位置、品质因子、空间位置光场分布的变化关系,最后探讨了缺陷模的品质因子对光场强度的影响。结果表明：随着夹角θ的逐渐增大,缺陷模的位置向短波方向移动,缺陷模波长的调控量为84nm;随着夹角θ的逐渐增大,缺陷模的品质因子逐渐增大;缺陷模在空间位置的光场分布呈现出局域现象,随夹角θ的增大,空间位置的光场强度逐渐增强;缺陷模的品质因子与光场强度成正比关系。     

含缺陷态的非线性介质材料的光子晶体的双稳态特性

文章报道了在具有缺陷态的二维非线性介质材料的光子晶体中光的传播特征 ,光子晶体是含有多单元层的简单和复杂周期的介质结构。事实上 ,我们感兴趣的主要是缺陷模式的传播和局域的光强的增强因素。用转移矩阵方法 ,我们计算了光子晶体的电磁场波的传播 ;从而获得局域光的增强效应 ;这种方法计算了有限厚度材料的传播特性 ,数字结果表明非线性介质材料的缺陷结构的光传播能引起输入的光强度的改变 ;这种改变表现出双稳态特征 ;对于简单和复杂的光子晶体 ,假设输入的光强度是稳定的 ;这种双稳态特征就容易出现 ;对于复杂结构的光子晶体 ,则便显出复杂的特征。总的传输量是大的情况 ,双稳态也会出现。另外 ,缺陷介质的饱和吸收系数 ,折射率比值及介质层数值确定了双稳特性的可见性     

一维光子晶体非线性微腔的缺陷模和双稳态

为了了解一维光子晶体布喇格非线性微腔产生的缺陷模和双稳态特性,采用数值模拟和理论分析相结合的方法,研究了缺陷层厚度变化和布喇格镜准周期性对缺陷模和双稳态的影响。研究结果表明,缺陷层厚度增大和折射率递增时,均可使缺陷模向低频方向移动,即布喇格腔共振模红移,因此,只要较小的入射光强就可使腔共振模红移到入射光模而产生阈值较低的双稳态,数值计算与理论分析是一致的。这对光子晶体微腔的设计有一定的意义。     

Angular tuning of defect modes spectra for one dimensional photonic crystal filters with a liquid crystal layer

A tunable photonic crystal filter with a twisted nematic liquid crystal layer is proposed. The defect modes spectra with varying incident angles are discussed in detail by 4×4 matrix method. The results show that the defect modes are mainly decided by the applied voltage when the incident angle is smaller than 8°. As the incident angle further increases, the band gap and the defect modes shift toward the shorter wavelength side, and the changes of the two modes are different. In the lower voltage range, the defect modes can be tuned not only by the applied voltage but also by the incident angle. In the higher voltage range, the defect modes can be further tuned by varying incident angle and the different modes can be separated from each other by a big incident angle.     

液晶染料填充一维光子晶体局域模的电场调控及其光激发特性研究

基于液晶的电场调控特性及激光染料作为增益介质的增益模型,通过传输矩阵法理论研究了液晶染料填充一维光子晶体局域模的电场调控及其光激发特性。数值结果表明:随着垂直入射光和电场方向的夹角θ的增大,局域模波长向短波方向移动;当角度θ在(0°,90°)范围内变化时,局域模波长最大调控量达56.7nm;激光染料泵浦后不改变局域模的位置,但局域模的透射率变大了;随着增益系数的增大,局域模透射率先增大后减小,不同局域模对应不同的泵浦阈值,并且随着夹角θ的增大局域模对应的泵浦阈值将减小。