一种便携式的多功能SLD数字测控系统设计

以嵌入式微控制器C8051F为控制核心实现了便携式的多功能超辐射发光二极管（SLD）测控系统。该系统具有多种工作模式,包括恒流控制工作模式、恒光功率工作模式、恒温控制工作模式和连续LIV测试工作模式;可为SLD提供高稳定性的电流控制、光功率控制和温度控制,实验结果表明其长期驱动电流稳定度0．023％、光功率控制稳定度0．026％、温度控制偏差0．03℃。同时利用该系统可实现器件LIV特性的自动测试,其结果可用于SLD性能的表征与评价。     

阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管

报道了一种结构新颖的“阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管”，测得了器件在直流和宽脉冲条件下的工作特性．     

一种新颖的LED动态显示方法

文中介绍了一种新的LED动态显示方法的工作原理，通过实际电路分析此种显示方法在LED显示中应用。     

太阳能电池金字塔结构减反膜仿真设计

本文对太阳能电池金字塔结构减反膜进行了仿真设计,分析比较了裸硅金字塔型结构以及金字塔加单层氮化硅薄膜结构下,通过改变结构的重要参数来研究反射率变化的规律。     

弯波导呼吸区结构1.3μmInGaAs／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎ－ＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二级管，分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计，在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入光的强度比率仅     

1.3 μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究

量子阱结构超辐射发光二极管(SLD)具有良好的温度特性和一致性.简要介绍了一种1.3 μm量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介绍.通过一系列的实验,确定出一个在现有条件下一次光刻的最佳工艺条件.     

弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｒ＝５００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为９．５×１０－３。     

一种新型阴极Z阴极的结构和设计

阐述了Z阴极的结构和设计.     

扫描系统的减偏设计

针对现有扫描系统线偏振灵敏度较大和线偏振灵敏度随扫描角度的变化而变化的特点，提出一种扫描系统新的设计方案。它可以在低线偏振及灵敏度的基础上，在一定程度上降低扫描角对系统线偏振灵敏度的影响。     

一种新颖的蝴蝶结形缺陷接地结构微带线

提出一种新颖的蝴蝶结形缺陷接地结构(DGS)微带线,分析了该微带线的带阻特性和慢波特性,同时考虑微带线损耗,建立了该微带线的等效电路模型及其参数提取,并分析了蝴蝶结形DGS结构变化对阻带特性的影响,最后将该DGS结构应用于紧凑结构低通滤波器的设计,模拟结果与实验结果吻合较好,验证了所提结构的可靠性。     

一种新颖的具有带隙结构的误差放大器设计

电源电压过低时,开关电源转换器中的带隙基准源及误差放大器不能正常工作,针对这一问题提出了一款低电压具有带隙结构的误差放大器.本文阐述了该结构的工作原理,并对整体结构进行分析.采用0.8 tan BiCMOS工艺,在1.4 V的电源电压下,通过HSPICE进行前仿真验证,得到其开环增益为63.4 dB,电源抑制比为106.4 dB.     

一种研究包含铁氧体导波结构的新颖方法

本文从描述铁氧体介质特性的磁进动方程出发，提出了一种适合于研究包含铁氧体这一类色散介质传输结构的全波分析方法－改进的FD－TD方法。且针对均匀传输线色散特性的分析给出了相应的改进的二维FD－TD方法。以分析包含铁氧体的矩形波导威力为例证明这一算法的可靠性。最后利用这一算法计算了包含铁氧体介质均匀微带线的色散特性。     

一种拼接结构红外探测器的封装电学设计

随着红外焦平面探测器技术日趋成熟,由多片红外探测器组成更大规模探测器的需求也更为广泛。红外探测器往往采用多片拼接结构,达到扩大探测器阵列规模的目的。从2×2,3×3到4×4甚至更大规模的拼接结构,其拼接设计的核心均为封装结构设计。在封装结构设计中,如何进行电学引出设计,也是设计中非常重要的一个环节。文章介绍了一种红外探测器拼接结构的封装电学设计,首先介绍拼接结构的概况,然后介绍为满足该种结构的电学设计采用的结构方案,最后介绍针对该种电学设计结构方案进行的电学布线设计。     

一种新颖的半圆形缺陷地结构微带线

本文提出了一种半圆缺陷地结构(Defected Ground Structure)微带线,该结构比传统的正方形DGS微带线有更好的带阻特性和等效Q值.本文分析了半圆DGS参数变化对带阻特性的影响,建立了该微带线的等效电路模型并提取参数;通过等效电路模型可以看出,半圆DGS微带线的Q值为45,大大优于传统DGS微带线的8.5.最后,本文设计了紧凑结构半圆DGS低通滤波器,由于半圆DGS微带线的高Q值,该滤波器的通带插入损耗小于0.2dB,其测试结果与仿真结果相当吻合,验证了所提结构的可靠性.     

一种结构新颖的流水线Booth乘法器设计

在对传统Booth乘法器研究的基础上,介绍了一种结构新颖的流水线型布什(Booth)乘法器。使用基-4 Booth编码、华莱士树(Wallace Tree)压缩结构、64位Kogge-Stone前缀加法器实现,并在分段实现的64位Kogge-Stone前缀加法器中插入4级流水线寄存器,实现32 t×32 bit无符号和有符号数快速乘法。用硬件描述语言设计该乘法器,使用现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)进行验证,并采用SMIC 0.18 μm CMOS标准单元工艺对该乘法器进行综合。综合结果表明,电路的关键路径延时为3.6 ns,芯片面积＜0.134 mm,功耗＜32.69 mW。     

一种新颖的真空灭弧室

真空灭弧室有一个陶瓷和金属封接而成的外壳，该外壳的剖视图通常为一有三个接线端的Ｔ型结构。三个陶瓷绝缘子的一端分别与一个金属端盖进行气密焊接。第一端装有一个固定导体、它与装有一个传动装置部件的第二端面相对。第二个固定导体置于第三端上，它与第一个固定导体的轴横向相对。第一个导体有一个定触头安装在其末端。砂置于传动装置部件的末端。当不与静触头接触，电路处和合状态时，以及当头离开静触头，电路处于开断状态时