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本文用束传播方法设计了具有弯曲波导吸收区结构1.3μmIn-GaAsP/InP超辐射发光二级管,分析了不同吸收区长度La和弯曲的曲率半径R对SLD特性的影响,给出了直观的结果,并进行了优化设计,在假定吸收区后端面反射率为1,和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下,取d=0.2μm,w=2μm,Lp=400μm,La=200μm,I=200mA,经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入光的强度比率仅 相似文献
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量子阱结构超辐射发光二极管(SLD)具有良好的温度特性和一致性.简要介绍了一种1.3 μm量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介绍.通过一系列的实验,确定出一个在现有条件下一次光刻的最佳工艺条件. 相似文献
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本文用束传播方法(BPM)设计了具有弯曲波导吸收区结构1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管(SLD),分析了不同吸收区长度La和弯曲的曲率半径R对SLD特性的影响,给出了直观的结果,并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为1,和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下,取d=0.2μm,w=2μm,Lp=400μm,La=200μm,R=500μm,I=200mA,经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为9.5×10-3。 相似文献
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一种新颖的蝴蝶结形缺陷接地结构微带线 总被引:3,自引:5,他引:3
提出一种新颖的蝴蝶结形缺陷接地结构(DGS)微带线,分析了该微带线的带阻特性和慢波特性,同时考虑微带线损耗,建立了该微带线的等效电路模型及其参数提取,并分析了蝴蝶结形DGS结构变化对阻带特性的影响,最后将该DGS结构应用于紧凑结构低通滤波器的设计,模拟结果与实验结果吻合较好,验证了所提结构的可靠性。 相似文献
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一种研究包含铁氧体导波结构的新颖方法 总被引:1,自引:1,他引:0
本文从描述铁氧体介质特性的磁进动方程出发,提出了一种适合于研究包含铁氧体这一类色散介质传输结构的全波分析方法-改进的FD-TD方法。且针对均匀传输线色散特性的分析给出了相应的改进的二维FD-TD方法。以分析包含铁氧体的矩形波导威力为例证明这一算法的可靠性。最后利用这一算法计算了包含铁氧体介质均匀微带线的色散特性。 相似文献
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本文提出了一种半圆缺陷地结构(Defected Ground Structure)微带线,该结构比传统的正方形DGS微带线有更好的带阻特性和等效Q值.本文分析了半圆DGS参数变化对带阻特性的影响,建立了该微带线的等效电路模型并提取参数;通过等效电路模型可以看出,半圆DGS微带线的Q值为45,大大优于传统DGS微带线的8.5.最后,本文设计了紧凑结构半圆DGS低通滤波器,由于半圆DGS微带线的高Q值,该滤波器的通带插入损耗小于0.2dB,其测试结果与仿真结果相当吻合,验证了所提结构的可靠性. 相似文献
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在对传统Booth乘法器研究的基础上,介绍了一种结构新颖的流水线型布什(Booth)乘法器。使用基-4 Booth编码、华莱士树(Wallace Tree)压缩结构、64位Kogge-Stone前缀加法器实现,并在分段实现的64位Kogge-Stone前缀加法器中插入4级流水线寄存器,实现32 t×32 bit无符号和有符号数快速乘法。用硬件描述语言设计该乘法器,使用现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)进行验证,并采用SMIC 0.18 μm CMOS标准单元工艺对该乘法器进行综合。综合结果表明,电路的关键路径延时为3.6 ns,芯片面积<0.134 mm,功耗<32.69 mW。 相似文献
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真空灭弧室有一个陶瓷和金属封接而成的外壳,该外壳的剖视图通常为一有三个接线端的T型结构。三个陶瓷绝缘子的一端分别与一个金属端盖进行气密焊接。第一端装有一个固定导体、它与装有一个传动装置部件的第二端面相对。第二个固定导体置于第三端上,它与第一个固定导体的轴横向相对。第一个导体有一个定触头安装在其末端。砂置于传动装置部件的末端。当不与静触头接触,电路处和合状态时,以及当头离开静触头,电路处于开断状态时 相似文献