MPCVD法制备金刚石膜的工艺

采用3 kW/2 450 MHz微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD)系统,以单晶硅为基底材料,采用单因素试验法研究微米级金刚石膜的生长工艺,分别探究衬底温度、腔体压强和甲烷体积分数对金刚石成膜过程的影响,获得微米级金刚石膜的最优生长工艺。结果表明:金刚石膜的生长速率与衬底温度、腔体压强、甲烷体积分数呈正相关;衬底温度和腔体压强对金刚石膜质量的影响存在最佳的临界值,甲烷体积分数过高不利于形成金刚石相。金刚石膜生长的最佳工艺参数为:功率为2 200 W,衬底温度为850 ℃,腔体压强为14 kPa,甲烷的体积分数为2.5%。在此条件下,金刚石膜生长速率为1.706 μm/h,金刚石相含量为87.92%。      

纳米金刚石膜的研究与应用

自美阿贡国家实验室的Gruen等在1994年首次报道，使用微波等离子体CVD工艺在Ar气氛中引入少量C60制备纳米金刚石膜以来，纳米金刚石膜已成为CVD金刚石膜研究领域的一个新的热点，在国内外的学术刊物上有关纳米金刚石膜的研究报道不断涌现，但是，由于纳米金刚石制备方法的多样性和结构表征的复杂性，迄今为止在不少问题上仍然存在争议。本文仅就纳米金刚石膜的沉积与C2基团，纳米金刚石膜的表征和纳米金刚石膜的应用前景做了一简要的阐述，以引起众多研究工作者对这项具有创新性的研究成果予以关注。     

硬质合金表面沉积CVD金刚石膜的梯度法预处理工艺

本发明针对目前的现有的硬质合金表面沉积CVD金刚石膜预处理工艺中棱边和尖角上脱Co的速度比面上脱Co的速度快,造成棱边和尖角处强度降低,影响产品的性能,甚至还会造成棱边和尖角蚀损等问题,发明了→种硬质合金表面沉积CVD金刚石膜的梯度法预处理工艺,它的主要工艺流程为：抛光（1）→清洗（2）→刻蚀WC（3）→清洗（4）→第一次刻蚀co（5）→清洗（6）→干燥（7）→涂胶（8）→第二次刻蚀co（9）→清洗（10）→溶胶（11）→植晶（12）,尤其是其中的涂胶工艺保证了硬质合金表面预处理后满足CVD金刚石膜的沉积需求,     

CN200610131606．4金刚石膜或天然金刚石的表面改性的方法

本发明的金刚石膜或天然金刚石的表面改性的方法，属金刚石膜或天然金刚石的应用技术领域。工艺过程有配置过程、改性过程。配置过程是按底托、防连接层、金属层、金刚石膜或天然金刚石颗粒加底托的配置顺序摆好，在其上施加约20KPa的压力。     

一种提高MPCVD法制备金刚石膜均匀性的方法

采用自制的1 kW石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积装置,以氢气和甲烷作为气源在镜面抛光的(100)面单晶硅片上沉积了金刚石薄膜。实验共制得两个样品,其中一个样品在制备的过程中加装了难熔的金属钽环,利用等离子体易吸附于金属钽环表面的特性,缩小了硅片中间与边缘等离子体密度差异,另外一个样品没有加装难熔的金属钽环。利用激光拉曼光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)对制备的样品进行了表征,发现没有加装金属钽环的样品中间位置沉积的金刚石膜质量明显高于边缘位置沉积的金刚石膜,中间位置、离中间5 mm位置、边缘位置沉积膜层的厚度差别很大;加装了金属钽环的样品中间位置与边缘位置沉积的金刚石膜质量差不多,中间位置、离中间5 mm位置、边缘位置沉积膜层的厚度差别不大,上述结果证明金属钽环的加入是一种提高MPCVD法制备金刚石膜均匀性的方法。     

CN200410096956.2一种金刚石表面涂覆玻璃涂覆立方氨化硼镀钛复合结构及制造方法

本发明涉及一种金刚石表面：涂覆玻璃涂覆立方氮化硼镀钛复合结构及制造方法。金刚石表面有一玻璃层；在所述的玻璃层上有一立方氮化硼层，在所述的立方氮化硼层的表层有一钛层。本发明优点主要在于：这种金刚石内表层的立方氮化硼对铁素材料呈惰性且表面凸凹不平，而外层有金属钛层包裹，     

一种新型的冷锻模用含硅类金刚石镀膜

随着人类对环境要求的不断提高．在锻压行业．人们综合考虑的各种加工因素，如：润滑剂、模具材料、涂层、加工工艺以及成形方法等。减少润滑剂的使用量可减少生产过程中废液和废渣，从而减少对环境的污染。从长远看，锻件在生产加工中，尽可能采用干法或半干法。     

一种金属结合剂金刚石线锯的制备方法

一种金属结合剂金刚石线锯的制备方法,包括如下制备步骤：（1）钢丝的表面处理：先碱洗后水洗,再酸洗后水洗;（2）钢丝的助镀处理：将钢丝在氯化锌与氯化铵混合物的水溶液里浸镀,使其表面覆盖上涂敷助镀剂;（3）配料：将磨粒放进低熔点的合金的熔液中搅拌,使磨粒被胎体金属所浸润;（4）钢丝镀敷：将钢丝张紧、预热后进入金属磨粒混合液中,钢丝表面镀上了一层混有磨粒的金属层;     

多层膜在线连续镀制设备的工艺布置

本发明公开了一种多层膜在线连续镀制设备的工艺布置,设备具有装片真空室、过渡真空室、转换真空室、镀膜真空室、缓冲真空室、卸片真空室及独立阀门（A）（B）（C）（D）（E）（F）,用于镀制两层或两层以上的复合薄膜,解决了连续镀制多层膜的技术问题,具有操作简便,产品质量高和重复性好,生产效率高等优点,广泛适用于镀膜尤其用于光学、电子方面的多层复合薄膜的镀制行业。     

CN200710051342．6一种空心圆筒型金刚石膜钻头及其制备方法

本发明公开了一种空心圆筒型金刚石膜钻头及其制备方法。该钻头的结构是：金属圆筒的端面均匀分布有小槽，槽中的金刚石膜小片通过焊接方式与金属圆筒钻头的基架相连，小槽和金刚石膜小片均为菱形。该钻头的制备步骤包括：利用激光或等离子体将金刚石膜切割成菱形金刚石膜小片；在钻头的金属圆筒的端面上开出菱形小槽，小槽内放入焊料；将菱形金刚石膜小片植入小槽内，     

一种减少金属线Al空洞的金属线溅射膜工艺

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种金属线溅射膜工艺。为了有效地解决金属线Al空洞问题，本发明在溅射完Al后，不溅射Ti，用N2气等离子体处理Al表面，使其表面形成一层薄的AlN膜（缓解Al和TiN之间的应力），而后直接溅射TiN膜，金属层结构为Ti／TiN／Al／AlN／TiN；刻蚀后金属线无需退火，     

一种可刃磨的拉伸冲裁复合模

针对门外壳零件的形状特点，从方便冲压加工与模具维护的角度，对门外壳零件的冲压工艺进行了分析，确定了拉伸冲裁复合模具的结构，总结了该类模具的优点并介绍了模具的设计、调试、维护方法。     

一种激光化学气相沉积金刚石膜的方法（专利号：95111978．8）

一种激光化学气相沉积金刚石膜的方法，最低沉积温度为250℃，其特征在于选用波长在308nm的XeCl准分子激光作激光源，过程如下：将欲沉积衬底放在高导热率材料的工作台上，用XeCl准分子激光辐照衬底欲沉积金刚石膜区，并在预抽真空的反应室中通入能吸收该激光波长的碳氢化合物反应气(含汽化液体或固体)和氢气。     

一种大负角敞口零件成形工艺的研究

本文对一种大负角敞口零件成形工艺进行研究,讨论了拉深成形、管式内高压成形和弯曲胀形三种工艺方法在典型零件上的应用。通过讨论最终采用弯曲胀形工艺方法对此典型零件进行CAE分析和零件试制,试制结果满足预定要求。弯曲胀形工艺可作为该典型零件和其他类似零件的成形工艺。     

CN200610156071．6一种合成金刚石用石墨与触媒复合材料的制备方法及设备

本发明公开了一种合成金刚石用石墨与触媒复合材料的制备方法及设备,首先将清洁的石墨颗粒置于加热室中预加热,加热温度下限应高于镀覆的羰基金属络合物沸点,加热温度上限依所需镀覆的厚度设定;其次将加热的石墨颗粒输送到带有振动或搅拌器的镀覆室内,输入羰基金属络合物蒸汽进行镀覆;最后将镀覆完毕的石墨颗粒输送至冷却钝化室钝化冷却出料,或进入下一轮加热镀覆循环。     

专利信息（Ⅳ）——专利名称：一种钛及钛合金表面化学镀镍前活化工艺

本发明公开了一种钛及钛合金表面处理方法,具体是一种化学镀镍前的活化工艺;该工艺是在已有活化工艺中引入了超声波,使镀液在超声作用条件下完成活化,因此降低了活化液中恶性毒害物质HF的用量,缩短了活化时间,减少了基体溶解量,延长了活化液的使用周期,     

钢铁件酸洗磷化电泳工艺的废水污染及其处理方法

正在汽车制造行业、五金电器行业的加工生产中,为使钢铁构件防锈和美观,需要进行涂装工艺。涂装工艺电泳前须进行酸碱洗和磷化处理,酸碱洗是去除钢铁构件表面的污渍,磷化处理使钢铁构件形成一层磷化膜     

整流电源的波形对电镀层及氧化膜性能的影响

表面处理的发展需要有新工艺、新设备、新材抖、新配方的不断完善和改进,其中整流电源的波形也是关键问题之一,因为电镀也就是电化学,只有电与化学完成最佳组合,电镀质量才能得到最理想的效果,因此对生产出低纹波、周期换相、半波、二次回路冲击、直流叠加脉冲、正负脉冲等高效节能,能提高镀层质量及氧化膜硬度和厚度的各种不同输出波形的整流器,对表面处理的发展就有着积极的意义,开辟了从改进电源入手研究电镀工艺的新领域.