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采用3 kW/2 450 MHz微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD)系统,以单晶硅为基底材料,采用单因素试验法研究微米级金刚石膜的生长工艺,分别探究衬底温度、腔体压强和甲烷体积分数对金刚石成膜过程的影响,获得微米级金刚石膜的最优生长工艺。结果表明:金刚石膜的生长速率与衬底温度、腔体压强、甲烷体积分数呈正相关;衬底温度和腔体压强对金刚石膜质量的影响存在最佳的临界值,甲烷体积分数过高不利于形成金刚石相。金刚石膜生长的最佳工艺参数为:功率为2 200 W,衬底温度为850 ℃,腔体压强为14 kPa,甲烷的体积分数为2.5%。在此条件下,金刚石膜生长速率为1.706 μm/h,金刚石相含量为87.92%。 相似文献
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自美阿贡国家实验室的Gruen等在1994年首次报道,使用微波等离子体CVD工艺在Ar气氛中引入少量C60制备纳米金刚石膜以来,纳米金刚石膜已成为CVD金刚石膜研究领域的一个新的热点,在国内外的学术刊物上有关纳米金刚石膜的研究报道不断涌现,但是,由于纳米金刚石制备方法的多样性和结构表征的复杂性,迄今为止在不少问题上仍然存在争议。本文仅就纳米金刚石膜的沉积与C2基团,纳米金刚石膜的表征和纳米金刚石膜的应用前景做了一简要的阐述,以引起众多研究工作者对这项具有创新性的研究成果予以关注。 相似文献
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采用自制的1 kW石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积装置,以氢气和甲烷作为气源在镜面抛光的(100)面单晶硅片上沉积了金刚石薄膜。实验共制得两个样品,其中一个样品在制备的过程中加装了难熔的金属钽环,利用等离子体易吸附于金属钽环表面的特性,缩小了硅片中间与边缘等离子体密度差异,另外一个样品没有加装难熔的金属钽环。利用激光拉曼光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)对制备的样品进行了表征,发现没有加装金属钽环的样品中间位置沉积的金刚石膜质量明显高于边缘位置沉积的金刚石膜,中间位置、离中间5 mm位置、边缘位置沉积膜层的厚度差别很大;加装了金属钽环的样品中间位置与边缘位置沉积的金刚石膜质量差不多,中间位置、离中间5 mm位置、边缘位置沉积膜层的厚度差别不大,上述结果证明金属钽环的加入是一种提高MPCVD法制备金刚石膜均匀性的方法。 相似文献
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Kazuhiko Kitamura Masaki Mori Masato Katsuragawa Takahiro Yamamoto Yoshinari Tsuchiya 《锻造与冲压》2009,(2):62-65
随着人类对环境要求的不断提高.在锻压行业.人们综合考虑的各种加工因素,如:润滑剂、模具材料、涂层、加工工艺以及成形方法等。减少润滑剂的使用量可减少生产过程中废液和废渣,从而减少对环境的污染。从长远看,锻件在生产加工中,尽可能采用干法或半干法。 相似文献
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本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,具体涉及一种金属线溅射膜工艺。为了有效地解决金属线Al空洞问题,本发明在溅射完Al后,不溅射Ti,用N2气等离子体处理Al表面,使其表面形成一层薄的AlN膜(缓解Al和TiN之间的应力),而后直接溅射TiN膜,金属层结构为Ti/TiN/Al/AlN/TiN;刻蚀后金属线无需退火, 相似文献
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针对门外壳零件的形状特点,从方便冲压加工与模具维护的角度,对门外壳零件的冲压工艺进行了分析,确定了拉伸冲裁复合模具的结构,总结了该类模具的优点并介绍了模具的设计、调试、维护方法。 相似文献
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钢铁件酸洗磷化电泳工艺的废水污染及其处理方法 总被引:1,自引:0,他引:1
正在汽车制造行业、五金电器行业的加工生产中,为使钢铁构件防锈和美观,需要进行涂装工艺。涂装工艺电泳前须进行酸碱洗和磷化处理,酸碱洗是去除钢铁构件表面的污渍,磷化处理使钢铁构件形成一层磷化膜 相似文献
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整流电源的波形对电镀层及氧化膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
表面处理的发展需要有新工艺、新设备、新材抖、新配方的不断完善和改进,其中整流电源的波形也是关键问题之一,因为电镀也就是电化学,只有电与化学完成最佳组合,电镀质量才能得到最理想的效果,因此对生产出低纹波、周期换相、半波、二次回路冲击、直流叠加脉冲、正负脉冲等高效节能,能提高镀层质量及氧化膜硬度和厚度的各种不同输出波形的整流器,对表面处理的发展就有着积极的意义,开辟了从改进电源入手研究电镀工艺的新领域. 相似文献