PECVD生长nc—Si：H薄膜的结构与物性研究

采用H2稀释SiH4和PECVD工艺，在严格控制衬底温度、射频功率、SiH4／H2气体分压比、反应室平衡气压和直流负偏压等各种工艺参数条件下，成功地在c－St、石英和玻璃衬底上沉积了nc－St：H膜。拉曼散射、X射线衍射（XRD）和高分辨率电子显微镜（HRE则研究证实，nc七i五膜具有一些新颖的结构特征，即该膜层由大量E制无序的3i微晶粒组成，其平均晶粒大小为人一3～6urn，晶态比约占整个膜层体积的53士5％。同时膜层中包含有大量的晶间界面，界面区厚度约为2～4个原子层，界面区内贮存有大量的H原子。对nc．St：H膜中的电子传导机制研究…     

厚度对a—Si：H薄膜性能的影响

用等离子体增强化学气相沉积法在最佳工艺参数下在硼玻璃基片上沉积了厚度为1μm以下的不同厚度的a-Si:H薄膜。测量了薄膜厚度对它的光电性质的影响。结果表明，当膜厚增加时，a-Si:H薄膜暗电导、光电导和阈值电压增大，光学带隙和Raman谱的TA模与TO模峰值比减小，折射率几乎不变，光吸收系数和通断电流比先增大，达到最大值后又减小。     

异质结硅太阳能电池a—Si：H薄膜的研究

通过应用Scharfetter-Gummel数值求解Poisson方程，对热平衡态P^ （a-Si:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果指出，采用更薄P^ (a-Si：H）薄膜设计能有效增强光生载流子的传输与收集，从而提高a-Si/c-Si异质结太阳能电池的性能。同时，还讨论了P^ (a-Si:h)薄膜中P型掺杂浓度对光生载流了传输与收集的影响。高强茺光照射下模拟，计算表明，a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池具有较高光稳定性。     

PECVD制备光致可发绿光的α—SiC：H薄膜

利用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法，以硅烷和乙烯为反应气体源在适当淀积条件下制备出在紫外光激发下可发绿光（光致发光谱峰值波长约为５３２ｎｍ）的高品质α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜。本文主要报道该发光薄膜的红餐吸收谱（ＦＴＩＲ）、紫外及可见光透射谱一光学带隙、光致发光谱、电子自旋共振（ＥＳＲ）和电学性能的测试结果并进行讨论。     

AM混合相Si：P：H膜

本文介绍采用辉光放电法分解SiH_4+Ar+PH_3的混合气体淀积掺磷氢化非晶硅膜,即a-Si:P:H.再使其结晶化,得到非晶-微晶混合相结构的Si:P:H膜,即AK-Si:P:H.对膜的结构和性质作了探讨和分析.结果表明,AM-Si:P:H合金膜结构均匀、致密,对可见光及近红外有良好光吸收.退火温度达到500℃以上时,AM-Si:P:H膜的电导特性有一大的突破.S-W效应明显减小,是p-i-n太阳能电池所希望的n~+型材料.     

a—Si：H和a—SixH1—x：H光学特性的研究

本文所用a-Si:H和a-SixN1-x:H薄膜是用辉光放电法制备而成的,薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N2/SiH4)来控制,利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-SixN1-x:H在波长为200A-6000A的范围内的光学常数.着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律.     

金刚石薄膜的分层生长

采用热丝化学气相沉积生长出优异的金刚石薄膜。研究了薄膜的分层生长过程，薄膜的层状结构及膜厚随沉积时间的变化特性。     

C60薄膜的制备

本文首先简要叙述了Ｃ＿（６０）分子的结构以及Ｃ＿（６０）固体的结构和物性，然后较详细地讨论了目前采用的几种气相生长Ｃ＿（６０）。薄膜的方法，以及不同的衬底上Ｃ＿（６０）薄膜的生长特性，最后提出了目前Ｃ＿（６０）薄膜生长研究中存在的几个问题。     

基于VO_2薄膜非致冷红外探测器性能研究

用微电子工艺制备了 V O2 溅射薄膜红外探测器 ,在 2 96 K的环境温度中测试了该探测器对 8- 12 μm红外辐射的黑体响应率和噪声电压 ,结果显示该探测器在调制频率为 30 Hz时可以实现探测率 D*=1.89× 10 8cm H z1 /2W- 1 ,热时间常数 τ=0 .0 11s的非致冷红外探测     

氧化物高温超导薄膜制备技术的进展

本文较系统地介绍了高温超导薄膜的制备方法与生长机理,讨论了生长工艺与薄膜超导性能之间的关系,并对高温超导薄膜的异质外延、多层膜结构及超晶格制备等一些最新进展作了介绍。     

微测热辐射计氧化钒薄膜工艺研究

用射频磁控反应溅射在石英玻璃和硅片上沉积氧化钒薄膜 .利用X射线衍射 ,X射线光电子谱 ,原子力显微镜 ,分光光度计和电阻测量手段对沉积薄膜结构、形貌和性能进行了测试 .结果表明 ,沉积薄膜的电阻温度系数大于 1.8% /℃ ,方块电阻为 2 2± 5kΩ/□ .     

PZT铁电薄膜的低温原位生长

在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度(235～310℃)和纯Ar气氛中原位生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射(XRD)测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品(Ar/PZT/LNO结构)的铁电性能.结果表明:(1)溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈(111)、(200)取向;(2)上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm2,漏电流密度为1.34×10-4A/cm2.     

PLZT非晶薄膜光学性质研究

用溶胶－凝胶技术制备了化学组分为５／５０／５０的ＰＬＺＴ非晶薄膜。测试其２００￣８００ｎｍ波长范围的光学透射谱,和２００￣６７０ｎｍ波长范围的椭偏光谱。得到了ＰＬＺＴ（５／５０／５０）非晶薄膜膜厚和光学常数谱（折射率ｎ谱和消光系数κ谱）,并与组分为９／６５／３５的ＰＬＺＴ非晶薄膜的吸收边和折射率进行了比较。     

利用调制式椭偏仪测量薄膜电光系数

利用调制式的椭偏仪测量了掺镧锆钛酸铅PLZT薄膜的电光系数．首先用反射椭偏测量的方法得到薄膜的折射率(n)和厚度(d),然后利用透射椭偏在线测量的功能,在样品上加电场(E),得到薄膜的折射率的改变8n．最后用测量得到的厚度,折射率以及折射率的改变来计算薄膜的电光系数．该仪器的灵敏度很高,很适合较薄的膜层材料电光性质的测量．     

金刚石薄膜衬底表面不同预处理对薄膜表面形貌的影响

用微波等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）设备，在经过不同粒度的ＳｉＣ研磨粉进行粗化预处理过的金属钼衬底上沉积出了表面形貌有较大差异的金刚石薄膜，分别用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、光学显微镜和Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）以及Ｒａｍａｎ光谱对样品进行了分析测试，并研究了各样品的场致电子发射特性。结果发现：在我们的实验范围内，对钼衬底研磨预处理所用的ＳｉＣ研磨粉的粒度越大，其上沉积出的金刚石薄膜样品的表面越粗糙；而金刚石薄膜的表面越粗糙，其场致发射的效果也越好。     

高温超导微波电路衬底材料复介电常数的测量

本文讨论了在液氮温度下高温超导微波电路介质衬底材料复介电常数测试技术。利用TMono模高Q圆柱形谐振腔,对高温超导常用的几种单晶介质材料进行了测试。结果表明,该测试技术在不同温度下,可对低耗单晶和各向同性介质材料进行准确的测试,且测试简便、迅速、自动化程度高,具有测试介质材料某一方向复介电常数的优点。