基于肖特基二极管的单片集成560 GHz混频器

介绍了一款基于InP材料的肖特基二极管的单片集成混频器,其工作频率为560 GHz.该混频器采用了一种新型薄膜混合传输结构,基于某聚合物材料的无源结构的传输损耗降至14.4-15.5 Np/m.相比于基于传统石英介质基片和半导体介质基片的传输线,传输损耗降低了一半以上.同时为了降低高频损耗,提高电路效率,二极管需采用亚...     

Ka频段GaAs单片平衡混频器

Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器江关辉，孙柏根，高葆薪，孙迎新，戴沛然（南京电子器件研究所，２１００１６）（清华大学电子工程系，北京，１０００８４）Ｋａ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＧａＡｓＢａｌａｎｃｅｄＭｉｘｅｒ￥ＪｉａｎｇＧｕａｎｈｕｉ；ＳｕｎＢ...     

0.825 THz砷化镓单片集成二次谐波混频器

基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性更适用于太赫兹频段器件的设计。梁氏引线形式电路设计既可以降低介质基板带来的损耗,减小安装的位置偏移。实测结果表明, 0.825 THz单片混频器最佳单边带的插损值为28 dB,0.81到0.84 THz频率范围内插损小于33 dB。     

220 GHz 二次谐波混频器集成模块

在220 GHz二次谐波混频器的设计基础上,提出中频传输波导的垂直转换结构,实现了四通道混频器集成模块方案,缩短了混频器单通道的横向尺寸,为太赫兹接收机系统多通道线阵列集成提供了可行性方案。为优化系统模型的准确性,基于TCAD对肖特基势垒二极管进行三维半导体器件建模计算,依据提取的关键特性参数进行混频器的高频电磁波仿真。通过对该设计方案进行测试,结果表明:当本振频率为110 GHz,功率为7 dBm,射频输入200~240 GHz,混频器的单边带变频损耗为8.6~13 dB,在204~238 GHz的单边带变频损耗为8.6~11.3 dB。当本振频率为108 GHz时,驱动功率仅需3 dBm。此外,基于该混频器模块构建的220 GHz接收机系统,积分时间为700 μs时其温度灵敏度为1.3 K。     

晶体管混频器混频增益的简化计算

本文介绍一种方法简单、便于学生理解的分析晶体管混频器混频增益的简化计算方法.该方法从晶体管的电流方程入手,通过分析晶体管混频器的混频原理,得到了输出中频电流和混频跨导、混频增益的简明数学表示.通过对典型混频器电路的仿真,验证了该方法的有效性.该方法与传统的时变偏置电压分析方法相比,混频跨导和混频增益容易求得,解决了以往混频跨导基本是一个概念参数而难以确定具体数值的问题.     

一种Ka波段混合集成的单平衡混频器

本文介绍了一种由正交E面折叠魔T与鳍线混合集成的Ka波段单平衡混频器的研制概况,混频器使用国产W121封装的带状引线混频二极管。介质基片采用国产的仿RT-Duroid5880,经测试该混频器的最小单边带噪声为5.7dB(不包括前中噪声),射频与本振的隔离度均优于20dB,整体尺寸为32×19×14(mm)。     

一款集成驱动放大器的低变频损耗混频器设计

采用0.5μm GaAs工艺设计并制造了一款单片集成驱动放大器的低变频损耗混频器.电路主要包括混频部分、巴伦和驱动放大器3个模块.混频器的射频(RF)、本振(LO)频率为4～7 GHz,中频(IF)带宽为DC～2.5 GHz,芯片变频损耗小于7 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,本振到中频隔离度大于27 dB.1 dB压缩点输入功率大于11 dBm,输入三阶交调点大于20 dBm.该混频器单片集成一款驱动放大器,解决了无源混频器要求大本振功率的问题,变频功能由串联二极管环实现,巴伦采用螺旋式结构,在实现超低变频损耗和良好隔离度的同时,保持了较小的芯片面积.整体芯片面积为1.1 mm×1.2 mm.     

应用梁式引线管的Ka波段集成鳍线平衡混频器

本文介绍了两种Ka波段集成鳍线平衡混频器的设计与性能，混频器均使用廉价的梁式引线混频二极管，介质材料采用国产的仿RT－Duroid 5880 ,，经测试两种混频器包括中放在内的DSB噪声系数分别为5．0dB和5.3dB。本振射频隔离度均优于20dB，测试中频频率为70MHZ。     

Ku频段谐波混频器的研制

叙述了一种可用于Ku频段微波接收机的谐波混频器的原理、设计、仿真及实验结果.该混频器主要由Lange耦合器、输入、输出滤波器以及匹配网络等部分组成.实验结果表明,在14.00～14.25GHz的频率范围内变频损耗的实测曲线与仿真曲线基本吻合,带内幅度平坦度优于1dB,驻波比小于2.     

W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计

基于自主研发GaAs肖特基二极管（SBD）设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频（RF）信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80~89 GHz与91~100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB;1 dB压缩功率大于11 dBm。仿真结果显示,80~89 GHz与91~100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 dB。相比于W频段GaAs pHEMT（赝晶型高电子迁移率晶体管）混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1 mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。     

Ka频段宽带镜频抑制谐波混频器的设计

介绍了一种在Ka频段具有镜频抑制功能的四次谐波混合集成电路混频器的设计与实现.该混频器主要采用微带混合集成电路,由薄膜陶瓷基片制作.经测试,当中频固定在70 MHz,在射频大于4 GHz带宽内,变频损耗小于11.2 dB,镜频抑制度大于20 dB.     

双平衡混频器在电视发射机混频电路中的应用

随着我国广播电视事业的发展，电视发射设备已经多次更新换代。电视发射机混频电路不断更新、不断采用新器件。国内外电视发射机生产厂家都投人了相当的力量研制、设计出新的电路，从而使电视发射机电路较为简练。而双平衡混频器在新的一代电视发射机混频电路中的应用，明显地表现出了新一代电视发射产品的技术特点。往往新技术、新器件的应用，都需要一个理解、消化的过程，再加上电视发射机生产厂家，在产品技术说明中对其技术特性也没有更多的说明，就会给用户在维修设备时带来困难。我们结合实际维修中的情况，查阅有关技术资料，介绍给…     

Ka频段GaAs单片平衡混频器

报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质为保护膜，增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为：２ｍｍ×３ｍｍ×０．２ｍｍ，在ｆ＝３１～３６ＧＨＺ范围内ＮＦＳＳＢ≤１０ｄＢ，最佳点ｆ＝３２．２ＧＨｚＮＦ．ＳＳＢ＝８．７ｄＢ［ｆＩＦ＝１．２ＧＨｚ］。     

混频二极管及其应用

介绍混频二极管的电特性（正向特性，向反特性和结电容）和应用。     

集成基站混频器本振噪声的规格与测量

定义并评估集成混频器本振噪声的劣化能够帮助系统设计人员计算接收机灵敏度的降低 蜂窝基站接收机需要在有较高阻塞／干扰信号的情况下接收天线端微弱的有用信号。干扰信号通常会被滤波器滤除,但滤波是在第二级下变频后的中频（IF）阶段进行的。因此,中频滤波器之前的LNA与混频器必须具有较高的线性度（IIP3）和低噪声系数（NF）。