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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 69 毫秒
1.
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CNN细胞单元的硬件结构原理,给出了三种基于SET的CNN硬件电路具体实现方法:一是基于SET的库仑振荡特性和CMOS数字电路的设计思想方法;二是根据细胞单元的等效结构分块实现方法;三是基于SET阵列的传输特性实现CNN方法,并重点阐述了后两种SET的CNN实现方法,分析了它们的优缺点。  相似文献   

2.
单电子晶体管放大器的数值分析   总被引:3,自引:2,他引:3  
沈波  蒋建飞 《半导体学报》1997,18(8):626-630
本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型,研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性.结果表明:单电子晶体管放大器具有灵敏度高,功耗低等优点,缺点是由于几率工作,工作条件受到严格的限制.  相似文献   

3.
纳米器件与单电子晶体管所谓纳米科技是指在纳米尺度(0.1一100nm)范围内研究物质(包括原子、分子的操纵和安排)的特性和相互作用以及如何利用这些特性和相互作用的具有多学科交叉性质的科学和技术。国际纳米科学与技术常设委员会将纳米科技分成6个主要部分,纳米电子学、纳米物理学、纳米化学、纳米生物学、纳米机械学和纳米表征测量学。纳米电子学被列为其首要部分是因为它与当前在科技和生产中起重要作用的微电子有密切关系。美国制定的《国家纳米技术战略》以纳米电子学为主攻方向。纳米电子学  相似文献   

4.
单电子晶体管研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章介绍了单电子晶体管的产生背景、工作原理、最新的制备工艺、计算机数值模拟和存在的问题,并对其应用前景进行了展望。  相似文献   

5.
一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计   总被引:4,自引:0,他引:4  
孙铁署  蔡理   《电子器件》2005,28(2):366-369
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SKT构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P—SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短,仅为0.24ns。SPICE宏模型仿真结果验证了它的正确性。  相似文献   

6.
基于单电子晶体管的I-V特性,运用CMOS动态电路的设计思想,提出了一种基于单电子晶体管的全加器动态电路,利用SPICE对设计的电路进行了仿真验证,分析了电荷分享问题.相对于静态互补逻辑电路的设计方法,基于单电子晶体管的动态逻辑电路不仅克服了单电子晶体管固有的电压增益低的缺点,而且器件数目也大幅减少.多栅SET的使用可以减少电荷分享问题对动态电路的影响.  相似文献   

7.
杜磊  孙承永 《电子科技》1996,(4):46-49,53
文中概述了单电子晶体管电导振荡的特点并进行了理论解释,进而讨论了介观电容及电容谱的概念。  相似文献   

8.
在简单介绍了单电子晶体管 (SET)的工作原理后 ,综述了 SET在制造和应用方面的研究进展。  相似文献   

9.
我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的栅对源漏极电流的控制能力(跨导),利用单电子晶体管的集成方法,建立了对电荷超敏感的探测技术(包括超敏感的库尔计),实现了单电子存储器中的单电子过程的探测,并设计了一种新型的多值存储器。  相似文献   

10.
研究了单电子晶体管的特性,文章提出一种基于单电子晶体管阵列的传输特性实现CNN方法,设计构成CNN。仿真结果表明,所设计的硬件电路具有结构简单、功耗低、频率特性好.将其应用于图像处理具有一定的灵活性和通用性。  相似文献   

11.
纳米器件与单电子晶体管   总被引:3,自引:2,他引:3  
报道了一种非常重要的纳米器件———单电子晶体管,介绍了它的原理、基本特性、制备方法及其集成,着重分析讨论了两种新型的单电子晶体管即波导型单电子晶体管和点接触栅型单电子晶体管。  相似文献   

12.
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和二叉判别图数字电路的设计思想,改进了二叉判别图(BDD))单元,得到了一类基本逻辑门电路,进而提出了一种由11个BDD)单元即22个SET构成的全加器电路单元。SPICE宏模型仿真结果验证了设计的正确性。  相似文献   

13.
F.A.P.Tooley等人曾用一块ZnSe干涉滤光片作光双稳器件构成了单门光学全加器,由于是用一个光双稳器件构成全加器,双稳器件的反射光和透射光都得到了应用,所以结构简单,但因信号输入采用斜入射方式,故不利于集成和级联。本文实验中,信号的输入采用正入射方式,故这种方案具有结构简单,便于集成和级联的双重优点。实验装置如图1所示。图中:Ar~+——氩离子激光,波长丸=514.5nm;M——光强调制器;A——光强衰减器;P——  相似文献   

14.
Measurements about the frequency and time domain characteristics of two “multi-rate” filter banks: a pure DFT, realized by an FFT processor, and a combination of a special polyphase network with the FFT are reported on. The theoretical comparison and the hardware of both systems were described in a previous paper [1]; this contribution details the measuring arrangement and equipment. Applications are demonstrated, using not only well defined test sequences, but also “real world” signals. Modifications, necessary for possible ameliorations or other applications, are addressed.  相似文献   

15.
In many of the applications envisioned for organic thin-film transistors (TFTs), the electrical power will be supplied by small batteries or energy harvesters, which implies that it will be beneficial if the TFTs can be operated with voltages of 1 V or even below 1 V. At the same time, the TFTs should have large on/off current ratios, especially for applications in digital circuits and active matrices. Here we demonstrate p-channel and n-channel organic TFTs fabricated on a flexible plastic substrate that have a turn-on voltage of exactly 0 V, a subthreshold slope of 100 mV/decade, and an on/off current ratio of 2 × 105 when operated with gate-source voltages between 0 and 0.7 V. Complementary inverters fabricated using these TFTs have a small-signal gain of 90 and a minimum noise margin of 79% at a supply voltage of 0.7 V. Complementary ring oscillators can be operated with supply voltages as small as 0.4 V.  相似文献   

16.
潘文光  马成炎  甘业兵  叶甜春 《半导体学报》2010,31(9):095006-095006-5
The design of a digitally-tunable sixth-order reconfigurable OTA-C filter in a 0.18-μm RFCMOS process is proposed.The filter can be configured as a complex band pass filter or two real low pass filters.An improved digital automatic frequency tuning scheme based on the voltage controlled oscillator technique is adopted to compensate for process variations.An extended tuning range(above 8:1) is obtained by using widely continuously tunable transconductors based on digital techniques.In the complex band pas...  相似文献   

17.
The design of a digitally-tunable sixth-order reconfigurable OTA-C filter in a 0.18-μ m RFCMOS process is proposed. The filter can be configured as a complex band pass filter or two real low pass filters. An improved digital automatic frequency tuning scheme based on the voltage controlled oscillator technique is adopted to compensate for process variations. An extended tuning range (above 8:1) is obtained by using widely continuously tunable transconductors based on digital techniques. In the complex band pass mode, the bandwidth can be tuned from 3 to 24 MHz and the center frequency from 3 to 16 MHz.  相似文献   

18.
An approach to implement wave digital filter is presented. The implementation method is applicable to wave digital filters containing only 3-ports adaptors, connected with reflection-free ports. All arithmetic operations are performed in a special arithmetic unit. Main features are the fact that the arithmetic units are effectively utilized, and that only a few memories of standard type are needed.  相似文献   

19.
单片机数据采集系统在单片机自动测量、自动控制等领域具有广泛的应用,在数据采集环境,不可避免地将要产生各种各样的干扰和破坏,造成信号突变或中断,进而影响采集数据的正确性和精确性,造成控制错误等严重后果。因此研究单片机采集系统的抗干扰技术,是单片机应用技术的重要一环。文中采用数字滤波实现单片机的抗干扰技术,结合使用多种滤波算法,达到既消除高频干扰,又避免脉冲干扰的目的。  相似文献   

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