三阶1-1-1级联Σ-Δ调制器的设计及仿真

采用MASH结构,设计了一款三阶(1-1-1)级联Σ-Δ调制器;讨论了各个模块的增益系数,设计了数字校正电路,并运用Matlab/Simulink对调制器进行了行为级仿真.当输入信号带宽为20 kHz,过采样比为64时,仿真模型得到87.7 dB的信噪比,精度为14.28位.与其他结构的调制器相比,该调制器更加稳定,动态范围更大,可应用于处理音频信号的A/D转换器.     

一种满摆幅输入的高精度Σ-Δ调制器设计

针对高精度 Σ-Δ 调制器因采用高阶或者级联结构而存在满摆幅输入条件下积分器容易过载以及电路复杂度较高的问题,利用Matlab设计了一种满摆幅输入的高精度 Σ-Δ 调制器。采用描述调制器时域模型的方法,使用代码自动综合出满足要求的调制器系数。该调制器电路采用Tower Jazz 0.18 μm CMOS工艺进行设计与仿真,结果表明,带宽内的信噪失真比达到105.5 dB,有效位数为17.2位,版图面积为0.4 mm2,在5 V电源电压下功耗为1.2 mW。该调制器可用于对任意输入信号幅度的低频微弱信号进行精确检测的传感器信号采集电路中。     

一种用于带通Σ-Δ调制器的25MHz低功耗开关电容谐振器

介绍了一种运用于带通Σ-Δ调制器的谐振频率为25MHz的低功耗开关电容DD谐振器电路.电路采用了运算放大器共享技术和双采样技术,同时对单元电路进行优化,达到功耗最小化.该谐振器电路采用SMIC 0.25μm混合信号CMOS工艺进行设计,整个电路模块面积仅为0.09mm2.测试结果表明,使用该谐振器电路的带通Σ-Δ调制器工作于100MHz采样频率时,对于信号带宽为1kHz的输入信号,调制器的输出在谐振频率处SFDR约为77dB.整个谐振器功耗为10.5mW.     

一种完全前馈式单环多位Σ-Δ调制器

采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一款可用于UHF RFID阅读器芯片接收链路的Σ-Δ调制器。该调制器采用单环3阶4位量化结构,由开关电容电路实现。在过采样率为16的情况下,调制器能够处理大于-2 dBFS的输入信号,在1.5 MHz信号带宽内,达到12位以上的有效分辨率。整个调制器在3.3 V工作电压下消耗5 mA电流。     

基于无源RC网络的二阶连续时间低通∑△调制器

本文给出了一种基于无源RC网络的二阶连续时间低通∑△调制器结构.这种调制器电路结构简单而且能够不受运算放大器性能的限制,并且能够达到不错的性能.本文分别给出了系统级和电路级的仿真结果,电路用TSMC 0.18CMOS工艺实现,在1.8V供电电压下,采样时钟为1GHz,输入信号带宽为5 MHz,最高SNDR为48.9949dB.     

应用于无线传感网络 SOC的低功耗∑△调制器

提出了一种应用于无线传感网络 SOC过采样率（OSR）为128的单环三阶单比特量化∑△调制器．通过采用新型前馈结构,降低了系统对运算放大器性能的要求;通过采用新颖的两级Class A/AB运算放大器实现积分器电路,有效降低了电路的功耗;为了进一步降低电路功耗,对调制器中的第二级、第三级运放进行了缩放．该调制器采用华虹0．18μm CMOS工艺,输入信号带宽为8 kHz ,工作电压1．8V ．后仿真结果表明：在输入信号频率为5 kHz、采样时钟为2．048 M Hz时,调制器的信噪比（SNR）达到96dB ,整个调制器的功耗仅为180μW ,芯片总面积为0．51 mm2．     

低电压Σ-Δ调制器关键技术及设计实例

介绍了低电压开关电容Σ-Δ调制器的实现难点及解决方案,并设计了一种1 V工作电压的Σ-Δ调制器.在0.18 μm CMOS工艺下,该Σ-Δ调制器采样频率为6.25 MHz,过采样比为156,信号带宽为20 kHz;在输入信号为5.149 kHz时,仿真得到Σ-Δ调制器的峰值信号噪声失真比达到102 dB,功耗约为5 mW.     

84dB动态范围13b/400kHz/3V/5.88mW ΣΔ模数转换器

介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度ΣΔ调制器. 为了达到高线性和稳定性,调制器采用2-1级联单比特的结构实现. 电路在0.18μm CMOS工艺下流片验证,核心面积为0.5mm×1.1mm. 调制器工作在19.2MHz的采样频率,在3V电源电压下功耗为5.88mW. 测试结果表明,在200kHz信号带宽,过采样率为64的条件下,调制器达到84.4dB动态范围,峰值SNDR达到73.8dB,峰值SNR达到80dB.     

22?Bit三阶Cascaded结构Sigma?Delta 调制器设计

设计一款可用于称重传感器ADC的高精度2?1级联结构Sigma?Delta调制器。在考虑非理想因素的前提下,采用Matlab/Simulink数学建模和仿真表明,在信号带宽为20 Hz,过采样率为1024的情况下,该调制器的信噪比为170.7 dB。采用Charter 0.35μm工艺对该调制器进行电路级设计并用Spectre仿真,电路信噪比为144.8 dB,该结果高于22位要求的135 dB。     

84dB动态范围13b/400kHz/3V/5.88mW∑△模数转换器

介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.为了达到高线性和稳定性,调制器采用2-1级联单比特的结构实现.电路在0.18μm CMOS工艺下流片验证,核心面积为0.5mm×1.1mm.调制器工作在19.2MHz的采样频率,在3V电源电压下功耗为5.88mW.测试结果表明,在200kHz信号带宽,过采样率为64的条件下,调制器达到84.4dB动态范围,峰值SNDR达到73.8dB,峰值SNR达到80dB.