Sol-Gel法制备全组分高温PTC陶瓷材料

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备全组分高温ＰＴＣ陶瓷材料，与常规固相反应法相比，对于相同配方和烧结工艺，可明显降低高温ＰＴＣ陶瓷材料的电阻率，同时具有良好的ＰＴＣ效应     

通讯设备保护用低阻PTC元件的研制

介绍了通讯设备过流保护用低阻ＰＴＣ元件的研究过程, 发现ＴｉＯ２ 粒度、工艺参数、金属电极以及封装形式对低阻ＰＴＣ元件的电性能有较大影响。通过对以上因素进行综合优化调整,妥善解决了低阻系列ＰＴＣ产品的细晶化与低阻值之间的矛盾, 制得了满足厂家要求的ＰＴＣ产品。     

施主半导化BaTiO3 PTC陶瓷的电压效应

利用敏感半导体陶瓷的显微物理模型，研究了ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ陶瓷材料的电压效应。结果表明，ＰＴＣ陶瓷材料的电压系数与施主浓度、表面态密度、晶粒尺寸和晶粒尺寸分布等有关。这些结果与已有实验结果相符，它们为ＰＴＣ陶瓷电压效应的设计与测量提供了理论基础。     

施主半导化BaTiO3PTC陶瓷耐压特性

本文利用敏感半导体陶瓷的显微物理模型，计算了ＢａＴｉＯ＿３基ＰＴＣ陶瓷材料的耐压特性。结果表明，ＰＴＣ陶瓷材料的耐压性能与施主浓度、表面态密度、颗粒尺寸和颗粒尺寸分布及散热条件等有关。这些结果与已有实验结果相符，它们为ＰＴＣ陶瓷耐压设计与测量提供了理论基础。     

独石结构PTC陶瓷材料与器件的研究

独石结构ＰＴＣ陶瓷材料与器件的研究在国内外还很少报道。文章研究了ＢａＴｉＯ３基陶瓷、聚合物／Ｖ２Ｏ３，和聚合物／Ｃ复合材料等三种材料的多层独石结构及其阻温特性和静态伏安特性。研究表明，ＰＴＣ材料独石结构能明显地降低室温电阻和使用电压，作为低压电器的控制器件有重要的应用前景。     

T_C≥400°C高温PTC陶瓷的研制

利用国产原料，采用传统的陶瓷材料制备工艺，研制了居里温度ＴＣ≥４００°Ｃ的高温ＰＴＣ陶瓷，制成了居里温度ＴＣ＝４１２°Ｃ，电阻Ｒ≤１０３Ω，ｌｇ（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）＝４的高性能ＰＴＣ热敏陶瓷材料     

高T_C低电阻率PTCR陶瓷材料

研究了在制备高ＴＣ低电阻率ＰＴＣＲ陶瓷材料过程中，原材料、少量添加物以及主要生产工艺对电性能的影响规律。经反复试产表明，在隧道窑可以大规模生产出居里点ＴＣ＝１８０～２７０℃、室温电阻率ρ２５＜８０Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１４％℃－１、升阻比Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ为１０４的高性能ＰＴＣＲ陶瓷材料。此种材料制成高温发热元件能在６～２４Ｖ电压下使用，开拓了ＰＴＣＲ材料新的应用领域。     

低电阻率PTC陶瓷及限流保安器的研究

采用Ｓｂ（３＋）、Ｎｂ（５＋）双施主掺杂并添加ＡＳＴＬ玻璃料，研制出限流保安器用的ＢａＴｉＯ３基低电阻率ＰＴＣ陶瓷材料。探讨了施主杂质、受主杂质等微量元素及玻璃料对ＰＴＣ陶瓷性能的影响。应用上述ＰＴＣ陶瓷制作出开关温度Ｔｂ＝１２０℃的限流保安器。     

Tc≥400℃高温PTC陶瓷的研制

利用国产原料，采用传统的陶瓷材料制备工艺，研制了居里温度Ｔｃ≥４００℃的高温ＰＴＣ陶瓷，制成了居里温度Ｔｃ＝４１２℃，电阻Ｒ≤１０＾３Ω，ｌｇ（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）＝４的高性能ＰＴＣ热敏陶瓷材料。     

添加碳对BaTiO_3 PTC陶瓷之影响

在ＢａＴｉＯ_３ＰＴＣ粉体中添加碳粉，可制成多孔性的陶瓷材料，同时对材料的ＰＴＣ特性及批量生产的重现性有明显改进。     

试析炭黑填充物基PTC导电复合材料的研究进展及展望

本文基于炭黑填充物基PTC导电复合材料的研究进展进行分析,分析了影响复合材料PTC效应的相关影响因素,具体阐述了消除NTC效应的主要方法,并对炭黑填充物基PTC导电复合材料的未来发展进行了展望,希望能以此推动PTC导电复合材料在各个领域中的进一步应用.     

提高PTC元件温度系数的研究

研究了材料组成、工艺参数及电压效应对ＰＴＣ启动元件温度系数αＴ的影响，发现材料组成、工艺参数以及ＴｉＯ２原料的晶型结构对αＴ均有较大影响。今后研制高性能启动元件所要解决的关键问题是进一步提高材料在整个ＰＴＣ区域内的平均温度系数。     

聚合物基复合材料的PTC效应机理初探

本文就复合材料的ＰＴＣ效应及影响因素进行了系统试验，并着重对聚合物基复合材料ＰＴＣ效应的渗滤－隧道机制及导电粒子链的作用进行了讨论，为优化复合ＰＴＣ材料物理性能和材料设计提供了依据。     

金属PTC陶瓷复合材料结构及其导电机理

研究了金属ＰＴＣ陶瓷复合材料的电学性能和其材料组分。结果表明，掺入金属的ＰＴＣ陶瓷材料经氮气中烧结，然后在空气中进行热处理，材料表面形成高势垒层，金属ＰＴＣ陶瓷复合材料的室温电阻较ＰＴＣ的陶瓷高。样品之中存在大量不同类型的极化，在低温时样品电阻较高，温度增加后，大量各种类型离子极化出现，在变价金属铁的变价导电作用下，削弱表面势垒，使金属ＰＴＣ陶瓷复合材料电阻降低，表现出ＮＴＣ现象。在电场作用下，正负电荷、晶粒畸变和空位缺陷等产生空间电荷极化使金属ＰＴＣ陶瓷复合材料有较高介电常数。介电损耗（ｔｇδ）频谱和介电δ温度谱上都出现一个介电峰，其主要原因是跃迁极化，金属阳离子由一个位置跃迁到另一个位置，在介电损耗所对应的频率和温度时出现跃迁极化率最大     

Study on Low Resistance PTC Ceramic Material

The low resistance PTC ceramic thermistor material with excellent eleectrical properties are successfully fabricated by raw materials at industrial range made in our country on the study of its composition expression and fabrication process by using the addition of Nb,La,Y,Ta,microstructure regulator BN and ASTL phase.The composition and its fabrication method are studied.The relation of electrical properties of the PTC ceramic metaerial to its composition expression and its related electrical properties are discussed.     

高纯超细BaTiO_3基PTCR陶瓷

水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体具有超细、高纯等特点，从而能够使ＰＴＣＲ热敏电阻器的制备工艺相对简化，并有利于获得较好性能的ＰＴＣＲ电阻器。本文采用水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体制备ＰＴＣＲ陶瓷。研究了不同添加剂对材料性能及微观结构的影响。     

PTC陶瓷用钛酸钡粉体材料的质量要求──《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》评述

根据我国最近制定的《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》规定的钛酸钡粉体材料预定用途和理化性能指标，评述了各类质量等级的钛酸钡粉体材料在ＰＴＣ陶瓷方面的应用范围，解释了某些理化性能指标在ＰＴＣ陶瓷配方设计和工艺中的实用意义。     

纳米Al_2O_3对PTC材料性能的影响

将纳米Al2O3引入半导化钛酸钡的材料中,着重研究了纳米Al2O3对其烧成温度、材料性能以及显微结构的影响。实验表明,与普通Al2O3相比,纳米Al2O3能显著提高PTC陶瓷的性能:温度系数增大60%,常温电阻降低20%,耐压增大13%,升阻比增大近1个数量级。并对纳米Al2O3增强PTC效应机理进行了探讨。     

电极对PTC热敏电阻老化性能的影响

为探究电极因素对PTC热敏电阻老化性能的影响,分别对烧渗Al电极,烧渗Ag-Zn电极和烧渗Ni电极等三种类型的PTC热敏电阻元件进行了老化试验。结果显示:烧渗Ag-Zn电极的元件有较好的老化性能,阻值变化率?R/R≈–4%,电流冲击失效率≈0。从材料热力学和电极的电化学两方面,对该老化特性进行了分析,表明材料热膨胀失配和电极电化学不稳定性,是电极影响元件老化性能的两大因素。     

PTC消磁热敏电阻器生产过程中的质量控制

提出了ＰＴＣ消磁热敏电阻器生产过程中的几个关键质量控制点，主要包括原料控制、造粒压片控制、烧结工艺控制、电极控制等四方面。通过控制关键质量点保证较高的成品合格率。