预烧温度对高磁导率NiCuZn铁氧体性能的影响

为从工艺上进一步提高高磁导率NiCuZn铁氧体材料的综合性能,研究了预烧工艺对该类材料主要电磁性能的影响.结果表明,适宜的预烧温度可较大程度地提升材料的起始磁导率,且品质因数及频率特性也能得到改善,而过高或过低的预烧温度都会对材料的起始磁导率及品质因数造成不良影响.不同预烧温度引起粉料活性及收缩率的差异是其影响材料电磁性能的主要原因.     

TN230B高磁导率NiCuZn铁氧体材料的开发

介绍了一种高磁导率(μi=2300)、高Bs、高居里温度NiCuZn铁氧体TN230B材料的制备方法及生产过程.研究表明,引入适量的CuO可大大改善材料的电磁性能;通过对原材料的选择,严格控制主配方和制备工艺可获得优良的材料性能.     

缺铁量对氧化物法低温烧结NiCuZn铁氧体电磁性能的影响

用固相反应法(氧化物法)制备了成分为Ni1-a-xZnxCuaFe2-δO4(0.15≤a＜0.25,0.1≤x≤0.65)的铁氧体超细粉.实验表明平均粒度随球磨时间的延长而减小,钢球和ZrO2球的球磨效果很相近.球磨粉料的平均粒度＜0.2μm.给出了烧结样品的起始磁导率μi和Q值与缺铁量的关系.研究了缺铁量对材料磁导率频率特性和居里温度的影响.获得了良好低温烧结NiCuZn电磁性能:在860～880 ℃的烧结温度下,μi＞835(1±10%),Q值＞145,比温度系数α＜1×10-6/℃,居里温度TC:125℃,电阻率ρ＞1012Ω·cm,比损耗因子tgδ/μ＜8.4×10-6,Bi2O3添加量仅为0.25mol%.     

氧化物法NiCuZn铁氧体的低温烧结特性、磁导率及显微结构

用固相反应法(氧化物法)制备了成分为Ni1-a-xZnxCuaFe2-(O4(0.15≤a＜0.25,0.1≤x≤0.65)的 NiCuZn铁氧体超细粉.研究了材料的烧结特性,给出了烧结样品的起始磁导率μi、品质因数Q、表观密度d、预烧、烧结收缩率η等随烧结温度的变化.由收缩率、相对比饱和磁化强度σsp/σs的烧结温度曲线讨论了致密化过程与固相反应的关系.由烧结样品形貌分析SEM照片讨论了起始磁导率与晶粒尺寸等显微结构因素的关系,以及细晶粒和异常晶粒的生长过程.获得了在870±10℃烧结温度下μi＞835±10%、Q＞140、比温度系数α＜1×10-6/℃、居里温度TC＝130℃、电阻率ρ＞1012Ω·cm、比损耗因子tgδ/μ＜8.4×10-6的良好性能.其μQ=12.3×104,是Sol-Gel法的2倍.     

应用于近场通信的高磁导率NiCuZn铁氧体材料

针对近场通信(NFC)应用,通过改变材料中的Bi2O3含量和二磨后粉体活性,开发了一种高性能的Ni Cu Zn铁氧体材料。使用流延法制备长宽为125×125mm、厚度为100μm的铁氧体薄片。观察、测试了铁氧体材料的微观形貌、磁导率频谱以及铁氧体薄片的可读写距离。结果表明,铁氧体薄片的使用性能与铁氧体材料在13.56MHz时磁导率实部μ'、虚部μ"的值有关。通过改变材料中Bi2O3含量以及二磨后粉体活性,可获得致密度高、晶粒细小均匀,低频下μ'较高、μ"较低的铁氧体材料。在13.56MHz时磁导率实部μ'高于150,虚部μ"低于5。插入该铁氧体薄片后RFID天线紧贴金属的情况下可读写距离可以恢复到原始读写距离的80%。     

Cu含量对NiCuZn铁氧体材料电磁性能的影响

研究了Cu含量对NiCuZn(μi=1200)铁氧体材料磁导率和功耗Pcv的影响,并采用高纯度的原材料,严格控制主配方和生产工艺,制备出了高性能的NiCuZn铁氧体材料。实验表明,在6~8mol%的范围内,随着Cu含量的降低,磁导率略有上升;饱和磁通密度Bs逐渐增大,功耗Pcv显著降低。     

低温烧结高磁导率高直流叠加NiCuZn铁氧体材料

以NiCuZn材料为基础,改进传统的制粉工艺,制备出超细铁氧体粉料。添加V_2O_5,MoO_3,Bi_2O_3等组合助熔剂,实现了材料的低温烧结和高磁导率。在此基础上采用流延工艺制备出生磁膜带,在900℃烧结,研究了不同添加剂在烧结过程中的析出物状况,找到了既能实现材料高磁导率、又在烧结后没有析出物的组合添加剂。通过离子取代和晶粒细化获得了低损耗,并使材料满足了抗直流叠加的要求。分析了掺杂对材料损耗、直流叠加特性的作用机理。研究工作为开发此类高频、低功耗、高直流叠加材料提供参考。     

添加Bi_2O_3与玻璃对NiCuZn铁氧体磁导率及其温度特性的影响

采用传统陶瓷工艺制备了NiCuZn铁氧体材料,研究了添加Bi2O3、玻璃对NiCuZn铁氧体材料的磁导率及其温度稳定性和居里温度的影响。研究表明,单独添加Bi2O3时,随着Bi2O3添加量的增加,磁导率先升后降,磁导率的温度系数αμ呈负值且绝对值增大,居里温度TC几乎不变;复合添加等量Bi2O3和玻璃时,磁导率下降,随温度的变化不明显,居里温度TC随添加量增大而先升后降,但添加后的TC均高于不添加的。适量添加Bi2O3、玻璃可以改善材料的温度稳定性。     

助烧剂对NiCuZn铁氧体直流叠加特性的影响

采用固相反应法制备了NiCuZn铁氧体,研究了晶粒尺寸和添加玻璃对材料直流叠加性能的影响。结果表明,单独添加Bi2O3时,在一定范围内,晶粒尺寸越大,材料的直流叠加特性越差。单独添加玻璃时,助烧效果较差,烧结温度较高,晶粒之间浸润性也较差。复合添加玻璃和Bi2O3能较好的抑制晶粒的生长并且获得了较好的直流叠加性能,材料的磁导率也能保持在一定范围内。     

SBNK玻璃掺杂对NiCuZn铁氧体材料稳定性的影响

采用传统的固相反应法制备NiCuZn铁氧体材料,通过添加不同含量的SiO2-B2O3-Na2CO3-K2CO3(SBNK)玻璃体系以及2.5 wt％的Bi2O3和0.2 wt％的Co2O3,研究了SBNK掺杂量对材料烧结密度、微观结构以及电磁性能的影响.研究表明,合适的掺杂量可减少材料气孔率和细化晶粒尺寸,同时磁导率有...     

高性能低温烧结NiCuZn材料ZL500的开发

介绍了一种应用于MHz下的高磁导率(μi=500)、高Q值(在1MHz下超过120)、低烧结温度(880℃)NiCuZn材料的开发。研究表明,引入适量的CuO并掺杂适量的V2O5和Co2O3可以促进晶粒的生长,从而降低烧结温度,并且可以获得高Q值;通过对原材料的选择,严格控制主配方和制备工艺获得了优良的材料性能。     

多层片式电感器用NiCuZn铁氧体的低温烧结

利用Ｂｉ２Ｏ３作为烧结促进剂实现了ＮｉＣｕＺｎ铁氧体在９００℃以下烧结,利用ＴＧ、ＤＴＡ、ＤＤＴＡ等分析手段研究Ｂｉ２Ｏ３的低温烧结机理,交确定最佳烧结温度范围在８４０－９００℃之间,Ｘ线分析结果表明,加入Ｂｉ２Ｏ３后生成另相化合物Ｂｉ３６Ｆｅ２Ｏ５７。烧结后和量Ｆｅ的固溶有助于稳定高温γ－Ｂｉ２Ｏ３相的立方结构,避免了冷却过程中的晶型转变。Ｂｉ３６Ｆｅ２Ｏ５７另相的存在能有效地阻止晶粒长大,从而     

较高磁导率高饱和磁通密度HN120B NiCuZn材料的研制

根据平板显示器对软磁铁氧体材料性能的要求,通过优化配方组成,采用TiO2-V2O5、Bi2O3等复合添加剂,针对不同原材料粉体采取的不同工艺处理技术,研制了在常温下起始磁导率(μi)为1200、饱和磁通密度(Bs)大于360mT、居里温度(TC)高于160℃以及具有较高电阻率的NiCuZn铁氧体材料,并已实现小批量生产.     

Sol-Gel法NiCuZn铁氧体的磁导率、烧结特性及晶粒生长

用溶胶-凝胶法制备了Ni1-a-xZnxCuaFe2O4(0.15≤a<0.25,0.1≤x≤0.65)铁氧体超细粉。研究了材料的烧结特性,给出了烧结样品的起始磁导率μi、表观密度d、收缩率η、比饱和磁化强度σs等随烧结温度的变化。由烧结样品形貌分析SEM照片讨论了起始磁导率与晶粒尺寸等显微结构因素的关系,以及细晶粒和异常晶粒的生长过程。获得了在880±20℃烧结温度下μi>1000的良好性能。     

NiCuZn铁氧体材料的应用与开发

近年来NiCuZn铁氧体材料在电子和通信领域的应用越来越广泛,对材料性能也提出了更高的要求.针对应用和市场需求,近年来我们对不同类型的NiCuZn铁氧体材料开展了系统研究.主要采用氧化物法研制了高磁导率NiCuZn铁氧体(NCN-H系列)、高Q值NiCuZn抗EMI材料(NCN-Q系列),采用Sol-Gel法制备了高磁导率纳米NiCuZn铁氧体材料.部分材料性能达到甚至超过了国外同类材料水平.本文概括介绍了所研制的这几类材料的性能.     

低温烧结NiCuZn铁氧体的软磁特性

用溶胶-凝胶法制备了NiCuZn铁氧体.给出了Ni0.75-xZnxCu0.25Fe2O4的磁导率频谱曲线及μi、fr、Ms、Hc、TC随Zn含量x的变化.获得了在860~875℃的烧结温度下(100kHz下)起始磁导率μi = 610~300、比损耗因子tanδ/μi=(1.1~4.6)×10-6,和在880℃下烧结μi > 1000的良好性能.