一种高精度过温保护电路的设计

基于UMC 0.25um BCD工艺,设计了一款高精度过温保护电路。通过基准电路中三极管的基极-发射极电压的负温度特性实现温度检测,调节电阻的比值产生迟滞温度量,避免了电路热振荡现象。经过HSPICE仿真验证,电路在温度130℃时,过温保护信号发生翻转,关断芯片,待温度降低到99℃时再次开启,具有31℃迟滞量。在电源电压变化时,过温保护电路的过温阈值和迟滞温度量偏差最大仅为0.24℃。     

一种高精度阈值可调过温保护电路的设计

设计了一种高精度阈值可调过温保护电路。该电路利用与温度无关的电压和一个具有负温度系数的电压相比较,实现温度的检测。通过基准分压得到高、低阈值电压可调的迟滞比较器,具有较高的精度。基于0.18μm BCD工艺模型,利用Hspice软件对电路进行仿真。仿真结果表明,在典型应用下,当温度高于150.5℃时,过温保护电路输出高电平,关断电路;当温度低于130.5℃时,电路重新开启,具有20℃迟滞量。在3~5.5 V电源电压范围内,过温电压阈值和迟滞温度最大偏移量小于0.02℃。     

一种高精度过温保护电路的设计

设计了一种高精度的过温保护电路。利用晶体管基极和发射极的负温特性实现温度检测,通过将检测点电压和设定的电压相比较,检测是否过温。由于使用了一个高、低阈值可调的高精度滞回比较器,并且阈值电压点电压由与温度无关的带隙基准提供,因此实现较高的精度和可靠性。通过Cadence Spectre工具基于某公司0.35μm CMOS工艺进行了仿真验证。该设计具有20℃温度迟滞,热关断点为125℃,热开启点为105℃,在3~5.5 V的电压范围内,热关断点和热开启点温度最大漂移不超过0.4℃。     

投影机高精度过温保护电路的设计

基于UMC 0.25μm BiCMOS工艺,设计了一款投影机过温保护电路。利用三极管BE结电压的负温度特性实现温度的检测,与传统的过温保护电路不同,该保护电路巧妙地利用比较器的内部正反馈实现热滞回,提高了迟滞的精确度。HSPICE仿真结果表明,该电路能很好地抑制电源电压变化造成的热关断和迟滞阈值点的漂移,性能稳定、可靠。电路能在温度过高时准确地将系统关断,达到保护光源和液晶板的目的,最大限度地保证了投影机的使用寿命。     

一种应用于LIN收发器的过温保护电路

基于CSMC (Central Semiconductor Manufacturing Corporation)0.5μm CMOS工艺设计一种应用于LIN收发器的过温保护电路.该电路包含比较器,并利用两种不同温度特性的电压作为比较器的输入电压.比较器的输出电压作为过温保护电路的输出信号.使用Cadence Spectre工具进行仿真,仿真结果表明,该电路热关断温度为160℃,热开启温度为120℃,具有40℃的热滞回区间.     

一种基于带隙比较器的过热保护电路

设计了一种基于带隙比较器的过热保护电路。该电路可用于功率集成电路和电源管理芯片中。采用0.6μmBiCMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,该电路对温度灵敏度高,关断和开启温度点受电源电压和工艺参数变化的影响很小。通过比较器的迟滞功能防止了热振荡现象的发生。     

带启动迟滞的大电流驱动高压基准电路

设计了一种具有大电流驱动能力的新型带启动迟滞的高压基准电路。该电路不仅极大地提高了传统基准电路的精度和稳定性,而且具有较大的电流驱动能力,可应用于双模式有源功率因数校正电路。采用UMC 0.6μm BCD工艺模型进行仿真,仿真结果显示,该电路所产生的基准电压精度为23 ppm/℃,且受电源电压和温度变化的影响很小。     

基于０.２５μｍＢＣＤ工艺的一种新型低温漂欠压保护电路

本文提出了一种结构简单并且具有低温度敏感性的新型欠压保护电路。该电路避免了传统欠压保护电路的基准电压产生模块和比较器模块,利用带隙基准结构和高阶温度补偿的方法减小阈值电压和迟滞电压随温度的变化量,提高了UVLO电路的独立性和可靠性。基于 0.25um BCD 工艺设计实现的新型欠压保护电路芯片面积为0.04mm2,功耗为0.14mW。在温度为25时,新型欠压保护电路的上升阈值8.625V,下降阈值8.145V,迟滞量为0.48V,能够满足电源管理芯片的应用要求。在-40~125温度变化范围内,该电路的阈值电压和迟滞电压的最大变化量分别为53 mV和 50 mV,具有低温度漂移特性。     

一种基于电流比较的新型过温保护电路

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,提出了一种改进的高精度、低功耗、具有迟滞功能且结构简单的过温保护电路。在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能。阐述了过温保护电路的工作原理,基于先锋国际半导体公司的BiCMOS0.5μm工艺库模型进行电路设计,采用Hspice软件并用先锋国际半导体公司的BiCMOS 0.5μm工艺库模型对该电路进行模拟仿真。仿真结果表明:当外界温度达到137℃时,过温保护电路输出发生翻转,从而关断芯片内的其他电路,降低功耗,使温度降低。当温度降到120℃时,芯片回到正常工作状态,温度迟滞量为17℃,性能稳定可靠。     

一种新型的高精度迟滞比较器

基于0.18 μm CMOS工艺,提出了一种补偿电流型高精度迟滞比较器。利用两个工作在线性区的MOS晶体管间的电流差产生一个补偿电流源,将补偿电流源应用于传统内部迟滞比较器中,对迟滞电压中工艺和温度的相关项进行补偿,以获得低温漂的高精度迟滞电压。仿真结果表明,该迟滞电压具有非常低的温度系数,当迟滞电压为149.94 mV、温度从-40 ℃变化至125 ℃时,迟滞电压仅变化1.3 mV,变化幅度仅为0.87%。     

集总参数电路与磁路、热路的关联性教学

本文采用类比和关联方法,拓展电路中集总参数思想。通过将磁路、热路中相应的物理量与电路中的电流、电势、电阻进行类比和关联,帮助学生理解集总参数模型思想,掌握各物理量的涵义。通过对具体用电设备电动机的简单建模分析,促使学生将集总参数模型在其它电、磁、热的分析中能够融会贯通,应用电路理论所学知识,建立合理的物理模型及分析解决问题。     

基于迟滞比较器的过热保护电路设计

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有迟滞比较器的过热保护电路。由于采用了折叠式运放,使得比较器输入范围更大,灵敏度和迟滞性能更好。利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明电源电压为4.5～7 V时,过温保护阈值变化量极小,表现出输出信号对电源的良好抑制。当温度超过130℃时,输出信号翻转,芯片停止工作;温度降低至90℃时,芯片恢复工作。此电路可以通过调整特定管子的尺寸而控制两个阈值电压的大小,从而避免热振荡的发生。     

一种新型过温保护电路

采用CSMC 0.5 μm工艺,设计了一种新型过温保护电路.从检测温度和控制温度两方面考虑,通过优化电路结构,提出一种新型系统解决方案.在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能.采用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,温度在-50～200℃时,PTAT电压以10.5 mV/℃变化,过温保护开启温度为105℃,具有滞迟功能.成功流片后对芯片进行测试,结果显示,在20～130 ℃内,PTAT电压灵敏度约为10 mV/℃,过温保护开启温度的实测值与仿真值的偏差小于3℃,滞迟范围为20℃.该保护电路是开关电源IP的重要组成部分,在设计过程中时刻考虑其工艺健壮性和可重用性的约束条件,确保其可移植性.     

地线短路电流及基于异温法的短路热稳定的计算

电力系统的运行经验表明,在各种类型的短路中,单相短路占比例较大.文中基于异温法,结合DL/T 2005《导体和电器选择设计技术规定》等相关规程规范,对龙开口～鲁地拉工程线路发生单相短路时,所选地线（OPGW）的热稳定性进行了计算,并根据计算结果对该工程地线选型提出了优化方案.     

电子电路的热设计

电子电路热设计是电路设计的重要环节.在阐述电路热设计的一般流程的基础上对电子元件进行了热分析,给出电路热设计的原则,并介绍应用Icepak软件对电路优化设计的方法.     

基于电流比较的过温保护电路设计

由于芯片集成度的提高,改善电路性能的同时也导致功率密度增加.为了防止芯片过热,保证芯片可靠、稳定的工作,设计了一款基于电流比较的新型过温保护电路.电路通过产生与绝对温度(正/负温度系数PTAT/CTAT)相关的电流并进行电流比较,输出包含温度信息的逻辑控制信号,实现对芯片工作状态的控制.对电路的工作原理进行了详细的分析和推导,并给出了电路中核心器件的参数设置.基于UMC 0.6 μm BiCMOS工艺进行了流片并对电路进行了测量,热关断、开启温度分别为125℃和114℃,具有1 1℃的温度滞回量;转换速率26.2 V/℃,具有高灵敏度、高精度的特点;当供电电压发生变化时,电路性能稳定,具有较好的应用前景.     

A Dynamic Thermal Management Circuit for System-On-Chip Designs

A novel fully integrated dynamic thermal management circuit for system-on-chip design is proposed. Instead of worst-case thermal management used in conventional systems, this design yields continual monitoring of thermal activity and reacts to specified conditions. With the above system, we are able to incorporate on-chip power/speed modulation and integrated multi-stage fan controllers, which allows us to achieve nominal power dissipation and ensure operation within specification. Both architecture and circuitry are optimized for modern system-on-chip designs. This design yields intricate control and optimal mangement with little system overhead and minimum hardware requirements, as well as provides the flexibility to support different thermal mangement algorithms.     

纳米材料和纳米技术在印制线路板基材中的应用前景（7）——提高纳米复合材料对基材耐热性

本文论述了提高印制线路板基材耐热性的一般原则和方法,指出纳米复合材料对基材耐热性有积极的影响。     

一种实现RS 422通信协议的接口电路

介绍了一种基于CMOS工艺的RS 422全工收发器芯片的工作原理及其电路与版图的设计。该芯片采用单电源5 V供电,输出驱动电流达27 mA,通信速率10 Mb/s。芯片内置的过温保护及ESD保护可保证芯片在恶劣工作条件下的稳定性。采用华润上华0.6μm CMOS工艺模型,对该电路进行了HSpice仿真,结果表明符合RS 422标准。     

A 220-MSample/s CMOS Sample-and-Hold Circuit Using Double-Sampling

In this paper a brief overview of the electro-thermal simulation based on the method of simultaneous iteration is given, through the example of the SISSI (Simulator for Integrated Structures by Simultaneous Iteration) package. The modular approach used for the layout-based electro-thermal netlist generation is described. This approach allows an easy implementation of package model libraries. The capabilities of SISSI are introduced by simulation examples where in most cases the results are compared to measurement results.