透射电子显微镜原位磁场双倾样品杆的研制

本文简述了透射电镜磁场双倾样品杆的设计方案,展示了Philips/FEI透射电镜磁场双倾样品杆的研制成果.利用该样品杆可以产生100 Oe的连续磁场,也可以产生140 Oe以上的瞬间磁场.通过“U”型磁组件和样品杯的巧妙设计,尽可能的减小了电子束在横向磁场中的偏移量.     

准原位透射电镜样品气体处理系统的研制及应用

环境气氛对材料结构与性能的影响是材料领域关注的重要问题。透射电子显微镜是研究材料微观组织结构的重要仪器,目前通过高成本改造电镜腔室可引入气体,但为保证电镜正常工作和仪器的分辨率,可通入气体种类少,腔室气体压力低;原位气氛样品杆操作难度高、安全系数低、耗材昂贵。本文针对上述问题,研制了一种可以直接插入透射电镜样品杆的气体处理系统及其应用,实现了易于从环境气氛实验向透射电镜观察迁移的准原位功能,它采用不锈钢材质加工而成的真空腔室,可通入更高气压、更多种类的气体,实现样品处理多样化,节省透射电镜使用机时,扩宽了对材料与气体相互作用的研究范围。     

FinFET芯片TEM样品制备及避免窗帘效应方法

制备高质量纳米尺度芯片透射电子显微镜(TEM)样品对于探索半导体器件结构设计、材料分布与芯片性能之间的关系具有重要的意义。使用聚焦离子束(FIB)/扫描电子显微镜(SEM)双束系统制备14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)截面TEM样品,制备过程中从技术角度提出了两种自下而上制样方案来抑制窗帘效应。为扩大样品的可表征视场范围,在避免样品弯曲的前提下,提出了一种薄片提取方法。结果表明,离子束流越大,窗帘效应越严重,自下而上方法能有效规避窗帘效应;离子束电压30 kV时采用清洗截面(CCS)模式、5 kV/2 kV时采用矩形模式,样品台倾斜补偿角度为1.5°～3.5°,进行交叉减薄,且最终铣削长度控制在1μm时减薄效果最好;新的薄片提取方法改变了样品的铣削方向,在避免窗帘效应破坏感兴趣结构和样品弯曲的前提下,将样品的可表征视场范围扩大了5倍。研究结果对优化TEM样品制备方法以及芯片失效分析提供了参考。     

IC及系统级保护功能 解决电源设计中的系统及元件可靠性问题

对于设计师而言,在新产品发布到之前,预测其现场可靠性是非常困难的.但一旦发生未预期的严重现场故障,则说明设计师的设计是失败的.然而,即使没有发生任何现场故障,仍需要回答以下问题:设计师是否对产品进行了余量设计?这需要采取一种有效的方法.以避免内建的产品可靠性所承担的成本代价,从而消除设计中不必要的猜测工作.