Be靶制备技术研究

介绍了Be靶制备的电阻加热法、滚轧法、静电振动法、离心沉淀法、聚集束溅射法等.结果显示:电阻加热和滚轧制备自支撑Be靶的厚度范围分别为20～970 μg/cm2和3.8～20 μm.     

几种特殊靶的制备方法

文章了几种特殊靶的制备，包括７０ｍｇ．ｃｍ＾－２的自支撑Ｂｉ靶、Ｍｏ封窗膜、１５－５０μｇ．ｃｍ＾－２的自撑Ｓｃ靶（ＣＤ２）ｎ靶和７０μｇ．ｃｍ＾－２的自支撑Ｃｏ靶。     

ICF分解实验中的平面调制靶和薄膜靶的研制

本工作研制了用于惯性约束聚变ICF分解实验模拟聚变靶丸表面粗糙度和驱动激光空间不均匀性对R—T不稳定性作用的平面调制靶和平面薄膜靶。以激光干涉法结合图形转移工艺获得波长20～100μm、振幅0．0～4．0μm的正弦调制图形的模板,再将调制图形转移至溴代聚苯乙烯薄膜表面,制备出ICF实验用溴代聚苯乙烯平面调制箔靶;以半导体工艺结合自截止腐蚀工艺制得厚度4μm左右的自支撑Si平面薄膜靶。Si膜的表面粗糙度为几十纳米。对所研制的两种靶型的参数进行了测量。     

二维正弦调制靶的图形转移研究

根据惯性约束聚变分解实验的要求,通过激光干涉法在光刻胶表面制备正弦起伏图形,结合电镀图形转移工艺,获得了波长20－100μm、振幅0．2－3．5μm的一系列Ni基图形转移模板,并进一步将正弦起伏图形转移到聚苯乙烯薄膜表面,制备出聚苯乙烯二维调制箔靶。研究了图形的精确转移工艺,特别是深振幅样品的脱模工艺,对工艺参数的优化进行了讨论。采用台阶仪和原子力显微镜监控图形转移过程,比较了光刻胶表面图形和一次、二次电镀转移图形以及转移到聚苯乙烯薄膜上图形的形貌,测定了图形转移过程中的深度变化。     

铁靶制备技术的研究

文章介绍Ｆｅ靶制备技术及其厚度测量方法。真空蒸发和滚轧法能获得自支撑靶的最小厚度分别为８０和５６０μｇ／ｃｍ＾２。Ｆｅ靶的厚度用分光光度法和称重法测量。     

用组合叠层CR-39固体径迹探测器测量加速器厚铍靶9Be(d,n)反应中子能谱

采用组合叠层CR-39固体径迹探测器实验方法测量了加速器D（d,n）反应产生的5MeV与2MeV准单能中子能谱。进而测量了入射氘离子能量为3MeV时加速器厚铍靶9Be（d,n）反应的中子能谱,与已有的飞行时间法的测量结果基本相符。在此基础上,用该法又测量了入射氘离子能量为1．5MeV时加速器厚铍靶9Be（d,n）反应的中子能谱,结果符合较低能量氘离子与厚铍靶发生9Be（d,n）的核反应的物理过程。     

滚轧法研制自支撑金属靶

文章叙述了用实验室型滚轧机研制了五十多种核靶的工艺过程。靶的厚度范围是0.3—20mg/cm~2,其均匀性用带电粒子能量损失法测量,一般好于96%。背散射测量表明,滚轧过程引入的杂质<0.2μg/cm~2。     

激发态17Ne双质子2p发射的实验

在中国科学院近代物理研究所放射性束流装置RIBLL上完成了17Ne＋197Au的实验,采用硅条探测器与CsI（T1）＋PIN探测器阵列进行运动学完全测量,研究了17Ne双质子发射的机制。实验选用的主束是。20Ne,能量为78．24MeV／u。初级靶为。Be,厚度为1590μm。经过1024μm的。27Al降能器后,得到被RIBLL选择、分离、优化的次级束流17Ne。实验靶是197Au,厚度为383．87mg／cm2,直径为30mm。探测器布局示于图1。     

分子电镀法制备237Np核靶

研究了在异丙醇介质中电沉积制备^237Np核靶的方法，分析了电流、电压、电镀时间、体系中的含水量等因素对沉积率的影响，并给出了^237Np的纯化及不同厚度的核靶的制备程序，成功地将^237Np以2－700μg/cm^2沉积下来。     

自支撑Mg靶膜的制备

用真空蒸发法成功制备了１７０．０～１９６．１μｇ／ｃｍ＾２的薄自支撑Ｍｇ靶膜和９０～９５μｍ的厚自支撑Ｍｇ靶膜。甜菜碱是制备Ｍｇ靶膜有解离剂，讨论了真空蒸发制靶过程中的主要技术难点。