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为了增加喇曼光纤放大器(RFA)的输出带宽,减小增益平坦度。利用Opti System软件仿真分析了不同参数设置下的增益特性与泵浦源的关系,对泵浦功率、泵浦波长、光纤长度和有效作用面积进行了优化设计与仿真。仿真结果表明:提出的优化方法可使RFA的增益在设定范围内获得最大值,并且通过改变相关参数得到较好的增益平坦度。 相似文献
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摘要喇曼光纤放大器具有低噪声、宽带宽等新一代光放大器的重要特点。介绍喇曼放大系统软件的数学模型、器件模块设计和运行流程,喇曼增益仿真结果与实验数据均方误差小于10%,可以很好地应用于喇曼光纤放大器的设计。 相似文献
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介绍了一种独特的方法来实现具有最优增益平坦度和增益带宽的增益平坦喇曼光纤放大器.通过使用反向放大器设计,实现了不使用任何增益均衡器在12 THz带宽上的相对平坦度低于1%,这种放大器的结构比现有的宽带光纤放大器在增益平坦上有一定的进步. 相似文献
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在生物学和应用显微术领域中进行的那些工作,表明对确定细胞和亚细胞规模(〈1μm)的样品中特殊分子种类的空间分布的能力相当感兴趣。利用调谐到特征振动频率的红外辐射能够很好地识别不同的化学种娄.但它的空间分辨率被红外光的波长所限制、约为几个微米。通常不能分辨细胞或较小的结构。用着色法或用可见光、紫外光照明荧光剂能获得较好的化学种类的空间分辨率,但这些技术仅仅限于某些物质,并且需要把药剂引入样品中。 相似文献
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The origin of artifacts in atomic force microscopy is discussed. They are classified by basic distinct features. Various solutions to this problem are suggested using the literature data. Metrological issues of the problem are touched upon. 相似文献
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荧光寿命显微成像(FLIM)技术是一种新颖的荧光成像技术,具有其他荧光成像方法无法替代的优异性能,是生物医学工程领域的研究热点。频域调制、门控探测和时间相关单光子计数(TCSPC)是FLIM的几种主要实现方法。综述了这些技术的原理、研究现状和已取得的部分成果,比较了这三种方法的时间分辨率和成像速度等参数的优劣。宽场FLIM更适用于延时成像和实时成像。荧光偏振各相异性成像和内窥镜FLIM技术都是FLIM技术很有前景的应用方向。 相似文献
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Muravijova D. V. Ermakov I. A. Eurov D. A. Kirilenko D. A. Kurdyukov D. A. Rabchinskii M. K. Shvidchenko A. V. Trofimuk A. D. Baidakova M. V. 《Semiconductors》2018,52(16):2065-2067
Semiconductors - Monodisperse carbon nanodots and nanodiamond particles were studied by AFM method. Particle size distributions were calculated using AFM and DLS data. The results obtained... 相似文献
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用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用. 相似文献
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用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用. 相似文献
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Results of room-temperature photoreflectance measurements on three GaAs/Al0.33Ga0.67As multiquantum well (MQW) structures with three different widths of wells and on two GaAs/Al0.33Ga0.67As high-electron-mobility transistor (HEMT) structures are presented. Energy-gap-related transitions in GaAs and AlGaAs were observed. The Al content in AlGaAs was determined. MQW transition energies were determined using the first derivative of a Gaussian profile of the measured resonances. In order to identify the transitions in the MQS, the experimentally observed energies were compared with results of the envelope function calculation method for a rectangular quantum well. The Franz–Keldysh oscillation (FKO) model was also used to determine the built-in electric field in various parts of the investigated structures. The values of the electric fields allow us to hypothesise about the origin of these fields. © 1997 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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原子力显微镜针尖同接触面的纳米压痕粘着力 总被引:3,自引:0,他引:3
建立了原子力显微镜(AFM)针尖同接触面的纳米压痕物理模型;根据Hamaker三个假设和Lennard-Jones 势理论,利用连续方法推导出针尖同接触面的纳米压痕粘着力表达式.针对Hamaker常数实验值受环境影响较大,给Hamaker常数的具体应用产生困难的问题,从Lifshitz理论,得出Hamaker常数的近似表达式,并计算了Au、Cu、Al、Ag、Hg的Hamaker常数.计算结果同有关文献的实验结果符合,从而为微机械中广泛存在的纳米接触、"微碰"现象研究提供理论基础. 相似文献