硫化铅掺杂石英玻璃光纤喇曼增强特性研究

普通单模光纤的喇曼增益低,严重制约了喇曼放大器的发展。因此,研究高喇曼增益的光纤具有重要意义。研究了硫化铅掺杂石英玻璃光纤的喇曼散射增强特性。采用改进的化学气相沉积(MCVD)法分别制备出硫化铅掺杂石英玻璃光纤和普通单模光纤样品,并测得其传输损耗谱和喇曼光谱,实验结果表明:硫化铅掺杂石英玻璃光纤具有更强的喇曼散射强度。在不同的泵浦功率条件下,分别进行了喇曼放大实验,相比于普通单模光纤,硫化铅掺杂石英玻璃光纤具有更大的喇曼增益。     

硅基喇曼激光器研究进展(本期优秀论文)

硅基激光器的研制对于新兴的硅基光子学的发展具有重要意义,介绍了硅基材料中喇曼散射的原理、特点,并总结了硅基喇曼激光器的发展历程和最新进展,展示了硅基喇曼激光器发展的良好前景.     

喇曼光纤放大器的优化设计与仿真

为了增加喇曼光纤放大器（RFA）的输出带宽,减小增益平坦度。利用Opti System软件仿真分析了不同参数设置下的增益特性与泵浦源的关系,对泵浦功率、泵浦波长、光纤长度和有效作用面积进行了优化设计与仿真。仿真结果表明：提出的优化方法可使RFA的增益在设定范围内获得最大值,并且通过改变相关参数得到较好的增益平坦度。     

喇曼放大器模拟软件设计

摘要喇曼光纤放大器具有低噪声、宽带宽等新一代光放大器的重要特点。介绍喇曼放大系统软件的数学模型、器件模块设计和运行流程,喇曼增益仿真结果与实验数据均方误差小于10%,可以很好地应用于喇曼光纤放大器的设计。     

硅基喇曼放大器的研究进展

低成本的硅基光器件研究具有重要的意义,在硅中受激喇曼散射是实现光放大的有效方法.本文总结了硅波导中实现净增益和硅基喇曼放大器的发展过程和最新的研究进展,展现了硅基喇曼放大器以及硅基光子器件发展的光明前景.     

增益平坦光纤喇曼放大器的实现

介绍了一种独特的方法来实现具有最优增益平坦度和增益带宽的增益平坦喇曼光纤放大器.通过使用反向放大器设计,实现了不使用任何增益均衡器在12 THz带宽上的相对平坦度低于1%,这种放大器的结构比现有的宽带光纤放大器在增益平坦上有一定的进步.     

难熔金属硅化物的喇曼散射

用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_2的形成.退火温度高于680℃时,观察到207和244cm~(-1)波数处的两个TiSi_2的特征喇曼峰,当退火温度为580℃时,只有270,297和3ncm~(-1)的三个喇曼峰,这些可能是钛的氧化物和不包括TiSi的钛硅化物.     

扫描相干反斯托克斯喇曼显微镜

在生物学和应用显微术领域中进行的那些工作，表明对确定细胞和亚细胞规模（〈1μm）的样品中特殊分子种类的空间分布的能力相当感兴趣。利用调谐到特征振动频率的红外辐射能够很好地识别不同的化学种娄．但它的空间分辨率被红外光的波长所限制、约为几个微米。通常不能分辨细胞或较小的结构。用着色法或用可见光、紫外光照明荧光剂能获得较好的化学种类的空间分辨率，但这些技术仅仅限于某些物质，并且需要把药剂引入样品中。     

原子力显微术

本文首先介绍了原子力显微术的基本理论，其次讨论了原子力显微镜的结构原理，主要报导了一台我们研制的使用光学偏转法检测的原子力显微镜及仪器性能，仪器测试的结果表明我们这台原子力显微镜获得了原子分辨率，最后给出使用这台显微镜的首批实验结果。     

原子力显微轮廓仪系统的研究

研制了原子力显微镜（AFM）轮廓仪,介绍了AFM轮廓仪的基本原理和系统设计,并展示了多孔Al2O3薄膜、MgAl2O4薄膜和TiN薄膜的表面轮廓图。跟普通光学轮廓仪相比,该系统不需要进行复杂的光路调整,避免了光学元器件带来的误差,且工作行程不受光学孔径的制约,具有操作简单、抗干扰能力强和工作行程大的优点。实验表明,该系统具有良好的重复性、稳定性,横向分辨率为1μm,纵向分辨率为1nm。     

Artifacts in Atomic Force Microscopy

The origin of artifacts in atomic force microscopy is discussed. They are classified by basic distinct features. Various solutions to this problem are suggested using the literature data. Metrological issues of the problem are touched upon.     

荧光寿命成像技术及其研究进展

荧光寿命显微成像(FLIM)技术是一种新颖的荧光成像技术,具有其他荧光成像方法无法替代的优异性能,是生物医学工程领域的研究热点。频域调制、门控探测和时间相关单光子计数(TCSPC)是FLIM的几种主要实现方法。综述了这些技术的原理、研究现状和已取得的部分成果,比较了这三种方法的时间分辨率和成像速度等参数的优劣。宽场FLIM更适用于延时成像和实时成像。荧光偏振各相异性成像和内窥镜FLIM技术都是FLIM技术很有前景的应用方向。     

Atomic Force Microscopy Study of Monodisperse Carbon Nanoparticles

Semiconductors - Monodisperse carbon nanodots and nanodiamond particles were studied by AFM method. Particle size distributions were calculated using AFM and DLS data. The results obtained...     

用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑

用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.     

用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑

用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.     

Photoreflectance spectroscopy of low-dimensional GaAs/AlGaAs structures

Results of room-temperature photoreflectance measurements on three GaAs/Al_0.33Ga_0.67As multiquantum well (MQW) structures with three different widths of wells and on two GaAs/Al_0.33Ga_0.67As high-electron-mobility transistor (HEMT) structures are presented. Energy-gap-related transitions in GaAs and AlGaAs were observed. The Al content in AlGaAs was determined. MQW transition energies were determined using the first derivative of a Gaussian profile of the measured resonances. In order to identify the transitions in the MQS, the experimentally observed energies were compared with results of the envelope function calculation method for a rectangular quantum well. The Franz–Keldysh oscillation (FKO) model was also used to determine the built-in electric field in various parts of the investigated structures. The values of the electric fields allow us to hypothesise about the origin of these fields. © 1997 John Wiley & Sons, Ltd.     

原子力显微镜针尖同接触面的纳米压痕粘着力

建立了原子力显微镜(AFM)针尖同接触面的纳米压痕物理模型;根据Hamaker三个假设和Lennard-Jones 势理论,利用连续方法推导出针尖同接触面的纳米压痕粘着力表达式.针对Hamaker常数实验值受环境影响较大,给Hamaker常数的具体应用产生困难的问题,从Lifshitz理论,得出Hamaker常数的近似表达式,并计算了Au、Cu、Al、Ag、Hg的Hamaker常数.计算结果同有关文献的实验结果符合,从而为微机械中广泛存在的纳米接触、"微碰"现象研究提供理论基础.