高TcGdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶结光探测器

研制了具有约瑟夫逊效应的高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为０．６３２８μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，系统观测了高Ｔｃ ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率ＮＥＰ＝４．３×１０＾－１４ＷＨｚ＾－１／２，归一化探测率Ｄ＾８＝１．２×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，响应率Ｒｖ＝３．５×１０＾７Ｖ／Ｗ，     

热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化的机理

对不同栅氧化物ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ的ＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ－ＩｎｄｕｃｅｄＤｒａｉｎＬｅａｋａｇｅ）特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究．发现ＧＩＤＬ的漂移对栅电压十分敏感,在ＶＧ＝０．５ＶＤ的应力条件下呈现最大．通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟,引入“亚界面陷阱”概念,对所涉及的机理提出了新见解,认为：在应力期间,亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于ＶＧ＝０．５ＶＤ和ＶＧ＝ＶＤ两种典型应力下ＧＩＤＬ的漂移．实验还观察到Ｎ２Ｏ氮化,特别是Ｎ２Ｏ退火ＮＨ３氮化的ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ比常规热氧化ｎ     

朗讯科技的先进光通信技术

３．２８Ｔ ＤＷＤＭ试验系统 在用２０００年初在美国召开的世界光纤通信会议ＯＦＣ’２０００上,朗讯科技的３．２８Ｔｂ／ｓ ＤＷＤＭ试验系统是所有参会公司系统中容量最大的系统。其特点如下： 系统单波长速率为４０Ｇｂｉｔ／ｓ,共８２个波长,光滤波器波长间隔为１００ＧＨｚ。 系统工作于Ｃ和Ｌ两个波段,分别容纳４０和４２个波长通道。 系统传输距离３００公里,采用真波光纤,中间放大（Ｅ／Ｒ—ＯＡ）跨距１００公里。 光纤线路的色散补偿要分别对Ｌ、Ｃ波段补偿ＤＣＦ、ＨＳ—ＤＣＦ,分别为补偿光纤和高斜率补偿光纤。 系统…     

GaN的MOCVD生长

ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达１６＇．并观测到ＧａＮ所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光．     

国产操作系统COSIX和国产系统软件平台COSA

介绍了国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２和ＣＯＳＩＸＶ．２０国产系统软件平台ＣＯＳＡＶ１．０。ＣＯＳＡＶ１．０由国产操作系统ＣＯＳＩＸＶ１．２，国产网络系统ＣＯＮＥＴＶ１．０，国产数据库管理系统ＣＯＢＡＳＥＶ１．０以及国产编程软件Ｃ、Ｃ＋＋、ＦＧｏｒｔｒａｎ９０等构成。ＣＯＳＩＸＶ１．２遵循国际法标准ＰＯＳＩＸ．１、工业标准ＸＰＧ３，与主流ＵＮＩＸ系统ＳＶＲ４二进制兼容。ＣＯＳＩＸＶ２．０是基于微内核     

西门子S4手机功能介绍

西门子Ｓ４手机功能介绍西门子Ｓ４手机有９大菜单功能，而在每一个主菜单下又有若干个可供选择的分菜单，分述如下。１．ＲＩＮＧＥＲ振铃１ＲＩＮＧＥＲ振铃声；２ＶＯＬＵＭＥ音量；３ＴＯＮＥ铃音调。２．ＤＩＶＥＲＴ转移１ＩｆｎｏｔＲｅａｃｈａｂｌｅ用户不在服务...     

3．5V GaAs HBT

３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９５年第２期报道，日本富士通研究所研究一种新的便携电话用的３．５ＶＧａＡｓＨＢＴ。该ＨＢＴ在９００ＭＨｚ下具有：单一电源供电，３．５Ｖ，输出功率１Ｗ，功率附加效率７０％，功率增益１５...     

高T_cPTC陶瓷材料的配方研究

选用国产原材料，在（Ｂａ０．３Ｐｂ０．７）ＴｉＯ３＋４％ＡＳＴ＋０．０８％Ｍｎ（ＮＯ３）２材料中，添加（０．２～０．４）％（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｙ２Ｏ３）＋０．２％ＢＮ＋（３～５）％ＣａＴｉＯ３（全为摩尔比）。采用传统陶瓷工艺，经１１５０℃适当烧结，可获得ρ２５ｃ≤１０４Ω·ｃｍ，Ｔｃ≥３８０℃，ρｍａｘ／ρｍｉｎ≥１０３，Ｖｂ≥６５０Ｖ的实用高ＴｃＰＴＣ陶瓷材料。     

准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管

本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ．     

低阈值1.3μmMQW激光器

利用叔丁砷化氢（ＴＢＡ）和叔丁磷化氢（ＴＢＰ）的ＭＯＶＰＥ已制成低阈值１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ多量子阱（ＭＱＷ）激光器。实验证明：与用常规的氢化物ＨｓＨ３和ＰＨ３生长的四元ＩｎＧａＡｓＰ材料相比，用ＴＢＡ和ＴＢＰ进行的四元材料生长可改善Ｖ族组分的可控性。从而使２英寸的ＩｎＧａＡｓＰ ＭＱＷ晶片的光致发光（ＰＬ）波长具有极好的均匀性，其标准偏差仅２．６ｎｍ，４．２Ｋ时，ＰＬ的最大半值全宽（ＦＷＨＭ     

掺Tb_2O_3法拉第旋转玻璃

本文研究了掺Tb_2O_3的法拉第旋转玻璃的组成、物理化学性质及制备技术,实验结果表明维尔德常数V随着Tb_2O_3浓度的增大而增大,硼硅酸盐玻璃中Tb_2O_3含量大于20％(mol)时,维尔德常数可以达到-0.0030min/A/m·cm,从熔制试验结果0.5L铂坩埚可以获得质量较好的φ50×25mm的样品。     

Tb~(3+)/Dy~(3+)共掺杂磁光玻璃的制备及性能研究

为增加磁光玻璃中稀土氧化物的含量,进一步提高Verdet常数,选择Ga2O3-B2O3-SiO2(GBS)系统,采用熔融淬冷法,制备了高稀土氧化物含量的Tb3+/Dy3+共掺杂磁光玻璃,并研究了玻璃的形成能力及物理化学性质。结果表明:Tb3+/Dy3+共掺杂GBS玻璃的稀土含量高达45%(摩尔分数,下同),高于单掺杂Tb3+时的35%,其Verdet常数也由104.76rad/(T·m)提高至119.31rad/(T·m)。这证明了稀土氧化物玻璃的顺磁性不仅与单位体积内有效磁子的数量有关,而且与磁矩有关;GBS玻璃的热稳定性随着稀土氧化物掺量的增加,呈现先提高后降低的趋势。     

空芯光子晶体光纤磁敏感性研究

空芯光子晶体光纤是一种新型的陀螺用光纤,较传统光纤具有良好的抗磁性,光纤的磁敏感性是由光纤的Verdet 常数来表征的。为研究空芯光子晶体光纤的磁敏感性,利用Comsol 软件对HC-1550-2 空芯光子晶体光纤的Verdet 常数进行仿真计算,选用含有法拉第旋转反射镜(FRM)的反射式双光路测量方案对空芯光子晶体光纤的Verdet 常数进行实验测量。双光路测量系统中的FRM 可以消除被测光纤中线性双折射对测量的影响。仿真与测量结果相吻合,且由结果可知空芯光子晶体光纤的Verdet 常数约为传统光纤的1/100 倍,验证了空芯光子晶体光纤在陀螺降低磁敏感性方面的优势。     

LTCC材料介电性能的影响研究

文章研究了La2O3-B2O3和SiO2作为添加剂对钙硼硅系LTCC材料的烧结和介电性能的影响。实验结果表明,La2O3-B2O3添加剂促进了CaSiO3的析晶,从而极大增强了钙硼硅玻璃陶瓷的抗弯强度。Si用于调节样品的收缩率以满足实际生产要求。CaO-B2O3-SiO2-6wt%La2O3-B2O3-7wt%Si样品性能较好：εr=6.13,tanδ=12.34×10-4（10 GHz）,弯曲强度σf≥160 MPa,收缩率为14.9%。     

高精度高比容独石电容器用瓷料研究及其介电常数的计算

首先利用蒙特卡罗有限元法在分析陶瓷材料内电场分布的基础上 ,对微粒混合陶瓷材料的介电常数与各成分含量及其介电常数之间的关系进行了探讨。研究表明 ,由于介质极化的原因 ,在陶瓷材料内部 ,等势线的分布将主要集中于低介电常数成分所占的区域 ,并且 ,微粒混合陶瓷材料各成分的含量及其介电常数都会对陶瓷材料内电场的分布产生重要影响 ,并使陶瓷材料的宏观介电常数发生变化。当陶瓷材料中含有与其他成分介电常数差别相当大的成分时 ,利用蒙特卡罗有限元法可获得较其他传统方法更为准确的结果系统地研究了钡钛钕系统陶瓷的介电性能。研究结果表明 ,Ba Ti O3中掺入极少量的 Nd2 O3(例如摩尔分数 x为 0 .1% )时 ,材料呈半导性 ,电阻率呈明显的 PTCR效应。Ba Ti O3中掺入少量的 Nd2 O3(x≥ 0 .2 % )时 ,材料呈绝缘性 ,且随着 Nd2 O3掺入量的增加 ,材料的平均晶粒尺寸不断减小 ,居里峰向负温方向移动 ,居里峰不断降低。Ba Ti O3中掺入少量 Nd2 O3· 2 Ti O2时 ,随着掺入量的增加 ,居里峰向负温方向移动 ,晶粒尺寸不断增大 ;Ba Ti O3中掺入较多的 Nd2 O3· 2 Ti O2 时 ,随着掺入量的增加 ,介电常数不断减小 ,介电常数的温度特性曲线的非线性程度不断减小 ,并且 ,当 Ba Ti O3与 Nd2 O3· 2 Ti O2 的摩尔比?     

混合型磁光电流传感器灵敏度的提高

选择高Ｖｅｒｄｅｔ常数的磁光材料，增加光束环绕电流的环咱数是提高磅光电流传感器灵敏度的主要方法。本文介绍了利用频率分离的比较测量法来消除温度对高Ｖｅｒｄｅｔ常数铁磁性材料的影响。设计了双环路及多环路块状传感头结构，并对双环咱结构传感头进行了实验测试。     

Faraday rotation and its temperature dependence measurements inlow-birefringence fibers

A setup allowing a rapid and efficient determination of Faraday rotation in low-birefringence fibers in the absence of linear birefringence is presented. Practical results, i.e. the Verdet constant and its variation with temperature between 25°C and 140°C, are given for three specimens of commercial low-birefringence fiber at a wavelength of 633 nm and in a DC magnetic field. The measurement technique is shown to offer a rapid and efficient determination of the Verdet constant in the absence of linear birefringence     

掺Yb3+锂硅酸盐玻璃组分与光谱性质的研究

采用高温熔融工艺制备了Yb3+掺杂锂硅酸盐玻璃,玻璃的组分为SiO2-Li2O-Na2O-MgO-CaO-BaO-Al2O3-Yb2O3。经过理论和实验分析,我们得出该组分的最佳比例为70SiO2-18Li2O-8MgO-2Al2O3-2Yb2O3mol%,它具有较高的发射截面和较长的荧光寿命,并随着修饰体阳离子场强增大,配位体之间位置的有序化降低,即格位的对称性下降,因此吸收截面和发射截面逐渐增大,荧光寿命降低。     

硫化镉纳米微晶掺杂Na2O—B2O3—SiO2系统玻璃的制备及光学性质 …

本文采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备了掺杂ＣｄＳ纳米微晶的Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统玻璃,研究了这种玻璃材料的合成反应机理和结构特性。利用各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸ＣｄＳ半导体微晶的光致发光光谱,研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的信赖关系,拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线,获得样品的非均匀线宽。ＣｄＳ微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的,可以利用ＣｄＳ微晶的非均匀宽化系     

玻璃粉料粒度对B-Al-Si/Al_2O_3性能的影响

通过改变球磨时间,得到不同粒度的B2O3-Al2O3-SiO2(简称B-Al-Si或BAS)玻璃粉料。在玻璃粉料中混入质量分数为40%的Al2O3陶瓷粉末,用流延法制备了低温共烧BAS/Al2O3玻璃/陶瓷复相材料。研究了烧结温度和玻璃的粒度对复相材料的烧结性能、介电性能和热稳定性的影响。结果表明:在800～900℃,材料致密化后析出钙长石晶体;球磨1h的玻璃粉料与w(Al2O3)40%混合烧结的复相材料的性能最优,850℃保温30min后,于10MHz测试,其εr=7.77,tanδ=1×10-4;扫描电镜显示其微观结构致密,有少量闭气孔。