YAP:Ce闪烁探测器的γ射线灵敏度研究

使用进口的新型YAP：Ce无机晶体和近年国内研制的CeF3,PbWO4配大线性电流光电倍增管组成闪烁探测器系统,用^60Co和^137Csγ源实验测量探测系统的γ射线灵敏度;并用MCNP／4B程序进行建模计算;最后对理论计算和实测数据进行了比较,分析研究。得出结论：新型YAP：Ce无机晶体对γ射线的灵敏度相对较高,对^60Co源和^137Cs源γ射线而言,是同体积的CeF2晶体的10倍多,利于γ射线测量。     

γ测厚仪的设计

本文着重说明了γ测厚仪的理论设计。对仪器灵敏度与射线能量的关系、厚度、分辨率以及散射效应对测量的影响等问题进行了较充分的阐述。     

闪烁纤维中子探测器灵敏度研究

用蒙特卡罗方法研究了1种闪烁纤维中子探测器对不同能量中子和伽玛射线的相对灵敏度，并在实验室对几个能点的灵敏度进行了标定。实验结果表明：理论计算与实验标定的探测器能量响应曲线趋势基本一致，探测器对2．5MeV中子和1．25MeV伽玛射线的灵敏度比值为5．3。利用实验数据对计算值进行校正，可给出探测器能量响应全曲线。     

φ60mm×600μm硅PNI探测器γ灵敏度和时间响应测量

φ6 0 mm× 6 0 0μm硅 PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度探测器 ,用 10 13Bq级的 60 Coγ放射源测量了该类探测器的 60 Coγ灵敏度 ,用 CΓC脉冲辐射源 (约 0 .2 Me V)测量了该类探测器的时间响应。实验和理论计算表明 :该类探测器的 60 Coγ灵敏度约为 5 f C·cm2 / Me V。脉冲响应上升时间约为 10 ns,脉冲响应半高宽约为 35 ns。     

探测器校准用的6130keV单能γ源

通过混合＾２３８Ｐｕα辐射体和＾１３Ｃ制得单能６１３０ｋｅＶ高能γ射线校准源，测量了ＨＰＧｅ探测器效率、标准源的中子发射率、γ射线能谱及其发射率，讨论了不同投料比和工艺。     

Si-PIN探测器中子直照灵敏度研究

介绍了利用K600中子发生器进行Si-PIN探测器灵敏度标定的实验方法,并在实验中测出了Si-PIN探测器对14MeV中子的直照灵敏度。同时,利用MCNP模拟程序对Si-PIN探测器不同能量的中子直照灵敏度进行了理论计算,实验灵敏度处理结果和理论计算值较为一致。     

MCNP4C在HTR-PM设备γ射线屏蔽设计申的应用及与QAD-CGA对比研究

本文基于球床模块式高温气冷堆核电站（HTR-PM）反应堆设备间γ射线辐射屏蔽设计工程实例，建立了乏燃料中间贮存系统的蒙特卡罗模型，给出了蒙特卡罗方法计算程序MCNP4C和点核积分方法计算程序QAD-CGA的计算剂量值，并通过对二者进行分析和对比，得知点核积分程序QAD-CGA的计算结果较蒙特卡罗程序MCNP4C的计算结果偏大。     

几种闪烁体γ/n分辨能力的MC模拟计算及比较

本文利用蒙特卡罗通用程序MCNP4B对脉冲γ射线束测量中可能用到的几种闪烁体的有关性能进行了模拟计算和比较,给出了三种比较感兴趣的无机闪烁体CeF3、LSO和CsF对γ射线的能量响应曲线。并利用有关能谱数据对八种无机闪烁体BaF2、NaI、CsF、CsI、GSO、PbWO4、YAP：Ce、YAG：Ce的γ/n分辨能力进行了计算,估算了分辨能力的最大、最小值,并与有机闪烁体ST401进行了比较。     

用于测量高强度脉冲中子及γ射线剂量的真空室

本文报告了用于测量高强度脉冲中子及γ射线剂量的真空室探测器和直读真空室剂量计的研制。两种真空室在γ、Ｘ射线、１４ＭｅＶ中子、稳态和脉冲核反应堆中子、γ射线混合场上实验表明，其主要剂量学性能基本上达到设计要求。真空室剂量计在１０￣４Ｇｙ／ｓ下无剂量率依赖性，含氢材料壁真空室的快中子、γ射线灵敏度比近１：１，铝壁真空室受１０￣６Ｇｙ（￣（６０）ＣＯ）照射，其性能几乎没有变化。     

ICI探测器单位γ灵敏度研究

探测器灵敏度及其能量响应特性在探测器的设计和研制过程中占有十分重要的地位.从理论和实验两个方面研究了ICI探测器的γ灵敏度及其γ射线能量响应特性.在60 Co 1.25MeV γ辐射源装置上进行实验测量得到ICI探测器的单位γ灵敏度为1.8×10-20 (±5%)C·cm2 ,理论计算的单位γ灵敏度为1.78×10-20 C·cm2 (γ能量1.25MeV),理论和实验结果符合得较好.研究结果表明,入射γ射线能量在1～10MeV范围内变化时,ICI探测器具有平坦的γ灵敏度响应曲线.     

低能γ射线穿透法测量煤灰分的研究

低能γ射线穿透法测量煤灰分,比反散射法有更高的灵敏度,它不仅适于低灰分测量,也适用于高灰分测量。本文推导了此法测量煤灰分的公式,并计算了成分变化引起的误差。     

一种可测低能γ和X射线的高纯n型硅探测器

采用蒸发金、钯和离子注入硼作势垒接触,低温扩散锂制备欧姆接触的方法,制成性能良好的低能γ和X射线高纯硅探测器。介绍其制作方法和性能。探测器有效面积为14.5mm~2,厚度3.3mm。在液氮温度下对~(55)Fe 5.9kev X射线的最佳能量分辨率为162eV,对~(241)Am59.5keV低能γ射线的最佳能量分辨率为373eV。同时对三种不同制作方法所得的高纯硅探测器和Si(Li)X射线探测器进行了对比。     

γ射线密度测量系统灵敏度的数值模拟

灵敏度是γ射线密度测量系统设计的重要目标之一,本文利用Monte Carlo数值方法模拟分析了影响系统灵敏度的各种因素,探讨了提高灵敏度的相关措施。对于设计利用γ射线与物质相互作用原理探测相关物理量的其他仪器设备也有一定的指导意义。     

钴室γ辐射场剂量分布的测量与计算

报道了钴室γ辐射场空气吸收剂量率的测量怀计算结果，给出了计算方法的导出过程及计算公式。统计检验表明，该辐射场空气吸收量率服从对数正态分布，比较计算与测量的几何均值无显著差异。     

ST-401薄膜探测器γ灵敏度实验研究

伽玛灵敏度实验研究是ST-401闪烁薄膜探测器性能研究的一个重要组成部分.本文介绍了闪烁薄膜探测器的基本原理及其结构设计,并且在西北核技术研究所的钴-60标准辐射源上,对一系列薄膜厚度的闪烁薄膜探测器进行了伽玛实验标定,对实验数据的不确定度进行了分析.给出了伽玛射线灵敏度随闪烁薄膜的厚度以及随光电倍增管电压的变化曲线.     

热中子俘获瞬发γ射线强度计算

简要介绍了热中子俘获发γ射线强度的计算方法,并以实例进行说明,还给出了有关物理自洽检验的方法及其讨论。     

电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响

通过数值模拟和实验研究了电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响及铝、聚乙烯等不同材料对电子逃逸效应的补偿作用.数值模拟研究主要利用MCNP程序对γ射线在PIN探测器灵敏层中的能量沉积进行数值计算,得到探测器输出的脉冲幅度谱和灵敏度计算结果;实验研究利用60Co源发射的能量为1.17和1.33MeV的γ射线对不同补偿条件下的γ灵敏度进行标定.结果表明,电子逃逸效应对灵敏度存在显著影响,在探测器前设置铝、聚乙烯等补偿材料可对电子逃逸效应进行适当补偿.