首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
吴寨矿瓦斯赋存特征及突出危险性分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
吴寨矿己15煤层与具有突出危险性的十矿己组煤层采空区相邻,采掘前必须确定煤层的突出危险性。根据地质构造资料和实测数据,分析了吴寨矿瓦斯赋存特征及其影响因素,并结合邻近矿井瓦斯动力现象,应用单项指标对吴寨矿己15煤层进行了煤与瓦斯突出危险性研究。结果表明,在标高-371m以浅,吴寨矿己15煤层无煤与瓦斯突出危险性。  相似文献   

2.
杨耸  王云刚 《煤炭技术》2012,31(5):73-75
吴寨矿己17煤层与具有突出危险性的矿井十矿、十二矿相邻,采掘延伸达到或超过垂深50m时必须确定煤层的突出危险性。根据地质资料和实测数据,结合邻近矿井瓦斯动力现象,应用单项指标对吴寨矿己17煤层进行了瓦斯突出危险性研究。结果表明,在标高-450m以浅,吴寨矿西翼采区己17煤层无煤与瓦斯突出危险性。  相似文献   

3.
根据煤的坚固系数,瓦斯放散初速度,煤层瓦斯压力和含量等瓦斯基础参数,综合分析鹤煤九矿瓦斯地质特征和煤层破坏情况,采用瓦斯地质理论预测法和单一指标预测法,完成了鹤煤九矿二1煤的突出危险性区域预测,为矿井分区分级防治煤与瓦斯突出提供理论依据。  相似文献   

4.
徐伟 《矿业安全与环保》2012,39(1):55-57,60
采用现场实测和实验的方法,获得鹤壁八矿不同区域的瓦斯压力、瓦斯含量和相关突出判定指标,分析矿井瓦斯压力和瓦斯含量的分布规律,同时对构造煤的发育特征和突出规律进行系统研究。分析表明,鹤壁八矿构造主要以断层为主,二1煤层瓦斯含量随煤层深度的加大而有规律地增加;背斜轴部附近煤层瓦斯含量一般较低;向斜轴部煤层瓦斯含量较高,煤与瓦斯突出的危险性较大。矿井突出多发生在断层、向斜轴部、煤层由薄变厚或倾角由小变大的地点。  相似文献   

5.
王尧  凡海东  王天泰 《煤》2011,20(11):6-8,29
根据煤层瓦斯含量、煤层瓦斯压力、煤的坚固系数、瓦斯放散初速度、瓦斯吸附系数等瓦斯基础参数,综合分析了炭窑沟矿井瓦斯地质条件和煤层破坏特征,采用单项指标法、综合指标法和瓦斯含量法,完成了炭窑沟矿井二4煤层1 940~1 985 m水平工作面采前煤与瓦斯突出危险性评价,为生产矿井防治煤与瓦斯突出管理提供科学依据。  相似文献   

6.
根据鹤煤三矿资料:煤的坚固系数,瓦斯放散初速度,煤层瓦斯压力和含量等瓦斯基础参数,分析了三矿二1煤层瓦斯地质特征和煤层破坏情况,采用单项指标预测法与瓦斯参数结合瓦斯地质分析法对鹤煤三矿二1煤与瓦斯突出危险性进行区域预测。  相似文献   

7.
平煤十一矿-850m以上己16,17煤层突出危险性评价   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了科学判断平煤十一矿己二采区西翼己16,17煤层-850 m以上的煤与瓦斯突出危险性,对其瓦斯压力、瓦斯含量、瓦斯放散初速度、煤的坚固性系数等瓦斯参数进行了测定,根据<煤与瓦斯突出矿井鉴定规范>和<防治煤与瓦斯突出细则>的相关规定,科学合理地评价了-850 m以上己16,17煤层的突出危险性.实践表明,该评价方法为区域性突出危险性不明的煤层提供了可靠的判断手段.  相似文献   

8.
为了有效预防煤与瓦斯突出,通过对何庄矿煤层瓦斯压力及瓦斯含量、瓦斯放散初速度、煤的坚固性系数、构造煤发育情况及瓦斯动力现象等参数的分析,提出采用瓦斯参数结合瓦斯地质分析法对矿井二1煤层进行煤与瓦斯区域突出危险性预测。预测结果表明:二1煤层在埋深388 m以深的区域划为突出危险区域,构造煤是控制何庄矿煤与瓦斯突出的主要因素。  相似文献   

9.
为了消除煤与瓦斯突出的危险性,依据《防治煤与瓦斯突出规定》选取煤层瓦斯含量和煤层瓦斯压力作为义安矿二1煤层区域预测指标。通过构建煤与瓦斯突出能量方程并结合实验室研究,确定了瓦斯压力和瓦斯含量的临界值,并对其临界值0.60MPa和8m3/t进行了验证。结果表明:该临界值适合义安矿,保证了煤矿安全生产。  相似文献   

10.
高瓦斯矿井煤与瓦斯突出区域预测瓦斯地质方法   总被引:5,自引:1,他引:4  
王恩营 《煤矿安全》2006,37(10):42-44
在高瓦斯矿井深部开展煤与瓦斯突出区域预测是保证煤矿安全生产的一项前瞻性工作,本文采用瓦斯地质的方法对新安矿影响煤与瓦斯突出的构造软煤和煤层瓦斯赋存条件进行了研究,实测并计算了瓦斯地质参数,将研究区划分为8个瓦斯地质单元,并对其进行了突出危险性评价,结果表明,14下山采区、西部未开采区深部和二水平具有突出危险性,其它单元没有突出危险性。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号