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PIC单片机应用中几个问题的探讨福建省计量所方祖枚美国Mi。ro。hiP公司推出的PIC系列单片机采用独特RISC(精简指令集)结构和哈佛流水总线以提高速度和处理性能,这和采用CISC结构的单片机如见*8--51系列,M68*c系列和*8系列有所不同... 相似文献
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电视演播中心的分量化技术(Ⅺ)第九讲向数字分量过渡(2)徐国光(2)摄像机虽然CCD是固态器件,并且是对信号取样的,它仍然属模拟域,号称第一台数字摄像机的松下AQ-20,实际上是部分地数字处理从CCD来的信号。日立的SK-F2000PW10bit量化... 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
0.1μm栅长的CMOS电路门延迟为11.8Ps据《NIKKIELECTRONICS》1993年第12—20期报道,1993年12月6~8日在美国召开的国际电子器件会议(IEDM)上,美国AT&T贝尔实验室,IBM公司,日本富士通研究所和东芝研究开发... 相似文献
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江剑平 《激光与光电子学进展》1995,(7)
激光-光电子技术的新进展──’94 CLEO和’94 IQEC会议简介江剑平(集成光电子学国家重点联合实验室清华大学实验区,北京100084)1994年国际激光与电光会议’94CLEO和国际量子电子学会议(’94lQEC)于1994年5月8日到5月1... 相似文献
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GaInP材料生长及其性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用X光双晶衍射、Hall和光致发光研究了MOCVD生长的GaxIn1-xP(x=0.476~0.505)外延层.发现Ga组分随V/Ⅲ比的增大略有下降,认为是由于Ga-P键比In-P键强所造成的.77K下电子迁移率达3300cm2/(V·s).Ga0.5In0.5P的载流子浓度随生长温度升高、V/Ⅲ比的增大而降低,提出磷(P)空位(Vp)是自由载流子的一个重要来源.17K下PL峰能和计算的带隙最大相差113meV,这可能与GaInP中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关. 相似文献