射频MOSFET噪声模型研究

对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真,在2～8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。     

SiGe HBT高频噪声等效模型研究

对硅锗异质结双极型晶体管（SiGe HBT）等效高频噪声模型进行了研究,在建模过程中,SiGe HBT的等效电路为小信号准静态等效电路,使用二端口网络噪声相关矩阵技术从实测噪声参数提取基极和发射极的散粒噪声,提取结果与几种散粒噪声模型进行对比分析,重点研究半经验模型建立过程,对半经验模型与常用的噪声模型使用CAD仿真验证,结果表明了半经验模型的有效性、更具准确性,该半经验模型能够用到不同工艺SiGe HBT的高频噪声模拟。     

GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取

介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的噪声模型,Pu-cel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型.基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模型参数的表达式.利用上述方法,针对200 μm栅宽的GaN HEMT器件,提取了噪声模型参数值,并且在ADS仿真软件平台上建立了GaN HEMT器件的Pucel等效电路噪声模型,仿真结果与实测结果在频率为4～18 GHz带宽内吻合较好,说明提出的噪声模型参数提取方法对于GaN HEMT器件噪声仿真的实用性和准确性.     

功率变流器传导干扰多通路频域模型研究

针对功率变流器传导电磁干扰建模与预测方法展开研究,提出了多通路并联的"干扰源-耦合通路"频域模型,研究了干扰源频谱及干扰耦合通路传递函数的建模提取方法.通过提取干扰源的端口频谱特性及干扰耦合通路的传递函数,直接在频域计算干扰噪声,具有建模方法简单,通用性强,不受具体电路结构限制的特点,可作为通用的频域建模方法应用于功率变流器传导电磁干扰建模与预测研究.通过具体实例,阐述了所提出的多通路频域模型的建模流程,验证了模型的准确性及其在变流器传导干扰建模、预测与噪声抑制过程中的指导意义.     

基于DC/AC逆变电源交/直流侧传导EMI噪声机理建模

针对DC/AC逆变电源交/直流侧的传导EMI噪声机理特性,提出直流侧噪声源内阻抗建模方法,理论分析了不同工作模式下交流侧的传导EMI噪声共模/差模噪声传输机理模型和控制参数影响下的噪声建模方法,最后对DC/AC逆变器直流侧噪声源内阻抗进行了提取实验,利用仿真分析控制参数对交流侧传导EMI噪声的影响,该研究内容为DC/AC逆变电源传导EMI问题的解决提供了一定的理论与实践参考。     

云计算系统中基于噪声模板跳表的日志过滤方法

提出了一种基于时间序列相似度的日志特征提取方法,通过将噪声采样信息按照特定类型标识建模为时间序列,使用Haar小波变换提取序列特征,基于跳表构造噪声模板库。目标日志时间序列通过与噪声模板进行相似度比较来确定其是否为噪声日志。基于真实云计算平台的实验表明,提出的方法能够有效提高故障特征的有效性。     

系统设计中有色噪声的研究

针对近些年系统设计以计算机仿真为基础这一特点,着重研究了有色噪声的仿真方法。利用ARMA模型完成了对已知功率谱密度图形的各种有色噪声的仿真,并对原始的建模方法进行了修正,使得仿真后的结果更加理想。     

缓冲器输出端相位噪声模型分析

相位噪声是振荡器的重要性能指标。近年来,研究人员在振荡器相位噪声表征方面已经做了大量的工作,在这些过程中开发出了很多不同类型的振荡器相位噪声模型。但是在这些模型中,都没有分析缓冲器噪声对振荡器相位噪声的影响。而在研究课题中,首先要对缓冲器噪声的功率谱密度函数进行数学建模,并易于将这个模型嵌入到相位噪声的非线性扰动分析模型,这样就得到了含有缓冲器噪声的振荡器相位噪声模型。     

低压电力线载波通信信道噪声分类与建模

构建低压电力线信道中的噪声模型对于研究低压电力线载波通信至关重要。首先对电力线上的噪声进行特性分析和噪声分类。然后根据中短波广播的串扰特性对窄带噪声进行建模,根据统计特性对随机脉冲噪声进行建模。仿真结果表明,窄带噪声模型能够精确地体现出噪声的频率特性,随机脉冲噪声能够很好地反映出脉冲噪声的幅值分布特性。     

微波放大器Rn-Gn模型噪声参数的准确提取

对微波放大器Rn—Gn噪声模型以及噪声参数的提取方法进行了研究,自行研制了精密的阻抗变换器,组建了一套新的噪声系数测量系统,采用加权最小二乘法准确提取出放大器的噪声参数。实验测量结果稳定、可靠,在不同频点下可以得到包括最小噪声系数在内的四个噪声参数,并节省了测量时间,为微波低噪声放大器的设计提供了更加可靠的基础数据。