阈值电流最低的半导体激光器

英国标准通信实验室为存贮技术公司开发的一项工作可把许多激光器集成在一块晶片上。现有技术由于激光运转电流很高而不宜集成。     

长波长半导体激光器的汽相生长

由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器，故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.5~1.7微米间，此范围内玻璃纤维的损耗最低。沃尔森说,四级异质结二极管的优质界面要求避免采用象回熔预防这样的特殊生长技术。在英国与法国，标准电讯实验室及CSF公司实验室釆用金属有机化合物蒸汽沉积法生长。     

半导体激光器面面观

量子阱(QW)激光器 (1)QW激光器 随着金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)技术的逐渐成熟和完善,QW激光器很快从实验室研制进入商用化。QW器件是指采用QW材料作为有源区的光电子器件,材料生长一般     

500毫瓦连续输出半导体激光器

据报导，日本丸文公司将出售500毫瓦的连续输出半导体激光器，这种商品化的激光器由光谱物理公司和复印机公司的联合承包者光谱二极管实验室提供。     

低阈值半导体激光器

英国标准电话与电缆公司目前已开始生产第二代低阈值激光器。公司声称，新激光器在价格、性能、可靠性方面较现有设备有明显的优点。新激光器的波导结构只需一种外延生长过程，用掩埋式异质结就能获得低阈值特性，而且生产成本低得多。     

简迅

美国防部加速发展高能固体激光器美国国防部最近选择达信系统公司参与发展称之为“联合高能固体激光器”(JHPSSL)的竞争,合同经费约500万美元,研制功率为15kW的实验室验证用的固体激光器,该激光器采用了独特的致冷机构,并可以发展为功率为100kW的固体激光器.早先参与该项目竞争的是劳伦斯·利弗莫尔国家实验室、诺斯罗普·格鲁门公司和雷声公司,发展的都是25kW的实验室验证用的固体激光器,是为发展功率100kW的固体激光器的一种过渡性的实验室验证用的固体激光器.美国国防部将在今年5月26日发出功率为100kW的实验室验证用的固体激光器的…     

发射633nm光的半导体激光器

迄今为止,生产的半导体激光器发出的光都是在不可见的红外与几乎不可见的暗红(670nm)之间。最近飞利浦研究实验室成功地研制出一种新型的半导体激光器。这种激光器发射出的光波波长与广泛应用的He-Ne气体激光器光波波长(633nm)相同。     

赴美考察综合报告(摘录)

北京真空电子器件研究所微波管和气体激光器访美考察代表团一行五人,于1980年10月7日到11月8日赴美考察,先后访问了计算机公司、微波管公司、微波技术公司、气体激光器公司、材料公司、高等学校和海军实验室等共计20余个单位。回国后编写了五篇考察报告,它们是: (1)综合报告(胡汉泉执笔);(2)材料工艺陶瓷考察报告(刘联宝执笔);(3)微波半导体和计算机等方面见闻(郑浩执笔);(4)各微波管公司微波管新技术考察报告(叶鲁执笔);(5)气体激光器考察报告(张秉荣执笔)。限于篇幅,本文仅报导综合报告中的微波管部份。     

INTENSE进军中国市场——科艺仪器在远东地区代理其新一代半导体激光器

英国，格拉斯哥，当地时间2008年1月14日，Intense公司，新一代激光器研究开发和制造者，与专业的世界先进激光器和仪器设备经销商科艺仪器有限公司（A＆P INSTRUMENT）签署了一份分销协议。该协议授权科艺仪器在远东地区代理分销Intense全系列高功率半导体激光器产品，包括搭载其专利的QWI（量子阱混合）技术的可见和红外半导体激光器和激光器阵列，     

英国标准电话电缆公司用MOCVD法制造激光器

据欧洲激光器制造巨商一英国标准电话电缆公司光学器件实验室主任Ρ. 柯克比说，该公司远在80年代之前就开始用MOCVD工艺生产激光器及其它光电器件。     

动态单模半导体激光器

动态单模(DSM)半导体激光器是一种新型激光器,即使在快速直接调制下它仍以单模状态工作。该激光器是一种很有吸引力的光源,它开创了处于1.5～1.6μm最低损耗波段的宽带光纤通信。就实现DSM特性的各种可能途径而言,已经证明分布布喇格反射器(DBR)集成激光器和分布反馈(DFB)激光器是可行的。本文中给出了发射波长为1.5～1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构DBR激光器的激射特性。在这些激光器中,在高达3GHz的高频直接调制状态下仍呈稳定单模振荡,测得在高速调制下的动态光谱宽度小于0.3nm。已获得了BH对接埋设(BJB)-DBR激光器的室温连续波工作,输出功率为几mW。提出了在1.55μm波长实现宽频带、低损耗单模光纤传输的可能性,估计带宽为185Gbit/S·km,此外,还考虑了DSM激光器的各种应用。     

英国新建半导体激光器生产设施

英国普里西光电子有限公司在芯片制造、装配和试验设施上已投资约500万美元，其中用于激光设施的约210万美元。公司生产的激光器计划满足通讯需求，它们将在1300毫微米处提供高达每秒565兆比特的速率。以前，该公司仅生产发光二极管光纤发射器，现在普里西研究所正在制造激光器芯片，送到该公司装配，预计在1986年3月份，公司将独立生产。     

半导体激光器在电子焊接领域的应用

采用近红外波长790-900nm、功率8到20W的半导体激光器焊接电子元件与传统的软熔技术相比有着更多的优点:可以大幅度减少传到部件上的热量,精确定位点焊,在复杂的几何位置上焊接,还可以一步完成剥线和焊线。由于焊点尺寸小,使得在电路板、连接器和柔性印刷电路板上的小部件焊接和电子元件的高密度焊接成为可能;而且,焊点间潜在的架桥现象大为减少。不仅如此,激光器还具有输出功率恒定的能力,这保证了每一个焊点的均匀一致,大大提高了焊接质量及可靠性。 下面介绍的应用实例均使用相干(Coherent)公司生产的30W带光纤半导体激光器系统(FAP—System)。系统内     

贝耳研制新型半导体激光器

在一次少有的记者招待会上，贝耳实验室透露了一种在纤维光学通信上具有革命性潜力的新型半导体激光器。这种器件被称为解理耦合腔或C3激光器，它被誉为第一只可从一种频率向另一种频率进行超纯频率调制的实用光通信激光器。此种激光器还能极大地增大光纤的传输距离和容量，从而大大减小光通信系统所需元件的体积。     

半导体阵列激光器

日本三菱电机公司研制出即使在室温下也能以过去1/5的小电流振荡的半导体阵列激光器。该激光器,由铟、砷化镓形成多量子阱结构的激光发光区域,对于区域内的晶体横向加应力,使其形变,在制造工艺技术上采用了可使晶体均质生长的有机金属气相生长(MOCVD)法。据此,提高了激光振荡所需的电子比例,即使在1.5mA的小电流(室温     

VICTREX~PEEK~在SEMICON China 2007展示半导体行业主要应用

英国威格斯公司(Victrex plc)在3月21日举办的SEMICON CHINA展会期间,展示了该公司在半导体领域的一系列专有技术。     

780nm大功率半导体激光器

<正>据日本《电子材料》1992年第10期报道,日本夏普公司已制成780nm大功率半导体激光器,可用作光盘高速记录,并能省去用于目前光发射器的光束整形棱镜。这种激光器,把激光器壁的开口处作为窗层,生长AlGaAs层。该公司采用独特的技术——端面生长法,因适用于光密度比以前高的窄条结构,在低的椭圆率(2)时,光输出功率70mW,连续工作4000小时(环境温度为60℃),已达到世界最高实用化水平。 若该激光器适用于光盘系统,就能获得以下性能: (1)因光输出功率大(70mW),光盘的记录可高速化。 (2)由于激光束截面强度分布更接近于圆(椭圆率为2),可省去光束整形的棱镜,能使光发射器简单化、轻量化。 (3)因为器件寿命长,可提高系统的可靠性等。     

激光器及其可控聚变应用

1972年4月在美国纽约召开的美国光学学会春季会议上,激光器技术小组座谈了关于激光器及其可控聚变应用问题。会议主席是联合飞机公司研究实验室的霍特(Alan Haught),参加的成员有洛斯阿拉姆斯科学实验室的博耶(Keith Boyer)、海军研究实验室的埃米特(John Emmett)、劳伦斯     

半导体激光器的研究进展

近年来半导体激■器的研制工作取得很大进展,主要集中体现在今年10月14日至17日在日本金泽召开的第十届IEEE国际半导体激光器会议的论文上。会上报告了99篇文章,分为15个专题,即可见光和GaAlAs激光器,集成激光器,线宽和线宽伸缩(chirping),材料,DFB激光器,窄束激光器和列阵,单片激光器,外腔激光器,双稳态和光放大器,高功率激光器,杂项,高     

英国Ferranti公司CO_2激光器及测距仪

英国Ferranti公司电光分部正在研制脉冲和连续CO_2激光器,最后可能要取代目前该公司的Nd:YAG激光器产品,并将扩大应用领域。据说,最近美国休斯飞机公司为M_1 Abrams坦克激光测距仪已选用了此CO_2激光发射机,英国防卫部(MOD)则计划在目前热成像通用组件上装用。