离子注入MOS有效少子产生寿命空间分布的确定

本文讨论了深耗尽MOS电容器的少子产生机构,提出测量有效少子产生寿命空间分布的方法。对低剂量注B的样品进行了测量,结果表明注入层比体内的有效少子产生寿命低,从Si-SiO_2界面到体内,有效少子产生寿命逐渐增大,最后到达注入离子没有穿透的体区,保持一常数。     

高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化

在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测.检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%以内,当生长工艺参数改变时,单晶少子寿命的径向分布规律虽然会有所不同,但对少子寿命径向均匀性的影响却几乎可以忽略.而在真空环境、不同工艺参数下生长的单晶,其少子寿命的径向分布及均匀性的变化则十分的明显,还会经常看到中心少子寿命400～500μs、边缘区域少子寿命高于1 000μs的单晶.本文在单晶生长试验的基础上,通过对产生这种现象的原因进行分析,确定了采用适当地降低晶体生长速率、提高加热功率的方法,可以使高阻真空区熔硅单晶中心区域的少子寿命的提高,并使其径向分布变均匀.     

RC-GCT中集成二极管特性的设计与优化

首先简要地分析了各种少子寿命控制技术的特点。指出了逆导型门极换流晶闸管（RC-GCT）中集成二极管的设计要求和考虑。在此基础上,采用结构参数优化和少子寿命控制相结合的方法。利用MEDICI软件对集成二极管的各项特性进行了模拟。最后。通过模拟结果分析。确定了RC—GCT中集成二极管的特性设计参数和工艺实现方法。     

γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×10~5—1×10~7rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×10~7rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度(τ/τ_0)讨论了有关结果。     

新型低损耗快速薄发现极晶闸管关断时间和通态压降的分析

本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发现极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较了详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５－１／３，而通态特性没有恶化     

新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析

本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５～１／３，而通态特性没有恶化。     

株洲电力机车研究所电力电子事业部

株洲电力机车研究所电力电子事业部(原半导体厂)成立于1964年，坐落在美丽的湘江之滨，富庶的工业重镇一一湖南株洲。主要从事大功率半导体器件的研发生产，是我国最早开发大功率半导体器件的单位之一，是我国铁路机车大功率半导体器件研究开发及生产基地。主要产品有普通晶闸管、普通整流管、快速整流管、快速晶闸管、非对称晶闸管、门极可关断晶闸管。     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺（刻蚀、腐蚀、硫化）中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

N型碲镉汞材料的少子寿命分布测量

目前,碲镉汞已被广泛用于制造热成象中采用的光子探测器。而在光子探测器的性能中,少子寿命是一个重要参数。在光电导器件中,探测率正比于τ(1/2)。而当光导器件工作在“扫出”方式时,要达到“扫出”而所件中,需的电场正比于τ(-1)。在扫积型(SPRITE)器等效背景限探测器数目正比于τ(1/2)。在光伏器件中,τ也是一个重要参数,因为它决定了扩散长度及少子收集效率。因此人们希望能够确定碲镉汞的寿命,从而有助于选取好的材料。所以我们开发了一种测量从原始晶锭上切下来的N型碲镉汞晶片的寿命分布技术。     

如何判断通信开关电源的优劣

开关电源技术在２０世纪８０年代引入我国,如今已广泛应用于通信领域。由于通信电源的性能直接影响着通信系统的可靠性,因此正确判别开关电源的优劣也就显得尤为重要。仅从电源的输入、输出特性指标来衡量开关电源的优劣,显然是不够的,还应该从下列几方面着手。 一、功率器件 开关电源技术属于电力电子技术,它运用功率变换器进行电能变换,因而从功率器件的类型上很容易推断出产品大致的研发年代。我们知道,大功率硅整流管和晶闸管出现于２０世纪６０年代;大功率逆变用的晶闸管、巨型功率晶体管（ＧＴＲ）和门极可关断晶闸管（ＧＴ…     

电子辐照技术在高压大功率开关晶体管制造工艺中的应用

在高压大功率开关晶体管制造工艺中,如何才能精确地控制少数载流子寿命,这是器件工作者长期以来不断摸索、探讨的一个课题.其原因就在于半导体器件本质上是利用少子扩散运动的器件.少子寿命是器件最重要的特征参数之一.晶体管的许多电气参数诸如h_(FE)、V_(cos)、t_(on)、t_(off)等均与少子寿命有着非常密切的关系.可以说没有掌握少子寿命控制技术,就不能协调好功率开关管诸电参数,就不可能制造出高水平的开关晶体管.因此,少子寿命控     

SOA注入电流及载流子寿命对UNI开关窗口的影响

对影响超快非线性干涉仪(UNI)开关窗口的半导体光放大器(SOA)的注入电流及载流子寿命进行了数值模拟实验研究。由于SOA的增益与其注入电流I成正比,与载流子寿命τc成反比。基于此分析了这两种因素对UNI开关窗口的影响,加大注入电流可以提高SOA的增益,使得UNI开关窗口的高度增加;减小载流子寿命使SOA的恢复速度加快,有利于开关窗口的形成。进行了10Gb／s的UNI全光开关实验,实验中用连续光代替数据脉冲以观察窗口形状,通过改变SOA注入电流进行验证。实验表明,在窗口形状不变的条件下,应选用尽量大的SOA注入电流,可使窗口高度增加,与模拟结构基本吻合。     

新型发射极开关类晶闸管

本文提出了两种新型发射极开关晶闸管：辅助关断发射极开关晶闸管ＡＯＥＳＴ和双注入发射极开关晶闸管ＤＩＥＳＴ。研究了发射极开关类晶闸管ＥＳＴ、ＡＯＥＳＴ、ＤＩＥＳＴ正向工作特性及关态工作特性，比较了它们各自的优缺点，同时为该类功率器件发展提出了设想。     

玻璃钝化硅快恢复整流二极管

本文对２ＣＮ６型玻璃钝化硅快恢复整流二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析，确定了合理的结构参数和先进的工艺流程，选用合适电阻率和厚度的Ｎ型硅单晶片，采用磷、硼深扩散，精确控制基区宽度形成Ｐ＾＋ＮＮ＾＋结构；铂扩散降低少子寿命τ，从而缩短反向恢复时间τｒｒ；双面蒸铝得到铝硅欧姆接触以降低正向压降ＶＦＭ；钼柱过渡高温冶金焊接确保抗拉强度，并与硅芯片及玻璃实现良好热匹配；化学腐蚀形成台面降低表面电场     

中子嬗变掺杂硅（NTD—Si）的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一

评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。     

测试温度对硅少子产生寿命的影响

在硅集成电路工艺中可采用吸杂工艺来改善器件性能,而应用MOSC-t方法测试的少子产生寿命是反映吸杂工艺效果的重要参数,因此,准确地测定该项参数具有十分重要的意义.实验表明,测试温度对少子产生寿命影响甚大.为此,有的实验室规定在某一温度下测试,有的仅以c-t曲线的弛豫时间作为相对度量.不言而喻,这些做法都存在一定的缺点.本文经过对测试过程的深入分析,认定测试温度对少子产生寿命的影响来源于温度对硅中本征载流子浓度的影响.通过对不同少子产生寿命样品的测试,验证了上述分析的正确性.     

宽带半导体p－n结中少数载流子扩散长度和寿命的测定

宽带半导体ｐ－ｎ结中少数截流子扩散长度和寿命的测定＝［刊，俄］／－１９９３．２２（２）．－３８～４２少数载流子的扩散长度Ｌ和寿命τ，是决定许多半导体器件性能的最重要的材料参数之一。下列器件的ｐ－ｎ结构尤其是属于这种情况，如二极管、双极晶体管、光电二极...     

长波碲镉汞材料的低温退火

本文分析和讨论了碲镉汞材料退火的微观机制和退火条件，根据分析的结果对加速旋转坩埚技术布里奇曼法生长的长波碲镉汞材料进行了低温退火实验，取得了满意的结果。对于０．７ｍｍ厚的样品，１９０～２２０℃下汞饱和等温退火５０～６０天可获得电学性能优良的ｎ型材料。７７Ｋ下载流子浓度ｎ＜５×１０１４ｃｍ－３，载流子迁移率μ＞１×１０５ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，少子寿命τ＞１μｓ。     

改进工艺的1000A／2500V逆阻型GTO

论述了１０００Ａ，２５００Ｖ大功率逆阻型可关断晶闸管的基本设计原则，给出了主要工艺特征和元件的开关特性。采用改进的扩散工艺，掺氯氧化，高能电子辐照技术和湿法凹槽门极挖槽技术，使逆阻型ＧＴＯ的参数折衷和少子寿命分布达到了最佳化，从而获得了优化开关特性的ＧＴＯ元件。