蔬菜中三唑磷残留测试方法研究

本文报道了一个准确而简便的蔬菜中三唑磷残留的测试方法。样品以丙酮提取、二氯甲烷液０－液分配，酸洗活性炭脱绿色素－，气相色谱法（磷、硫滤色片）检测，固定相为ＯＶ－１或ＯＶ－１７。最小检出量为２．４－３．５×１０＾１２克，最小检出浓度０．０５－０．００７毫升／公斤，添加回收率８８．０－９２．４％，变异系数５．０－９．０％。     

甲基对硫磷,三唑酮和氟乐灵的同柱气相色谱分析

本法采用长１．５米、内径３毫米、填装４．５％ＤＣ－２００＋２．５％ＯＶ－１７／ＣｈｒｏｍｏｓｏｒｂＷＡＷＤＭＣＳ（６Ｏ～８Ｏ目）的玻璃柱，以电子捕获检测器，在相同的气相色谱条件下，对氟乐灵、甲基对硫磷及三唑酮进行了定量分析，其最小检测量分别为氟乐灵１．６５×１０￣（－１１）克、甲基对硫磷２．９１×１０￣（－１１）克、三唑酮３．２１×１０￣（－１１）克。     

气相色谱法测定腈菌唑的含量

本文采用气相色谱法分析腈菌唑的含量，选用ＯＶ－１７固定液，Ｇａｓ－ＣｈｒｏｍＱ担体制备色谱柱，该法平均响应值为１．０９５５，线性范围宽（称样比从０．６７６７～１．６９２１皆可），回收率在９９．５２～１００．７８％之间，标准偏差≤４．２×１０￣－３，变异系数＜Ｏ．５４％。     

制备γ—LiAlO2陶瓷芯块的工艺参数研究

本采用冷压－烧结工艺研究了γ－ＬｉＡｌＯ２陶瓷芯块密度ρ（克／厘米＾３）与压制压力Ｐ（ＭＰａ），烧结温度Ｔ（℃）烧结时间（小时）和添加剂量Ｍ（克ＰＶＡ／克干粉）等工艺参数之间的关系，由实验结果，可归纳出如下关系式：ρ＝２．５×１０＾－３Ｐ＾０．１９Ｔ＾０．７５ｔ＾０．０３３Ｍ＾－０．０５（Ｍ＞０），此式可作为制备γ－ＬｉＡｌＯ２陶瓷芯块的工艺依据。     

一次低烧SrTiO3基晶界层电容器的研究

研究了以Ｌｉ２ＣＯ３为助烧结剂、Ｓｒ（Ｌｉ１／４Ｎｂ３／４）Ｏ３为施主掺杂剂、Ｂｉ２Ｏ３和ＳｉＯ２为晶界绝缘剂的ＳｒＴｉＯ３基晶界层电容器的一次低温烧成技术。初步探索了Ｔｉ／Ｓｒ比值、施主掺杂剂、绝缘剂对显微结构及介电性能的影响。在１１５０℃烧成温度下，获得了εａｐｐ〉３．５×１０＾４；ｐ〉１．０×１０＾１１Ω·ｃｍ；ｔｇδ〈１．０％；ΔＣ／Ｃ〈±５．０％（－２５￣＋８５℃）的ＳｒＴｉＯ３基晶界层     

稀土—偶氮胂Ⅲ配合吸附波法测定稀土元素

在ｐＨ值为３的ＮＨ３．Ｈ２Ｏ－ＮＨ４Ｃｌ介质中,镧,铈,镨与偶氮胂Ⅲ（ＡＳＡⅢ）形成配合物,并于－０．７１Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）处产生灵敏的配合物吸附波峰电流与镧,铈,镨浓度分别为３．６×１０＾－８～１．４×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ,１．８×１０＾－８～８．６×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ,３．５×１０＾－８～７．０×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系,测得镧与偶氮胂Ⅲ的配合比为１：１。稳定常数为４．５×１０＾     

Fe2O3—SrO—TeO2系半导体玻璃电导的研究

有准急压冷法制成Ｆｅ２ｏ３－ＳｒＯ－ＴｅＯ２系半导体玻璃并对其直流电导率进行了测定。玻璃形成范围为（以摩尔计）０≤ｆｅ２Ｏ３≤２３％；０≤ＳｒＯ≤１８％；７５％≤ＴｅＯ２〈１００％。通过Ｓｅｅｂｅｃｋ系数的测定确认Ｆｅ２ｏ３－ＳｒＯ－ＴｅＯ２系玻璃为ｎ型半导体玻璃。２００℃的直流是导率为３．７２×１０＾－５－１．８２×１０＾－６Ｓ．ｃｍ＾－１。直流电导率随着Ｆｅ２Ｏ３含量的增加而增加。１６５℃时的     

不同引发速率下的苯乙烯乳液聚合

研究了在引发速率相差千倍的情况下，胶乳粒子的成核机理，胶乳粒子和自由基的静电相互作用对乳液聚合动力学以及胶乳粒子的成核和成长的影响。当反应温度为６０℃，引发剂为过硫酸钾／［ＶＯ（Ｈ２Ｏ）５］＾２＋（ＶＯ＾２＋）或叔丁基过氧化氢（ｔ－ＢＨＰ）／ＶＯ＾２＋时，引发速率由精确计量泵的注入量来控制，其最低和最高值分别为５．３×１０＾－７ｍｏｌ／（ｄｍ＾３·ｍｉｎ）和４．６×１０＾－４ｍｏｌ／（ｄｍ＾３·ｍ     

CaFe0.2Ti0.8O3-δ混合导体的电导和氧渗透性能研究

采用固相反应法制备了致密的高温混合导体ＣａＦｅ０．２Ｔｉ０．８Ｏ３－δ,测量它在９００－１１００℃的总电导率为０．０８－０．１１Ｓ／ｃｍ,氧渗透率为１０＾－８－１０＾－１０ｍｏｌ／ｃｍ＾－２．ｓ结合总电导与氧渗透的数据计算出样品的电子和离子导电率,在１１００℃时分为０．１１和８．５×１０＾－３Ｓ／ｃｍ;氧渗透活化能约为１７０ｋＪ／ｍｏｌ;氧离子和电子电导活化能分别为１７９±６和２２±２ｋＪ／ｍｏｌ     

复合电镀（Ni—P）—SiC的新工艺

研究了复合电镀（Ｎｉ－Ｐ）－ＳｉＣ过程，发现随镀液中ＳｉＣ浓度增加，阴极极化随之增加，分散能力下降，镀液中加入混合稀土后，镀层硬度由５７４ＨＶ提高到６０２ＨＶ，相对磨损量由４．５４×１０＾－２ｇ／ｃｍ＾２下降到３．５×１０＾－２ｇ／ｃｍ＾２与Ａ３钢相对耐磨性提高４．１倍。     

黄瓜瓜蒂组织液化学传感器研究

研制了以四（十二烷基）铵（ＴＤＡＣ）－十六烷基苄基二甲基铵（ＣＢＤＭＡＣ）－黄瓜瓜蒂组织液－丙戊酸钠为电活性物,以石墨粉内导材料的ＰＶＣ膜电位型丙戊酸钠化学传感器,此传感器选择性,稳定性,重现性都较好,其线性范围为３．０×１０＾－６～１．０×１０＾－２ｍｏｌ．ｌ＾－１检测下限为１．０×１０＾－６ｍｏｌ．ｌ＾－１斜率为５９ｍＶ／ｐＣ（２５℃,ｐＨ＝９～１１）。     

电导滴定法测定加碘盐中碘酸钾含量

以Ｂａ（ＯＡｃ）２为滴定剂，对ＫＩＯ３溶液进行电导滴定，利用电导率的演变来确定终点，通过计算求得ＫＩＯ３的浓度，检测下限为２．５×１０＾－５ｍｏ·Ｌ＾－１．最佳条件下的相对误差为－０．４％，此法成功地测定了加碘盐中的碘含量。     

Fe_2O_3－SrO－TeO_2系半导体玻璃电导的研究

用准急压冷法制成Ｆｅ_２Ｏ_３－ＳｒＯ－ＴｅＯ_２系半导体玻璃并对其直流电导率进行了测定。玻璃形成范围为（以摩尔计）；０≤Ｆｅ_２Ｏ_３≤２３％；０≤ＳｒＯ≤１８％；７５％≤ＴｅＯ_２＜１００％。通过Ｓｅｅｂｅｃｋ系数的测定确认Ｆｅ_２Ｏ_３－ＳｒＯ－ＴｅＯ_２系玻璃为ｎ型半导体玻璃。２００℃的直流电导率为３．７２×１０￣（－５）～１．８２×１０￣（－６）Ｓ·ｃｍ￣（－１）。直流电导率随着Ｆｅ_２Ｏ_３含量的增加而增加，１６５℃时的载流子迁移率和浓度分别为１．１２×１０￣（－９）～３．６７×１０￣－７ｃｍ￣２·Ｖ￣（－１）·Ｓ￣（－１）和２．１７×１０￣（２１）～８．３３×１０￣１９ｃｍ￣（－３）．讨论的结果表明Ｆｅ_２Ｏ_３－ＳｒＯ－ＴｅＯ_２系玻璃的电导机理符合小极化子跳越理论。     

苯妥英钠化学传感器的研制

研制了苯妥英钠ＰＶＣ膜化学传感器，该传感器选择性好，稳定性好，其线性范围为１．０×１０＾－１－１．０×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，检测下限为１．８×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ，为５９．１ｍｖ／ｐｃ（２９８Ｋ，ＰＨ＝４．０－１１．５）。     

钽离子注入型对锂硅酸盐电极玻璃电性质的影响

本文在Ｌｉ２Ｏ－Ｌａ２Ｏ３－Ｔａ２Ｏ５－ＳｉＯ２系统电极玻璃中注入５０ｋｅＶ，剂量分别为５×１０＾６，１×１０＾１７，２×１０＾１７ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２的Ｔａ＾＋离子，测定了注入前后电导率Ｔｋ－１００的变化，计算了活化能，结果表明，Ｔａ离子注放后，随剂量的增加，电导率和Ｔｋ－１００增加，活化能降低，并探讨了注入后电导率和Ｔｋ－１００变化的机理。     

电热蚊香片有效成分的气相色谱分析

研究了５种电热蚊香片的气相色谱分析，色谱条件如下：色谱柱，１．８３ｍ×２ｍｍ内径玻璃柱；固定液为１．５％＃ＯＶ－１７＋１．９５％ＯＶ－２１０，载体为１００／１２０目ＣｈｒｏｍｏｓｏｒｂＷ－ＨＰ；载气，Ｈ２４０ｍＬ／ｍｉｎ；柱温１８５℃。右旋丙烯菊酯保留时间约为１０．４７ｍｉｎ。     

气相色谱法测定辛－氰乳油

本文报道一个简单快速测定辛－氰乳油中辛硫磷和氰戊菊酯的分析方法。用ＳＱ－２０６气相色谱仪，ＦＩＤ检测器，色谱柱为０．５ｍ×３ｍｍ不锈钢柱，５％ＯＶ－１０１／Ｃｈｒｏｍ．Ｇ．Ｈ．Ｐ．８０～１００目。在适当条件下进行定量分析。该方法简单、快速，结果可靠，回收率为９６．２～１０１．７％，变异系数为０．９３～２．１０％。     

铜（Ⅱ）,N,N‘—双（3,5—二溴水杨醛缩）邻苯二胺配合物吸附波及其应用

在０．０１ｍｏｌ／ＬＮＨ３，Ｈ２Ｏ－ＮＨ４Ｃｌ溶液中，铜（Ⅱ）－Ｎ，Ｎ’－双（３，５－二溴水杨醛缩）邻苯二胺（Ｄｂｓａｌ－ｏ－ＰｈｄｎＨ２）配合物产生灵敏的吸附波，波的峰电位是－０．３８Ｖ（ｖｓ·ＳＣＥ），峰电流与铜（）的浓度在２．０×１０－８－８．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ范围内成正比，检测限是６×１０－９ｍｏｌ／Ｌ，本方法用于检测水中的铜，回收率为９７．５％～１０３％。     

2.5次微分溶出伏安法同时测定水中痕量钴和镍

在０．０１ｍｏｌ／ＬＮＨａ·Ｈ２Ｏ＋ＮＨ４Ｃｌ（ｐＨ＝８．９）和２．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ酸性铬兰Ｋ（ＡＣＢＫ）溶液中，钴和镍均产生非常灵敏的还原波，峰电位分别是－０．５２Ｖ和－０．６４Ｖ（８８·ＳＣＥ），峰电流与钻和镍的浓度分别在３．０×１０－８～５．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ和２．０×１０－～４２×１０－７ｍｏｌ／Ｌ范围内成直线关系，该法用于测定水中痕量钴和镍，结果令人满意。     

ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究

对ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０＾－４，αｃ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０＾－５／℃。调整各组分，获得一系列αｃ〉０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０＾１３Ω，αｃ＝０±３０×１０＾－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低