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Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制 总被引：1，自引：0，他引：1
为了提高AlGaN/GaN HEMT的频率,采用了缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了器件结构,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备.测试表明所研制的AlGaN/GaN HEMT可以满足Ka波段应用.其中2×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT在30V漏压下的截止频率为32GHz,最大振荡频率为1... 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2018,(2)
报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为95GHz及230GHz。采用该工艺制备的自偏压三级放大电路工作电压7V,在33~47GHz小信号增益大于20dB,噪声系数均值在2dB左右,单频点噪声系数可达1.6dB,噪声水平达到GaN器件在该频段的高水平。此外,该单片电路的功耗在560mW左右,带内连续波测试输出P-1>15dBm。 相似文献
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为了研究适合Ka波段GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了T型栅各部分对GaN HEMT特性的影响,包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响,以及栅金属厚度对最大震荡频率,栅场板对截止频率、最大震荡频率和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明,为了提高频率并减轻短沟道效应,栅长应取0.15~0.25um;减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应,但会明显降低器件的饱和漏电流,综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面,栅与沟道距离应取10~20nm;为了提高最大振荡频率,栅金属厚度应大于0.4um;缩小栅场板长度可有效提高器件的频率,兼顾Ka波段应用和提高击穿电压,栅场板长度应在0.3~0.4um左右。仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段GaN HEMT的研究具有参考意义。 相似文献
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介绍了通过插入ＩｎＡｓ层到ＩｎＧａＡｓ沟道中，改善了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的性质，合适的ＩｎＡｓ层厚度和准确的插入位置会使在３００Ｋ时此结构的ＨＥＭＴ比普通结构的ＨＥＭＴ的迁移率和电子速度分别提高３０％和１５％。 相似文献
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（Ａｌ．Ｇａ）Ａｓ－ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）具有跨导大、截止频率高、噪声低、开关速度快以及功耗低等特点。是一种比ＭＥＳＦＥＴ优越的新型器件。在器件模拟这一领域，已经发展了一维分析模型、二维数值模型或半数值模型以及针对小尺寸器件的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模型。对部分一维和二维器件模型作了综合介绍和分析。 相似文献
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南京电子器件研究所研制的８ｍｍ高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的８ｍｍ波段ＰＨＥＭＴ功率器件,具有频率特性好、增益高、输出功率大、使用方便等优点。为更好地发挥异质结材料的性能,采用ＣＡＤ技术,对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础... 相似文献
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微波GaAs／AlGaAs高电子迁移率晶体管 总被引：1，自引：0，他引：1
采用国产分子束外延设备及国内外尚未报导的部分工艺,试制出具有微波特性的高电子迁移率品体管,其跨导80～135mS/mm,在4GHz下,最小噪声系数2.49dB,最大功率增益10.2dB。 相似文献
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应用于毫米波系统的行波管电压低、效率高,本文简要分析了低电压、高脉冲输出功率Ka波段行波管关键技术,介绍了设计方案和制管结果。行波管在17 kV工作电压脉冲输出功率600 W。 相似文献
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报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果.在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构.器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和最大频率分别为105 GHz和235 GHz.基于70 ... 相似文献
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《电子技术与软件工程》2019,(21)
本文基于Ga N基高电子迁移率晶体管设计了一款宽带平衡功率放大器,并重点对平衡功率放大器、宽带匹配、耦合器、偏执电路以及电路的设计仿真做了重点说明,通过对电路进行功率测试分析,本放大器在10W功率性能上具有一定优越性,在30w功率达到了同等水平。 相似文献
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