振华科技（000733）：西部硅王挑战有研

随着半导体产业全面复苏．市场开始疯狂追捧半导体硅材料股，有研硅股（资讯行情论坛）今年以来已涨了73％，为06年第一大牛股，是名副其实的。超牛”．振华科技（资讯行情论坛）（000733）是我军配套能力最强的硅管和芯片生产研发基地，也是我国半导体硅元件的主要生产商，年产10亿只硅管，产品有硅通用晶体管、硅高频晶体管、硅集成稳压器、硅肖特基二极管、硅开关二极管、硅高压晶体管、硅达林顿晶体管、以及三端集成稳压器等十余个门类，是各类电子产品的基础元件．     

高性能氮化镓晶体管研制成功

据美国物理学家组织网9月22日(北京时间)报道,法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在(100)-硅(晶体取向为100)基座上,成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管(HEMTs)。此前,氮化镓只能用于(111)-硅上,而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(CMOS)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明,新晶体管能同由(110)-硅制成的CMOS芯片兼容,科学家可据此研制出兼具CMOS     

响应速度打破纪录的纳米线晶体管——可代替硅晶体管的砷化镓纳米线晶体管

<正>几十年来,计算机芯片制造商一直致力于减小硅晶体管的尺寸以提高芯片的计算能力。目前,最小硅晶体管的宽度只有14nm,但是,晶体管小型化的步伐有可能会在未来10年内结束。为突破硅材的限制,研究人员正在研究利用电性能高于硅的材料设计晶体管。最近,研究人员利用最有希望的候选材料——砷化     

北大在碳晶体管,哈工大在金刚石芯片均取得进展

前段时间,以彭练矛为首的北大科研团队传出喜讯,在以石墨烯为基础的碳基领域取得了突破,不仅掌握了整套碳基CMOS集成电路无掺杂的制备技术,而且还制作出了栅长达5nm工艺的碳晶体管,尺寸方面比肩市场上主流的硅基晶体管。这无疑是一项中国式“奇迹”,因为中科院的8英寸石墨烯已经让我们领跑全球了,如今的碳基技术更是展开了碳基芯片的蓝图,其他各国只能望其项背。     

研究提高纳米级硅薄膜传导性，结构表面重要性凸现

摩尔定律预测，只需不断缩小芯片尺寸，芯片密度就能持续增加。但不幸的是，随着硅片层厚度缩小至纳米级，它们的电阻趋于增大，影响了密度进一步增加的效用，潜在阻碍了摩尔定律。威斯康辛大学研究人员偶然发现了扭转这一趋势的表面处理方法，使纳米级硅薄膜变薄时传导性更佳，从而将摩尔定律延伸到原子尺寸。     

光刻法制作源漏电极的薄膜晶体管

采用光刻法制备了薄膜晶体管的银源漏电极,实验中变换不同的刻蚀剂以减少对SiO2栅绝缘层的损害。底接触法蒸镀的酞菁铜作为晶体管器件的有源层,制得的晶体管器件的输出特性曲线显示该器件的输出电流具有趋于饱和的倾向。     

硅衬底蓝色发光器研发成功

“业内普遍认为，半导体发光灯替代传统灯，如同半导体晶体管替代真空电子管一样意义重大而深远。”教育部发光材料与器件工程研究中心主任江风益教授向记透露：“我们已经成功研制出硅衬底GaN蓝色发光二极管材料及器件，现在小试已经完成，正在进行中试。”     

石墨烯的合成与应用

论述了石墨烯非凡的物理及电学性质,包括电子输运-零质量的狄拉克-费米子行为,量子霍耳效应,最小量子电导率,量子干涉效应的强烈抑制等;石墨烯的机械和化学制备方法和石墨烯在纳电子器件方面、计算机芯片取代硅、制造最快的碳晶体管、减少噪声方面和潜在的储氢材料领域等方面的应用.     

碳纳米管晶体管向商用迈出重要一步

<正>美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家日前在碳纳米管晶体管制造技术上获得了一项突破。由其开发出的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题,在开关速度上获得了比普通晶体管快1 000倍,比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍的成绩。碳纳米管晶体管向正式商用迈出了关键一步。碳纳米管是将单层的碳原子薄片卷起形成的管状材料,作为一种半导体材料,碳纳米管有很多优于硅的天然属性,电子在其中可以比在硅晶体管中更轻松地转移,实现更快速的数据传输,很早就被认为是制造下一代晶体管的理想材     

英科学家解开石墨烯取代硅基材料的“死穴”

<正>英国利物浦大学的科学家开发出一种与石墨烯相关的新材料,其具有改善电子设备中使用的晶体管的潜力。这种名为"三嗪基石墨相氮化碳"的新材料早在1996年就获得了理论预测,但这是它第一次被研制出来。目前的晶体管由昂贵的硅制成,在电子设备中应用时会产生热量。科学家们一直在寻找一种可以取代硅的炭基材料,但作为半导体使用,要求这种材料拥有电子能带隙。只有一个原子厚的石墨烯因具有强度大、导热和导电效率高等特性,     

韩制成可伸缩石墨烯晶体管

韩国科研人员制造出了一种以可伸缩的透明石墨烯作为基底的新型晶体管。由于石墨烯具有出色的光学、机械和电性质，新型晶体管克服了由传统半导体材料制成的晶体管面临的很多问题。     

IBM研发出新石墨烯晶体管

IBM公司的科学家最近研发出了新的石墨烯晶体管，其截止频率为155GHz，比2010年2月推出的100GHz石墨烯晶体管的速度增加了50％，而且尺寸更小。     

澳研制出完美的单原子晶体管

据英国《新科学家》杂志2月20日(北京时间)报道,澳大利亚科学家表示,他们研制出一种单原子晶体管,其由蚀刻在硅晶体内的单个磷原子组成,拥有控制电流的门电路和原子层级的金属接触,有望成为下一代量子计算机的基础元件。研究发表在2月19日出版的《自然.纳米技术》杂志上。     

新六边形硅有望成为性能优异的新型晶体硅

正美国科学家在最新一期《物理学评论快报》杂志撰文指出,他们开发了一种新方法,合成出了一种拥有六边形结构的新型晶型硅,这种晶型硅有可能被用于制造新一代电子和能源器件,这些新设备的性能将超过现有"普通"立方形结构硅制成的相关设备的性能。硅在人类生活中扮演着重要的角色,它是地壳中含量第二丰富的元素。像所有元素一样,硅也可以采取不同的晶体形式,即同素异形体。硅常被用于制造计算机和太阳能电池板等。尽管普通形式的硅无处不在,但其并不适合制造高性能晶体管和一些光伏器件等设备。     

新型石墨烯散热机理让手机不再“发烧”

<正>近日,罗格斯大学(Rutgers)的研究人员发现了一种利用石墨烯对微型芯片进行有效降温的新方法。在经历过各种手机的"发热门"之后,这一技术的重要性不言而喻——微型芯片由数十亿个晶体管组成,是电子设备的关键组件,而过高的温度对其性能有重大影响。"在芯片上配置二维超薄的石墨烯材料,其可以冷却芯片上产生热量问题的热点,"物理学与天文学系的物理学教授Eva Y.Andrei表示:"该解决     

全碳运算元件有望取代硅晶体管

<正>据物理学家组织网近日报道,美国科学家提出一种完全用碳制成运算元件的设计方案。他们表示,这一元件未来能被制造得比硅晶体管更小,且性能更好,有望替代硅晶体管,大大提升计算机的运算速度。研究发表在最新一期的《自然·通讯》杂志上。现有电子设备离不开晶体管,这种微小的硅结构器件类似开关,能打开和关闭电流。近年来,工程师们一直在想     

半导体硅器件钝化玻璃

本文介绍了半导体硅器件—晶体管用的钝化玻璃的技术要求,钝化玻璃的分类,概述了玻璃的化学组成及结构与其物理化学性能的关系,以及对硅晶体管钝化后电学性能的影响。以达到合理地设计玻璃成份,选定最佳的钝化材料,以提高器件的可靠性、稳定性。     

MOS级氢氟酸——栅氧化

硅表面上生成一层二氧化硅是硅平面工艺中一项重点工序,在MOS电路中它的作用更为重要。二氧化硅作为MOS晶体管的栅氧化层介质是MOS的核心组成部分,同时它又是电路中晶体管与晶体管、布线与布线、布线与衬底之间的隔离绝缘介质,所以MOS集成电路对氧化工艺的要求比双极型集成电路更为严格。     

水泥磨选粉机变频系统故障一例

我公司水泥磨选粉机355kW电动机所配控制柜的整流和逆变部分是由大功率晶体管组成,每个模块分为三相,每相由4个大功率晶体管组成,整流和逆变部分各由2个型号相同的模块并联组成。投产2年以后,选粉机出现故障,现象是水泥磨系统运行中突然停车,中控室显示选粉机机械保护停车,电气室现场控制柜上的控制面板显示晶体管跳停。检查电动机绝缘正常,重新启动,当转速达到810r/min以上时(正常工作转速为1250r/min左右),面板上显示晶体管跳停。当时怀疑逆变模块有问题,前后2次将2个模块更换,但重新启动又出现相同故障。后来又对控制柜内其它控制板进行…     

二维材料 材料界的一场新革命

正科技日报沈阳10月29日电(记者郝晓明)记者从中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心获悉,该中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管"硅—石墨烯—锗晶体管",成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上,并将其截止频率由兆赫兹(MHz)提升至吉赫兹(GHz)领域,未来将有望在太赫兹(THz)领域的高速器件中应用。该研究成果近日在《自然·通讯》上在线发表。