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针对封装体叠层中的堆叠焊球进行了有限元建模和应力分析,评估了TMV堆叠焊球这种新型焊接方式可能带来的可靠性隐患。通过仿真结果发现,堆叠焊球的应力集中比底部焊球更加严重,这说明热疲劳失效更容易发生在塑封胶穿孔中的堆叠焊球上,而原本针对底部焊球的可靠性测试标准则需要做出新的调整。此外,在两种不同的堆叠焊球成型中,雪人式焊球的应力集中比较水桶状焊球更加严重。通过参数研究可以发现,紧缩区域的宽窄程度是造成雪人式焊球应力集中的关键因素。 相似文献
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作者汇集国际会议相关外文论文,结合作者在华为等企业的工作实践,撰写此文,供同行参考。本文介绍了PoP(Package on Package)叠层封装的基本结构,SMT工艺模式和SMT组装工艺过程,重点介绍了PoP叠层封装的助焊剂/锡膏的浸蘸工艺过程,介绍了浸蘸锡膏材料及浸蘸锡膏的特性要求,PoP再流焊温度曲线的设定,对预制PoP~O在板PoP热循环疲劳结果分析。从底部填充材料选择、填充空洞、底部填充可靠CtgE3个方面介绍了PoP器件的底部填充效果和工艺。介绍了0.4mm细间距PoP器件的sMT组装工艺过程,及相关工艺参数的设定。介绍了0.4mm穿透模塑通孔(TMV)结构PoP器件的空气气氛下的再流焊工艺过程及相关工艺参数的设定。从对焊接缺陷、PoP封装各层状况和翘曲测量方面来介绍如何进行PoP器件的X线检测。从共面性和高温翘曲、温度循环、跌落冲击和弯曲疲劳4个方面介绍了0.4mmPoP器件的可靠性。本文最后介绍了PoP器件的清洗。 相似文献
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张勇 《现代表面贴装资讯》2013,(3):12-25
作者汇集国际会议相关外文论文,结合作者在华为等企业的工作实践,撰写此文,供同行参考。本文介绍了PoP(PackageonPackage)叠层封装的基本结构,SMTI艺模式和SMT组装工艺过程,重点介绍了PoP叠层封装的助焊剂/锡膏的浸蘸工艺过程,介绍了浸蘸锡膏材料及浸蘸锡膏的特性要求,PoP再流焊温度曲线的设定,对预制PoP和在板PoP热循环疲劳结果分析。从底部填充材料选择、填充空洞、底部填充可靠性3个方面介绍YPoP器件的底部填充效果和工艺。介绍To.4mm细间距PoP器件的SMT组装工艺过程,及相关工艺参数的设定。介绍了0.4mm穿透模塑通孔(TMV)结构PoP器件的空气气氛下的再流焊工艺过程及相关工艺参数的设定。从对焊接缺陷、PoP封装各层状况和翘曲测量方面来介绍如何进行PoP器件的×射线检测。从共面性和高温翘曲、温度循环、跌落冲击和弯曲疲劳4个方面介绍了0.4mmPoP器件的可靠性。本文最后介绍了PoP器件的清洗。 相似文献
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为了满足射频系统小型化的需求,提出了一种基于硅基板的微波芯片倒装封装结构,解决了微波芯片倒装背金接地的问题.使用球栅阵列(BGA)封装分布为周边型排列的GaAs微波芯片建立了三维有限元封装模型,研究了微波芯片倒装封装结构在-55~125℃热循环加载下金凸点上的等效总应变分布规律,同时研究了封装尺寸因素对于金凸点可靠性的影响.通过正交试验设计,研究了凸点高度、凸点直径以及焊料片厚度对凸点可靠性的影响程度.结果表明:金凸点离芯片中心越近,其可靠性越差.上述各结构尺寸因素对凸点可靠性影响程度的主次顺序为:焊料片厚度>金凸点直径>金凸点高度.因此,在进行微波芯片倒装封装结构设计时,应尽可能选择较薄的共晶焊料片来保证金凸点的热疲劳可靠性. 相似文献
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POP装配形式的出现满足了移动通信产品小型化、功能集成及提高存储空间的需求,但是在焊接过程中,POP封装体热变形会对产品质量和可靠性带来不利影响.简单介绍了POP组装工艺流程,针对封装体热变形对组装工艺的影响展开试验和结果分析,并总结了减小封装体热变形的措施. 相似文献
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背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺。晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高。严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效,应对晶圆的翘曲度进行控制和矫正。文章从“损伤层-翘曲度”理论出发,实验研究了晶圆厚度、粘片方式、研磨压力、磨盘转速、磨料粒径对翘曲度的影响。根据试验结果优化工艺参量,优化后晶圆的翘曲度降低了约20%;再通过湿法腐蚀去除损伤层,矫正已产生的翘曲,使晶圆的翘曲度降低约90%。优化减薄工艺降低损伤应力与湿法腐蚀去除损伤层分别是控制和矫正晶圆翘曲度的适用方法,可使翘曲度下降至之前的10%以内。 相似文献
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今天,各种电子设备在生活中日益普及,人们对于电子设备的要求已经不仅仅停留在功能上。轻薄化是电子设备发展的一个重要方向,随之而来的就是对液晶面板轻薄化的要求,而轻薄化会带来IC翘曲的问题。文章通过对IC翘曲的研究,得出了降低COG邦定中的主压温度并增高基座温度可以解决IC翘曲的结论。文中的结论对生产中COG邦定工艺的改善有很大作用,并且已经在企业生产中得以应用。 相似文献
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回流焊过程中,双边扁平无引脚(DFN)封装会因为巨大的温度变化产生翘曲和应力,影响超高频射频识别(RFID)芯片的性能和可靠性.选取DFN3封装为例从理论方面分析结构和材料参数对封装翘曲和应力的影响,发现减小环氧塑封料(EMC)热膨胀系数(CTE)、增大其杨氏模量均能减小封装翘曲;通过有限元仿真分析得出的结论与理论分析相一致.为了减小封装翘曲和应力,选定具有更小CTE的9240HF10AK-B3(Type R)作为新型EMC.通过有限元仿真结果对比发现,在25℃时,采用新型EMC的封装翘曲增大了 16.8%,应力减小了 4.1%;260℃时,其封装翘曲减小了 45.7%,应力减小了 9.2%.同时,新型EMC的RFID芯片标签回波损耗较之前优化了 6.59%. 相似文献
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覆铜板的翘曲分弓曲和扭曲,其检测方法有悬挂检测法与平放检测法,在CCL及PCB行业中,基本上都采用IPC-TM-650检测方法。 相似文献
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覆铜板和PCB板翘曲成因与预防措施 总被引:1,自引:2,他引:1
基板翘曲是覆铜板厂、印制电路板厂及相关用户极为关注的产品缺陷问题,基板产生翘曲的主要因素是应力。应力的产生与树脂配方、设备条件、原材料种类、原材料品质,与覆铜板的生产工艺条件相关,也与PCB制程中PCB线路分布均衡性,PCB制程及电子元器件安装条件等相关。所以,要解决基板翘曲也必须从上述各方面入手。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2013,(5)
为了进一步提高SiC JBS的反向击穿特性和BFOM值,对POP型SiC JBS结构进行了重要改进。虽然它们都是采用外延的方法在一个较窄的轻掺杂P阱上面再制作一个较宽的重掺杂P区,但是改进的结构在二者的界面附近存在一段等宽区,即P阱的上半部分与重掺杂P区同宽,从而大幅度降低重掺杂P区的边缘电场集中效应以提高击穿电压。通过理论分析与MEDICI软件仿真,深入探讨了这种结构变化对器件性能的影响。结果表明,在不增加额外工艺的情况下,改进的结构可大幅度提高BFOM和击穿电压。 相似文献