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相似文献
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1.
MAX4373、4374及4375是三种由电流检测放大器、比较器及基准电压源组成的微功耗、低价电流检测器IC。MAX4373内部仅有一个比较器,4374及4375内部有两个比较器。工作电压范围从2.7V到28V;工作电流典型值仅50μA;满量程精度0.66%;内部有基准电压源及比较器,可组成过流保护及欠流/过流检测电路(后者仅MAX4374、4375);比较器输出锁存;电流检测放大器有  相似文献   

2.
MAX951/952是美国MAXIM公司开发的“三合一”集成电路,它在标准8脚封装中将超低功耗运放、比较器及基准电压源三者集成在一起。这种组合在功耗上比三个器件要低十倍左右,并可减小印刷电路板面积。该器件运放、比较器及基准电压源这三部分的总静态电流典型值仅6μA,运放及比较器为单电源器件,工作电压2.4~7V,输出电压摆幅接近电源电压范围:基准电压源的精度为1.2V±1%;内部比较器有固定的±3mv的  相似文献   

3.
MIC841是MICREL公司2000年12月推出的新器件,是一种内部带电压基准的微功耗、高精度电压比较器。外部可设三个电阻来确定要监控的阈值电压,当监控的电压超过设定的阈值电压,比较器输出电平信号。该比较器的特点:工作电压1.5V到5.5V,但输入、输出电压能上拉到6V,而不必考虑工作电压,内部基准电压精度高(±1.25%);工作电流低,典型值  相似文献   

4.
MAX4376/4377/4378是MAXIM公司2000年7月份推出的新产品,分别是单、双、四精密高端检测电流放大器。它们的主要特点有:全量程典型精度为±0.5%;工作电压范围宽,从3V到28V;由外部敏感电流电阻来调整全量程负载电流;输出电压经缓冲,有2mA驱动电流;工作电流小(典型值为1mA);增益为20时,带宽为2.0MHz;可工作在汽车工作温度范围,从-40℃到125℃;共模电压从0~28V,与电源电压无关;三种固定增益可选;20、50及100,分别由后绷T、F、H表示。  相似文献   

5.
ADP3810及ADP3811是美国AD公司生产的充电控制集成电路,其主要特点有:工作电压范围宽(2.7~16V);具有输出电压过低时锁存输出功能;静态工作电流典型值为1.5mA;内设高精度2.0V基准电压源,可精确控制电池的终止充电压;恒流充电电流由用户设定;电压检测部分压差低,最大值为300mV。  相似文献   

6.
为了消除由于晶体管不匹配产生的随机失调对带隙基准源精度的影响,设计了一种采用斩波调制技术的带隙基准电压源。该方法采用对称性OTA的结构来减小带隙基准电压源的系统失调,并利用带隙基准核心电路中的与绝对温度成正比(PTAT)的电流源为OTA提供自适应偏置,从而较小了整个电路的功耗。通过基于0.35μm CMOS工艺并使用Cadence Spectre工具对电路进行仿真,结果表明:斩波频率为100 Hz时,基准电压在室温(27℃)的输出为1.232 V,该带隙基准的供电电压的范围为1.4~3 V;在电压为3 V时,在-40~125℃温度范围内的温度系数为24.6 ppm/℃。  相似文献   

7.
MAX9610专为电池供电设备而设计。采用精密的输入级实现1.6—5.5V的输入共模电压范围(电池电压)。该输入范围非常适合检测单节锂离子(Li+)电池的电流,这种电池充满时电压为4.2V,正常使用时为3.6V,电压低于2.9V时将再次进行充电。此外,MAX9610的1μA超低电源电流.延长了电池使用时间;500μV(最大值)的VOS和±0.5%(最大值)的增益误差大大提高了检测精度。该高精度器件提供微型μDFN和SC70封装,  相似文献   

8.
本文对带隙基准源进行曲率补偿,实现了带隙基准的低功耗、宽电源电压输入范围和高性能的特点.采用0.6微米Bipolar的工艺模型进行仿真,在电源电压为7V-60V的范围内,电路的最大工作电流为209μA; 电源电压为12V时它的温度系数为7ppm/0C,电源抑制比为55db.  相似文献   

9.
一种低功耗差动CMOS带隙基准源   总被引:4,自引:7,他引:4  
设计了一种采用0.6μmCMOS工艺的低功耗差动带隙基准电压源电路.在设计中采用两个pn结串联结构来减小运放失调电压的影响,并采用自偏置共源共栅运放来改善MOS器件对电源的依赖性.这种带隙基准源输出电压为2V,功耗为2.3mW,温度系数可达到13ppm/℃,主要适用于高精度模拟系统,并带有提高电源抑制比电路和启动电路.  相似文献   

10.
在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度。同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真,在1.5 V的电源电压下,PSRR为-83.6 d B,温度系数为2.27 ppm/℃。  相似文献   

11.
陈群超  何明华  戴惠明 《福建电脑》2011,27(10):138-138,16
本文采用0.18μm标准CMOS工艺,设计了微功耗CMOS电压基准电路。该基准电源电压可低至0.9V,功耗为0.8uA,输出基准电压为0.7V。在-20℃~100℃的温度范围内可获得29ppm/℃的温度系数,在1kHZ和100kHZ可分别获得-34dB和-17dB的电源抑制比。  相似文献   

12.
产业信息     
《单片机与嵌入式系统应用》2012,(2):8+18+35+53+60+63+72+81+83+86-88
ST推出快速响应的高速电压比较器意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出拥有极佳电流消耗与响应时间比率的高速电压比较器。该高速电压比较器适用于要求极快速响应时间的产品设备(如数据通信设备等),以及音频放大器的脉宽调制器或示波器和模数转换器的输出缓冲器。意法半导体TS3011单路电压比较器在5V电源电压下拥有8ns传播延迟,而电流消耗仅为470μA,这独一无二的能效让客户实现功耗更低且更加环保的产品设计。  相似文献   

13.
MC33466系列是美国MOTOROLA公司1997年推出的新产品,是一种固定频率、脉宽调制型微功耗DC/DC变换器IC,是一种三端贴片式(SOT-98)封装的器件。该系列的特点是:可组成升压、降压或反激式DC/DC变换器,而且外围元件少;静态偏置电流小,仅15~30μA;输出电压有三种:3.0V、3.3V、5.0V;输出电压精度士2.5%;启动电压低,软启动;贴片式封装。由于有上述特点,该器件特别适用于便携式用电池供电的计算机、消费类电子产品或仪器仪表等。该系列有两类:内部有开关管的(后缀为JT1)及内部无开  相似文献   

14.
电路功能与优势图1所示电路是一个20 bit线性、低噪声、精密单极性(+10 V)电压源,所需外部元件的数量极少.AD5790是一款20 bit、无缓冲电压输出DAC,采用最高33 V的双极性电源供电.正基准电压输入范围为5 V~ VDD-2.5V,负基准电压输入范围为VSS+2.5 V~0 V.两路基准电压输入均在片内缓冲,无需外部缓冲.相对精度最大值为±2 LSB,保证工作单调性,微分非线性(DNL)最大值为-1 LSB~+2 LSB.  相似文献   

15.
李新  洪婷  高加亭 《微处理机》2009,30(5):13-15
基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准.结果表明,在温度-25℃~125℃范围,基准电压温度系数为15.3×10-6V/℃,低频时,电源抑制比可达-80db.该电路可做为A/D和D/A转换器中的基准电压源.  相似文献   

16.
ADP3810及ADP3811是美国AD公司生产的恒流充电定压控制充电控制器。该器件的特点有:恒流充电电流可根据用户要求设定;内部有高精度2.0V基准电压,可精确控制充电电池的终止充电电压并可输出;电流检测部分压差低,其最大值为300mV;工作电压范围宽,2.7~16V;静态工作电流典型值1.5mA;具有输入电压过低时锁存输出功能;8脚贴片式SO封装。  相似文献   

17.
因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采用gpdk090 CMOS工艺,通过Spectre仿真,当电源电压为3.6 V、在-60℃~-120℃温度范围内、温度系数为14.4×10-6/℃时电源电压抑制比为78.3 d B,输出电压平均为1.162 V。  相似文献   

18.
为了满足温度传感器芯片对带隙基准源高性能的要求,设计了一种高精度低温度系数带隙基准源。该带隙基准源利用电阻比值校正了一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性,使得输出的基准电压的精度和温度系数有了很大提高。采用0.8μm BiCMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04mm???2。测试结果表明:在5V电源电压下,在温度-40~125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0~7.0V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA ,电源调整率为6.7nA /V。  相似文献   

19.
提出了一款应用于RF无线收发芯片的高精度电流偏置电路。综合考虑功耗、面积和失调电压对基准电压的影响,设计了一款符合实际应用的带隙基准电路。并以带隙基准电路作基准电流源的偏置,采用电压电流转换器结构设计了具有高电源电压抑制比(PSRR)的基准电流源。电流镜采用辅助运放的设计方法来提高电流镜的输出阻抗,减小沟道调制效应对输出的基准电流的影响,从而提高输出基准电流的精度。采用0.35μzmCMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.18mm^2。提取寄生参数(PEX)仿真结果表明,该电路在-55℃~+90℃范围内的温度系数为15.5ppm/℃,室温下基准电压为1.2035V;在低频段电流源的电源抑制比为90dB;在外接电阻从1kΩ~400kΩ变化时,输出基准电流误差范围是0.0001μA。  相似文献   

20.
在传统的一阶带隙基准电路的基础上,通过在电路中添加串联电阻和NPN型二极管并与电阻并联的方法,实现高阶曲率补偿。该电路不仅具有结构简单、使用器件少的优点,而且还能显著提高带隙基准的设计精度。另外,较宽的输入电压范围(10 V25 V)有利于此带隙基准源应用在更宽的领域。仿真结果表明,通过华虹NEC 0.35μm BCD工艺,使用H-spice仿真软件对该电路仿真,在0℃25 V)有利于此带隙基准源应用在更宽的领域。仿真结果表明,通过华虹NEC 0.35μm BCD工艺,使用H-spice仿真软件对该电路仿真,在0℃80℃温度范围内,其带隙基准的温度系数仅为0.501 ppm/℃;在10 V80℃温度范围内,其带隙基准的温度系数仅为0.501 ppm/℃;在10 V25 V输入电压范围内,输出电压摆幅为31.49 mV。  相似文献   

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