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１．引言外延生长是半导体材料和器件制造的最关键的工艺技术，外延技术的发展与材料及器件的发展互相促进，共同发展。外延生长技术的应用与发展对于提高半导体材料的质量和器件的性能，对于新材料、新器件的开发，对于半导体科学的发展都有重要的意义。反过来，对器件质量和性能的进一步要求又推动人们探索更新、更好的外延技术。外延技术首先从硅外延技术发展起来，进而到化合物半导体外延。１９６２年、１９６３年，氯化物汽相外延法（ＶＰＥ）和液相外延法（ＬＰＥ）相继问世，用这些方法制备的材料广泛应用于制作各种微波及光电子器件… 相似文献
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化学速外延(CBE)是近三,四年才发展起来的一种新的外延生长技术,本文较系统地评述了CBE的研究现状,并在把CBE技术与MOCVD和MBE技术比较的基础上,着重介绍了CBE的原理和特点,最后介绍了它在制备化合物半导体薄膜和光电器件方面的和最新进展. 相似文献
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本文评述了分子束外延在以 ZnSe 为代表的宽带半导体材料及其超晶格结构研究中的最新进展。介绍了在晶格匹配和不匹配的衬底上分子束外延生长 ZnSe等Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体和有关的材料分析。叙述了在 ZnTe,Zn(S、Se)以及磁性半导体 MnSe 和低磁性半导体 Zn_(1-x)Mn_xSe 上生长 ZnSe 所形成的超晶格和多量子阱结构,并在此基础上说明了一些相关的物理现象。 相似文献
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ＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔＥｘｃｉｔａｔｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＥｒｂｉｕｍ－ａｃｔｉｖａｔｅｄＺｉｎｃＳｕｌｆｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＴｈｉｎＦｉｌｍＤｅｖｉｃｅｓ￥ＬＩＵＺｈａｏｈｏｎｇ；ＷＡＮＧＹｕｊｉａｎｇ；ＣＨＥＮＺｈ... 相似文献
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用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的器件经过退火处理，可以长期稳定工作。 相似文献
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全光信息网络中的某些关键半导体光电子器件 总被引：2，自引：0，他引：2
随着 IP信息业务的指数增长 ,包括以密集波分复用 (DWDM)为基础的光传输、光交换甚至包括光接入的所谓全光网 (AON)将是未来信息网络的核心和发展的必然趋势 .高性能的光电子器件和它们的集成化是发展 AON的基础 .在诸多的光电子器件中 ,论文仅对 AON中某些关键的半导体光电子器件的重要性和发展趋势予以评论 . 相似文献
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微电子封装业和微电子封装设备 总被引：5，自引：1，他引：4
贾松良 《电子工业专用设备》2003,32(1):7-11
介绍了国际和国内半导体封装业的发展情况及几种新颖封装,指出中国即将成为国际半导体封装产业的重要基地之一,这为我国发展半导体封装设备提供了良好的市场前景,例举了有关半导体封装工艺、检测、试验及支撑所需的设备。 相似文献
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提出并采用真空热蒸发技术制备了一种新型的多元掺杂（Ｃｌ，Ｃｕ）敏化的ＣｄＳ／ＣｄＳｅ双层光电导薄膜。研究了这种光电导薄膜的暗电导和亮电导、响应时间，以及光谱响应等主要光电特性与初始材料比例、掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例等工艺参数的关系。实验表明：适宜的掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例可使暗电导降低而亮暗电导比提高，响应时间比未掺杂薄膜的显著降低；而光谱响应特性则可以通过控制ＣｄＳ／ＣｄＳｅ之比加以优化。 相似文献
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激光化学半导体技术及其在半导体器件和集成电路制备中的应用是过去10年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了这种技术的基本原理、特点和加工方法,重点介绍了它在半导体器件和集成电路制备中的应用,最后展望了它的今后发展方向。 相似文献
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半导体材料的霍耳测量 总被引：2，自引：0，他引：2
利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系统测量的各种半导体材料，特别是高阻和高迁移率材料的结果，并讨论了有关的干扰问题。 相似文献
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热电子晶体管的截止频率 总被引：1，自引：1，他引：0
续竞存 《固体电子学研究与进展》1992,12(1):13-16
本文分析了热电子晶体管的截止频率,指出通过合理选择参数,f_T可达到600GHz,是一种有希望的固体亚毫米波源。 相似文献