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本文介绍了一种利用硅片直接键合(SDB)技术制作Si/Si衬底的方法。从理论上研究了键合过程中的热过程,如键合界面区中氧的扩散和杂质的再分布。利用SDB方法制成了p-n~+二极管,其击穿电压为500V,正向压降略小于0.7V,测得的少子寿命约为7.5μs。 相似文献
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硅/硅直接键合SDB硅片的减薄研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了硅/硅直接键合SDB硅片的精密机械/化学抛光减薄方法,进行了实验,分析了减薄后工作硅膜的平整性和膜厚的均匀性等重要技术指标,讨论了影响这些技术指标的因素。 相似文献
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描述了低温硅片直接键合(LTSDB)的实现和质量评价。通过高分辨率电子显微(HREM)和表面电离质谱分析(SIMS)的方法对键合界面特性进行了研究。用HREM图象了诸如位错和SiO2的随机分布等界面结构,SIMS结果表明了靠近键合界面的分布情况和Si-H原子团的其他特性,提出了一种新的两步LTSDB机理。 相似文献
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红外热像法无损分析硅片直接键合界面的键合强度 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了用红外热像无损检测SDB界面空洞和定量检测界面键合强度的方法,并与破坏性粒拉力实验和喷砂造型法对照,证明了该方法的可行性。 相似文献
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本文提出在直接键合前用等离子体活化硅片表面的方法。经活化后表面硅悬挂键明显增加,从而对羟基进行有效的化学吸附。低压气体放电等离子体主要通过离子轰击对硅表面赋能与活化,其活化效果与气体种类无关。温度通过热能对氧化硅表面有赋能与钝化作用,表面活化处理时温度不能超过临界点。850℃等离子体处理6分钟可得满意结果。已成功实现3英寸直径硅片之直接键合。所制成的高压MOS器件及0.8—3μm CMOS器件证实键合质量良好,未引入沾污及附加应力。 相似文献
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硅片键合制备SOI衬底 总被引:1,自引:0,他引:1
硅片键合制备SOI衬底童勤义(东南大学微电子中心,南京210096)一、引言硅片直接键合SDB的研究与开发,从80年代中期以来,在国际上迅速开展起来,它的最主要特点是与硅超大规模集成技术(VLSI)的兼容性及其自身的灵活性。相同的或不相同的,抛光的半... 相似文献
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适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术 总被引:1,自引:0,他引:1
采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VDMOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。 相似文献
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介绍了利用硅片直接键合技术代替三重扩散,生产DK55双极功率器件,实验说明SDB片代替三重扩散无需长时间高温扩散,由于衬底材料质量好,器件特性得到提高,工艺过程中碎片率减少,生产效率提高。 相似文献
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本文介绍了利用硅片直接键合(SDB)技术代替三重扩散,生产DK55双极功率器件。实验说明,SDB片代替三重扩散无需高温长时间的扩散,由于衬底质量好,器件特性得到提高,工艺过程中碎片率减少,生产效率提高。 相似文献
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本文对硅片直接键合界面的吸杂效应进行了研究,根据键合界面存在晶格缺陷、氧沉积物和微缺陷等事实,提出了键盒介面的吸杂试验,分析了其吸杂效应的机理,给出了吸杂方程。理论计算和实验结果得到了较好的吻合。 相似文献
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V. Dragoi P. Lindner H. Kirehberger P. Kettner 《电子工业专用设备》2007,36(1):31-36
新型MEMS应用领域的发展为现有的制造技术带来了很大的挑战,并促使了满足新加工要求的制造能力的发展。根据目前MEMS制造中普遍采用的不同的晶圆键合方法及其主要工艺参数要求,开发了一种新型的晶圆键合技术。 相似文献
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用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术 总被引:5,自引:1,他引:5
针对在MEMS加工中所要求的低温键合,提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温SDB的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的SDB提高近10倍的结论。最后详细探讨了其键合机理。 相似文献
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本文研究了键合片Si/Si界面SiO_2层与材料、化学处理、键合条件及高温处理的关系,并研究了键合片中Si/SiO_2界面态与工艺的关系。 相似文献
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本文简述了场发射真空微二极管的工作特点、结构参数设计考虑及制备工艺技术,对键合法制备的样品进行了测试分析:起始发射电压5~6伏,反向击穿电压大于70伏发射在田极电压为20V时达0.5mA。 相似文献