离子辐照聚合物薄膜引起的降解和能量传输过程

用１２０ｋｅＶＮ＾＋，Ａｒ＾＋，Ｆｅ＾＋辐照聚酰亚胺薄膜，辐照剂量为５×１０＾１４－１×１０＾１７ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２，对辐照样品做了表面电阻和光学吸收数量，结果表明：辐照后样品的表面电阻有明显变化，且随辐照剂量变化呈现阈值，在高剂理下达到饱和值。     

非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能

研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施.并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论.实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同.     

MeV金离子辐照聚苯乙烯微球的各向异性形变

在低温条件下用Au离子辐照法实现了聚苯乙烯(PS)微球的各向异性形变.PS微球在离子辐照下呈现出不同于SiO2微球的形变特点.照后PS微球整体收缩,在平行于离子入射方向上收缩尤甚,使照后PS微球呈长轴垂直与离子入射方向的椭球.采用加掩膜辐照法,在同一晶体上特定区域实现微球的形变.此工作为重离子辐照在光子晶体中引入可控缺陷奠定了基础.     

BaF_2晶体辐射损伤的光谱研究

本文给出了BaF_2晶体被辐照前后的自发光谱、透射光谱和光激发光谱的变化。结果表明,经~(137)Cs和~(60)Co的γ射线辐照后的BaF_2晶体有较强的自发光,在310nm和650nm附近有两个峰。不同晶体的自发光谱不完全相同,同一块晶体的光谱形状不随受照剂量的大小而改变,但光的强度却与受照剂量有关;自发光随时间的衰减具有多种成分。辐照后BaF_2晶体的透射率下降,恢复缓慢,但紫外光照射可以加速透射率的恢复。290nm的光能激发出BaF_2的慢成分光,不同晶体的光激发发射光谱不完全相同,但辐照后无明显变化。     

纸张的电子束辐照效应研究

为确证电子束辐照邮件的可行性,寻找辐照纸张时可保证品种等级的剂量范围,用不同剂量电子束照射新闻纸、复印纸、牛皮纸、书写纸、照片等几种常用的纸张,测定了纸张的定量、白度、撕裂度、抗张强度、耐折度、色差等物理性能发生的变化,并对辐照效应的机理进行了研究.结果分析表明,20-30 kGy的邮件辐照灭菌剂量对上述性能影响小于25%.     

电子束辐照唐菖蒲球茎对 M1代花粉的影响初探

为了探讨电子束对唐菖蒲诱变育种的可行性和不同剂量的电子束对花粉性状的影响,用能量为3MeV的不同剂量电子束辐照唐菖蒲"超级"球茎,对其M1代的花粉进行了研究.花粉活力的检测表明电子束辐照处理后的M1代花粉活力比对照略有下降,但小剂量辐照对花粉活力的影响并不明显,随着剂量的增加,辐照对花粉活力的抑制作用逐渐达到显著水平;扫描电镜观察发现,随着辐照剂量的增大,M1代花粉的孢粉学特征与对照差异逐渐明显,并且出现了多种变异形式;通过对M1代花粉酯酶同工酶的分析.结果表明,酯酶同工酶与对照相比发生了明显的变化,其中剂量在120Gy以下的酶带与对照相同,但酶活性较对照变弱,剂量为160Gy和200Gy时出现了一条新的酶带并且有两条酶带消失,剂量为240Gy时酶谱出现了一条特异酶带同时有一条酶带消失,并且剂量大于160Gy的酶活性与对照以及其他剂量相比也略有不同.由此表明,电子束辐照对植株能产生明显的影响,通过对花粉的一系列分析,能够较好地反映辐照对植株的诱变情况.     

双束(H~+/e~-)同时辐照对12Cr-ODS钢氧化物稳定性影响

利用氢离子和电子双束(H~+/e~-)对用化学浸润法制备的新型12cr-ODS铁素体钢进行辐照,研究了辐照对12Cr-ODS钢氧化物稳定性的影响.对不同辐照剂量下原位观察辐照区内氧化物形貌的变化过程发现:辐照前和15 dpa辐照后,约10～20nm氧化物的尺寸并没有明显变化,而氧化物周围出现微小高密度空洞并没有影响氧化物的稳定性;当辐照温度升高至823 K时,大尺寸的氧化物Y_2O_3与基体的相界面变得不规则,但氧化物颗粒尺寸并不发生明显变化.实验结果表明:弥散强化相Y_2O_3尺寸稳定,无明显溶解现象.     

不同能量光子辐照电缆响应规律研究

利用时域传输线(TL)方法计算了不同能量光子辐照同轴屏蔽电缆时的响应规律。计算结果表明：光子能量不同时,电缆介质层中沉积电荷分布不同导致电缆响应极性发生了变化;光子能量增大到一定值后,响应变化幅度很小;1MeV的单能电子经钽靶发生韧致辐射后在电缆上的瞬态辐照响应是前向电子和光子在电缆上响应的综合,两者在电缆上的电压响应均为负值,幅度差别在1.8倍以内;钽靶后面增加一定厚度的铝材料,可明显减小前向电子在电缆响应中的比例。     

电子束辐照聚酰亚胺薄膜的热刺激电流研究

报道用热刺激电流研究聚酰亚胺薄膜受电子束辐照前后试样中陷阱密度的变化,并对这些试样进行了介电性能的研究。通过不同辐照剂量下相应的热刺激电流表示了陷阱密度的变化与辐照剂量的关系。在75℃时热刺激电流(TSC)曲线出现一显著的电流峰,峰值位置与辐照剂量无明显关系。实验表明辐照使各个能级下的陷阱密度均匀变化,并与辐照剂量成指数关系。介质损耗因数随辐照剂量增加而升高。当辐照剂量为5×10~6Gy时,陷阱密度和介质损耗因数均出现反常变化。     

电子束辐照装置屏蔽体预埋管道处的辐射场计算

电子束辐照装置的屏蔽墙内总有预埋管道,这些管道将降低屏蔽体的局部屏蔽能力.为定量评估管道对屏蔽效果的影响,本文用蒙特卡洛程序MCNP模拟计算管道中心线上与屏蔽体外受管道影响区域的辐射剂量.结果表明,随着管道与墙体夹角的增加,屏蔽体外光子能谱逐渐变软且辐射剂量不断降低.夹角大于50°,角度对剂量的影响不再明显;而墙外辐射...