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总结了我国在MOCVD化合物半导体材料方面的最新进展,重点为MOCVD化学、ⅢⅤ族和ⅡⅥ族半导体材料及其在光电和微波器件中的应用。为进一步发展我国的MOCVD材料提出了若干建议。 相似文献
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彭瑞伍 《有色金属材料与工程》1988,(2)
一引言Ⅲ—Ⅴ族半导体是比Si更为重要的微波和光电材料。过去对这类材料的体单晶和外延层生长的努力,使它们的质量有很大的提高,从而满足了微波和光电器件的要求。当今,面对正在发展的高速、高功率和超品格器件以及光、电集成电路的要求,Ⅲ—Ⅴ 相似文献
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本文利用近红外光致发光技术测量了MOCVD生长的Ⅲ-Ⅴ族化合化物Ga0.5In0.5P和InP中的深能级发光,研究这些深能级发光对激发强度和温度的依赖关系;讨论了Ga0.5In0.5P外延层深能级发光的辐射机理和来源,得出了InP外延层的C带发光的热激活能。 相似文献
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本文论述了近年来化合物半导体发光材料与器件工业生产和研究开发的现状及展望。Ⅲ-Ⅴ族材料中的红、绿、橙、黄可见光及近红外0.85~1.7μm波段从材料到器件已进行工业规模生产,日本仅可见光发光二极管管芯年产量为50亿支以上,近年来我国每年要花约300万美元进口,可见光LED管芯。文中讨论了可见光发光二极管国产化的关键问题。据推算1988年世界化合物半导体产量约40吨左右。Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族及其多元系列材料正在研究和开发中,文中予测了未来可能形成实际应用的某些发光材料以及当前各波段的发展趋势。 相似文献
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纳米电子学已显示出它的优势并代表着电子学的未来。量子微结构材料是纳米电子器件的基础。化合物半导体材料是构成量子微结构材料的主力军。在此背景下,化合物半导体材料正沿着增大直径、扩大品种、提高晶体完整性、完善外延过程的原子级精度的控制等方向发展着。其中引人注目的进展有低位错密度大直径GaAs、InP单晶的制备、固溶体单晶的制备、外延过程的实时控制、外延设备的产业化的发展等 相似文献
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宋大有 《有色金属材料与工程》1993,(2)
本文根据1991年前的资料综合评述了世界半导体硅材料的发展情况。首先从电子工业的最新发展对硅材料的新要求出发,介绍了硅材料的市场和大直径化、MCZ技术、连续投料拉晶、粒状多晶等工艺问题,并展望了发展趋势。 相似文献
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世界半导体硅材料发展现状 总被引:6,自引:0,他引:6
马春 《有色金属材料与工程》2005,26(3):145-148
从市场、技术和产业化的角度论述了世界半导体硅材料的发展现状和趋势。主要表现为:半导体行业新的一轮高速发展逐步形成,将极大带动半导体硅材料的发展;单晶硅大直径化稳步推进,300mm渐成主流;伴随着太阳能电池用硅量的增加,多晶硅的供应由过剩转为短缺,但长远看有望逐步达到平衡。 相似文献
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探讨了半导体材料的应用、半导体技术的发展历程、四川半导体材料产业的发展现状以及与国际国内同行业的差距,进而论证了进一步发展四川省半导体产业应采取的对策。 相似文献
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近年日本抗菌材料的发展 总被引:10,自引:1,他引:10
日本近几年大力开展了抗菌材料的研究 ,各类称为具有防菌、抗菌性能的商品和材料大量问世 ,日本钢铁企业也都先后开发出抗菌材料并投放市场。本文对近年来日本抗菌材料的发展作一简要介绍。1 抗菌原理目前开发出的抗菌材料有两种类型 ,一是依靠金属离子灭菌 ,一是靠光触媒灭菌。1 .1 金属离子金属离子中的重金属离子大都有杀菌能力 ,如从对人身安全来衡量 ,它们的安全顺序为Ag >Co >Ni >Al >Zn >Cu =Fe >Mn >Sn >Ba >Mg >Ca ,其中Ag最好 ,目前应用最广泛的是Ag系、Cu系和Zn系。当细菌和金属离子接触时 ,… 相似文献
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通过分析LiFePO4的橄榄石结构特点,介绍了近年来的各种制备方法及其改进途径,其中优化工艺、包覆和掺杂是提高材料性能的主要方法。认为LiFePO4目前还存在批次稳定性的产业化瓶颈,其作为动力型锂离子电池正极材料具有最广阔的应用前景。 相似文献
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葛涛 《有色金属材料与工程》1989,(6)
作者就十年来上海半导体硅材料的科研生产、工艺装备、产品品种、产量质量、技术经济指标、供需关系、国产化程度、国内外差距等的发展情况作了全面的回顾,并提出了今后工作的希望。 相似文献