Vishay推出新型IHLP薄型大电流电感器

Vishay日前宣布推出采用6767封装尺寸的新型IHLP薄型大电流电感器-IHLP-6767GZ-01。作为ViShay目前最大的IHLP器件，IHLP-6767GZ-01的封装尺寸为1715mm×1765mm、厚度为7．0mm，且具有较高的最大频率及0．2μH～22μH的标准电感值范围。     

Vishay推出新型IHLP^R薄型大电流电感器

VishayIntertechnology，Inc．日前宣布推出采甩6767封装尺寸的新型IHLP^R薄型大电流电感器——IHLP-6767GZ-01。作为Vishay目前最大的IHLP器件，IHLP-6767GZ-01的封装尺寸为17．15ram×17．65mm、厚度为7．0mm，且具有较高的最大频率及0．227H至227H的标准电感值范围。     

V1shay面向稳压器和DC／DC转换器应用推出超薄电感

Vishay公司日前宣布推出占位面积为2525，厚度仅为3．0毫米且具有1．0μH～22μH电感值的新型器件，从而扩展了其超薄、高电流的IHLP电感器系列。     

力旺推出高电压制程OTP提升芯片良率与性能

新竹讯：力旺电子日前宣布完成0．15μm高电压制程之Neobit硅智财的技术开发。力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂（IDM）与晶圆代工厂高压制程平台之上，其涵盖了0．6μm、0．5μm、0．35μm、0．25μm、0．22μm、0．18μm与0．15μm的制程技术。     

SMT功率电感

PG0702NL系列平面绕线SMT功率电感具有低DCR，0．89～5．9mΩ，并具有±6％的高精度。感抗值在0．40～3．0μH，具有15～45A的峰值饱和度。工作频率在100kHz～1MHz之间，工作温度为-40～130℃，无温度降级。     

Vishay推出新款超薄IHLP 小尺寸、高电流电感器

近日,VishayIntertechnology,Inc．发布采用3232外形尺寸、3．0mm超薄的新款IHLP 小尺寸、高电流电感器-IHLP-3232CZ-01。小尺寸的IHLP-3232CZ-01具有高效率和低至1．61mlq的最大DCR,以及0．22μH～10．0μH的标准感值范围。     

济南微纳研制出新型激光粒度分析仪

济南微纳颗粒技术有限公司研制出新型激光粒度分析仪。Winner2000A／B／C台式高性能激光粒度分析仪分别适用于0．1—120μm、0．1-300μm和0．6-300μm的宽分布粉状物料粒度分布的测定，测试速度快、分辨率高、超声时间和搅拌速度可调、循环测试，配以颗粒分析专家软件，具有强大的数据处理功能．可用于工厂化验室、高等院校和研究室质量控制、产品检验、科学研究、新品开发。     

可编程线性直流电源

80W三路输出可编程线性直流电源——DP1308A具有优异的性能指标：具有低噪声、高调整率的优点，即输出噪声和纹波小于350“Vrms／2mVpp，为高需求用户提供了一款更加“纯净”的电源，同时负载调节率小于0．01％＋2mV，线性调节率小于0．01％＋250μA，可适应更广泛的客户需求；     

0.1μm的T型栅形成技术

据《NEC技报》1996年第5期报道，该公司通过电子束曝光和MOMBE外延选样生长法，实现了全干法0．1μm的T型栅形成技术。柳长为0．1μm的HJFET，其电流截止频率fT为121GHZ，最高振荡频率fmax为144GHZ。该技术是通过钨掩模复制两次干蚀法，在使用电子束抗蚀剂的情况下，也可形成具有高缩图比的0．1μm以下的栅图形。此外，在栅极掩埋时采用了可获得良好底层覆盖区的MOMBEP＋选择生长技术，提高了可靠性，而且其栅耐压也比过去提高了2倍。0.1μm的T型栅形成技术@孙再吉     

台积电投资6．9亿美元抢进40nm制程

据DigiTimes网站报道,台积电日前董事会决议,将投资6．9亿美元,扩充12英寸晶圆厂的45nm和40nm制程产能。同时,也核准资本预算1．74亿美元购买8英寸晶圆厂设备,用以将部分0．18μm逻辑制程产能升级为0．11μm CMOS图像传感器制程、0．11μm逻辑制程、0．13μm高压制程及0．18μm射频制程产能。此外,并将部分0．35μm逻辑制程产能升级为MEMS制程产能。     

微环境技术述评

当今，ULSI的特征尺寸已步入0．5～0．35μm阶段并向0．25μm推进。依照存储器集成度每三年四倍的规律，在向硅器件技术物理极限逼近中，美国的Sematech在给其成员单位的内部通讯上披露：为了保证美国的领先地位，导向目标由1995年的0．35μm、64MDRAM到2010年的0．07μm、64G，相应的成本要求从0．017减小到0．0002毫美分／位。随着特征尺寸的不断减小和工艺设备复杂性日益增大及洁净环境要求越来越高，生产线成本呈指数增加。分担成本上压力的途径除了扩大生产量、提高集成度外，还要求工艺环境在性能、灵活性、造价和（运行）费用的…     

新日本无线公司单J-FET输入高精度运算放大器

新日本无线公司推出了单J-FET输入高精度运算放大器NJM411。它采用J-FET（结型场效应晶体管）作为输入元件，实现了高输入阻抗，偏压电流典型值为50pA，压摆率为15V／μs的高性能，同时还具有0．8mV低偏移电压和7μV/℃低温度漂移的特点，可对初始偏移电压进行小幅调节。可广泛应用于高速DAC输出缓冲器、取样保持电路、感应放大器、高精度参考电压放大器等各种测量设备及工业应用的信号处理。www．njr．co．jp／china     

腈纶纤维中二氧化钛分散状态分析

二氧化钛折射率高于一般普通白色颜料，比腈纶纤维折射率高二倍，具有较好消光作用。在腈纶纤维中加入少量TiO2可使其达到消光效果，但是对加入TiO2粒子有严格的要求。国外有关生产技术资料报道，对加入的消光剂TiO2粒径控制在0．2～0．3μm以下，要求粒子细微、没有粗颗粒、粒度分布     

NP01系列微型按钮式开关

NP01系列微型按钮式开关具有照明和非照明两种款式。该系列产品采用了正在申请专利的机械硅橡胶结构，用于进行触摸式启动。该开关可用于SPST开关电路，从PCB板到顶部的距离为12．5mm，在28V时，电流为0．4μA，触摸距离为1．5mm，触摸压力为1.5N（标准）或2．5N（高）。     

用于移动通信的砷化镓高频PHEMT小功率晶体管

砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高，输出功率密度大，效率高，功率增益高等特点，我们研制的0．5μm栅长GaAsPHEMT小功率晶体管，栅宽1mm，直流跨导250ms/mm，栅漏反向击穿电压大于13V，在20GHz下最大可用增益为8dB，X波段输出功率为0．8W／mm，可应用于22GHz以下的窄带功率放大器和18GHz以下的宽带功率放大器。     

深亚微米标准单元库的设计与开发

随着深亚微米工艺技术的发展，0．18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善，我们首家针对中芯国际0．18μm工艺，成功设计开发了0．18μm标准单元库。本文简要介绍了0．18μm标准单元库的设计与开发。     

0.7微米i线分步重复投影光刻曝光系统研制

本文介绍0．7μm线分步重复投影光刻曝光系统的技术指标、系统设计、研制中解决的关键单元技术和研制结果。结果表明工作波长365nm，缩少倍率5倍．曝光视场15mm×15mm．光刻工作分辨力0．6μm，并具有双路暗场同轴对准．又能精确分步投影光刻的曝光系统已研制成功。     

世界逻辑LSI发展的方方面面

预计1998年1350亿美元的世界LSI市场中，用0．8μm以上工艺制造的产品占210亿美元(16％)，0．5μm的310亿美元(23％)，0．35μm的580亿美元(43％)，0．25μm的250亿美元(18％)。展望2001年2350亿美元的世界市场中，0．35μm的产品仍将占1070亿美元，独占46％，还略有提高。     

近红外可见光光子计数器

在以前的可见光光子计数器中,本征杂质带探测器是根据硅的本征吸收原理制作的,它在0．4μm-1．0μm波长范围内具有较高的量子效率。而以前用硅掺砷材料制作的固态光电倍增管则是通过非本征吸收来实现2μm-28μm红外光谱范围的高量子效率的。虽然这两种器件都是高速光子计数器件,但是它们在1μm-2μm谱区的光吸收都很弱。     

美国专利介绍一种光谱均衡红外干扰弹的烟火成分

由镁／聚四氟乙烯组成的点源红外干扰弹无法控制自身发出的红外辐射，通常情况下，它在波段Ⅰ（2．0～3．0μm）的辐射强度要比飞机大得多，在波段Ⅱ（3．0～4．0μm）次之，在波段Ⅲ（4．0～5．0μm）更小。当其辐射超过飞机辐射时，采用双色转换技术的红外导弹寻的器可以使用两个不同的探测器（例如，在1～3μm波段工作的硫化铅和3～5μm波段工作的碲化铟探测器）来检测两个波段中的能量大小，从而识别出红外干扰弹和飞机。