偏振态对消光比的影响

对入射光偏振方向偏离θ角时对电光晶体消光比产生的影响进行理论分析,并给出相应器件的 M—θ实验曲线。     

LiNbO_3晶体中电畴对光学均匀性和电光效应的影响

电光调制晶体由于其电光效应而在激光技术中有很广泛的应用,为了提高晶体的质量和改善器件的性能,研究电畴对光学均匀性和电光性能的影响是有一定的意义的。 对调制晶体,衡量其光学均匀性的参数是消光比。因此本文首先讨论了动、静态的消光比问题,然后讨论电畴对光学均匀性和一次电光效应的影响。     

电光调制实验装置

我们研制的“电光调制实验装置”的调制晶片消光比高,温度稳定性好,使用寿命长。由于采用积木式光学元件,本装置除了可供学生测量晶体的半波电压、消光比和模拟光通讯等实验外,还可粗略确定偏振器及晶片的电致双折射主轴方向,观察半波片及     

电压补偿法提高布儒斯特角普克耳盒的消光比

文中分析了布儒斯特角窗片对纵向加压纵向通光的KDP晶体消光比的影响.为获得大消光比,从理论上推导了应在晶体上加稍偏离Vλ/4的电压,此时布儒斯特角窗的引入将不影响晶体的消光比.实验也证实了理论预期的结果.     

入射光偏振方向对LiNbO3晶体近光轴电光调制的影响

分析了在垂直LiNbO3 晶体光轴方向加电压,光沿近光轴方向传播时,入射光偏振方向对电光调制器的影响.通过计算加电场后双折射光程差的变化和偏光振动方向的转动,画出在正交偏振镜下不同起偏方向的锥光干涉图,得到干涉图随起偏方向变化的规律:由偏光振动方向转动引起的消光区域随起偏方向的转动而转动,在起偏和检偏方向上始终消光,在与起偏方向成±45°角方向始终全透光,并且消光线的交点即感应双光轴头不随起偏方向的转动而变化,始终在折射率变大的感应主轴上.     

电光调制系统设计

调制是光电系统中的一个重要环节.光辐射的调制是指改变光波振幅、强度、相位或频率、偏振等参数使之携带信息的过程.调制的目的是对所需处理的信号或被传输的信息进行某种形式的变换,使之便于处理、传输和检测.目前用得较多的是电光调制、声光调制等方法.文中介绍的电光调制系统主要是验证电光调制原理以及介绍电光调制在激光通信方面的应用,通过此系统了解晶体电光调制的原理和实验方法,以便在此系统中测量晶体的半波电压、电光系数和消光比等参量.     

基于双晶匹配的低压铌酸锂电光削波器的研究

分析了电光削波器半波电压的关键影响因素,发现使用具有较大有效电光系数的电光晶体、合理设计晶体的横纵比是降低器件半波电压的有效手段;在此基础上,设计并制备出低半波电压的铌酸锂电光削波器。采用沿铌酸锂晶体x轴通光、z轴加电的横向电光工作模式,并利用双晶匹配的方式消除自然双折射的影响。匹配后两块晶体通光面的光学质量良好,直流高压下测得的半波电压约为900 V,动态消光比达200∶1。使用幅值为800 V、脉宽为0.95 ns、重复频率为1 Hz的脉冲高压驱动电光削波器工作时,从1064 nm连续激光中获得了脉宽为1.46 ns、重复频率为1 Hz的激光脉冲输出。     

Wollaston棱镜晶体光轴的垂直偏差对分束特性影响分析

为了了解晶体光轴精度对Wollaston棱镜性能的影响,给出了光晶体轴存在纵向垂直偏差时Wollaston棱镜分束角的精确表达式,与常规Wollaston棱镜分束角进行分析表明：o光的分束角变小,d光的分束角不受影响：当Wollaston棱镜两部分的晶体光轴存在横向偏差时,棱镜的分束角及消光比均不受影响,但棱镜的透射比...     

晶体光轴的不平行对Glan-Thompson棱镜性能影响分析

为了分析Glan-Thompson棱镜两部分光轴不平行对棱镜性能的影响,利用冰洲石晶体的双折射特性,得到了两类晶体光轴不平行时Glan-Thompson棱镜出射光束偏离角、消光比和透射比的理论计算公式.结果表明,晶体光轴的不平行不会对棱镜的消光比造成影响;而晶体光轴的横向不平行会对出射光束透射比产生一定影响;晶体光轴的...     

组合型电光调制器补偿最佳化的探讨

以ADP调制器为例,探讨了组合型电光调制器补偿最佳化的实现途径。本文提出立足于二块晶体折射率不完全相同、长发不完全相等的实际情况,以恰当的排列不共线来获得高消光比的最佳补偿,是行之有效的途径,并在实验中得到证实。     

稀磁半导体ZnX∶Co2+光磁性质的双共价因子和双ξ模型

考虑到d电子t2g轨道与eg轨道局域性的差异,用双共价因子研究了掺Co2+的共价晶体ZnX(X=S,Se)的光学吸收谱.在研究顺磁g因子时,除考虑中心离子的旋-轨耦合贡献外,还计及配体的旋-轨耦合贡献(双ξ模型).研究表明,计算结果与实验值吻合得很好,对于一些共价性较强的化合物晶体,该方法更加有效.     

稀磁半导体ZnX∶Co2+光磁性质的双共价因子和双ξ模型

考虑到d电子t2g轨道与eg轨道局域性的差异,用双共价因子研究了掺Co2+的共价晶体ZnX(X=S,Se)的光学吸收谱.在研究顺磁g因子时,除考虑中心离子的旋-轨耦合贡献外,还计及配体的旋-轨耦合贡献(双ξ模型).研究表明,计算结果与实验值吻合得很好,对于一些共价性较强的化合物晶体,该方法更加有效.     

多掺杂一维各向异性光子晶体的缺陷特性

为了研究多掺杂一维各向异性光子晶体的光学特性,采用传输矩阵法计算了光波通过多掺杂一维各向异性光子晶体的透射率。经数值模拟得到:光通过该结构光子晶体后,TE波和TM波的透射谱中随掺杂层个数的变化出现了单、双及多缺陷模,禁带中缺陷模的个数随掺杂层数的增大而增多,缺陷模的位置随掺杂层光学厚度的变化向短波方向移动,TE波和TM波的缺陷模能完全分开,透射谱的这一特点为设计制作单、双通道滤波器提供了理论依据。     

Pulse compression using angular multiplexing in a high-gain 1.7 kJ amplifier

Pulse compression using angular multiplexing is demonstrated on a large-scale hydrogen-fluoride (HF) laser system. For a train of two 24 ns pulses, the essential elements of this scheme are evaluated as a function of interpulse separation time. Included are energy-extraction efficiency, overall temporal pulse distortion, leading-edge contrast-ratio distortion, and suppression of amplified spontaneous emission (ASE) relative to a single long-duration input pulse. For appropriate interpulse delay time, we show that distortionless amplification is possible with energy-extraction efficiency, as is obtained using a single input beam having a pulsewidth equal to the duration of the amplifier gain.     

大直径InP单晶生长研究

生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点.通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的热场系统和生长条件,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计并制造的高压单晶炉内首先将In和P进行合成,然后采用后加热器加热、坩埚随动等技术重复生长了直径为100～142 mm的大直径InP单晶.讨论了关于避免孪晶产生的关键技术,所提到的条件都得到优化后,单晶率就会大幅上升.     

Effective Mass Anomalies in Strained-Si Thin Films and Crystals

Using first-principles calculations, effective mass for silicon channel region is investigated as a function of strain and substrate thickness. In {111} and {110} biaxially strained-Si, it is found that the longitudinal effective mass is extraordinarily enhanced for both thin films and crystals. This mass enhancement is caused by the change of the band structure with double minima into that with a single minimum due to strain and confinement. It is analytically shown that the effective mass diverges at the transition point. Further, we suggest the parameter regions of the strain, thickness, and confinement direction, which are most suitable for the experimental observation of the anomalies.     

双端抽运双Nd:YVO4连续绿光激光器

为了提高半导体激光器抽运的全固态激光器的输出功率与光-光转换效率,设计并使用了双端抽运双Nd:YVO4绿光激光器。通过激光晶体温度场特性的研究以及依据光束的传输矩阵,分析了双激光晶体热透镜效应对于谐振腔稳定性的影响,设计了双端抽运双激光晶体折叠腔。在双端抽运双Nd:YVO4绿光激光器系统中,LBO晶体采用了Ⅰ类非临界相位匹配腔内倍频方式,当抽运光功率为26.56W时,获得了5.5 W的稳定连续绿光输出,其光-光转换效率为20.7%。结果同时表明,在谐振腔内插入双激光增益介质,不仅可以提高激光器的光-光转换效率,而且两个激光晶体热透镜效应相互作用的结果可以增强谐振腔的稳定性。     

激光晶体材料的发展和思考

在分析激光晶体研究现状的基础上,指出其未来应用及主要发展趋势：高功率、大能量激光晶体;中红外激光晶体;蓝绿紫和可见光激光晶体;LD抽运超快激光增益和放大介质晶体。以上四个方向中,高功率、大能量全固态激光晶体材料和LD抽运超快激光晶体材料又是覆盖其他方向、带有共性基础科学问题的关键方向。着重报道了LD抽运超快激光晶体材料的最新研究进展。     

双掺质对KTP晶体晶胞参数及倍频效应的影响

采用X－射线单晶衍射仪、ICP和激光粉末倍频法,对Nb^5 :Nd^3 :KTP,Nb^5 :Tm^3 ,KTP,Nb^5 :Yb^3 :KTP等三种不同双掺质的KTP晶体的晶胞参数、掺质含量及分配系数和粉末倍频效应进行了测试,并与纯KTP晶体作了比较,讨论了不同双掺质对KTP晶体晶胞参数及倍频效应的影响。     

Properties of defect mode and optical enhancement of 1D photonic crystals with a defect layer of negative refractive index material

The band gap properties of one-dimensional photonic crystals with a defect layer of negative refractive index materials are studied. The defect mode width is bigger than that of conventional one-dimensional photonic crystals with a defect layer of positive refractive index materials. The defect mode of the former is different from that of the latter, shifts towards the direction of high frequency （short wavelength）, and has a bigger shifting velocity. Furthermore the effects on the transmission properties of the former photonic crystals caused by change in the position of the defect layer of negative refractive index are investigated. Finally the optical enhancement of the former photonic crystals is also investigated.