永磁镜场边引出潘宁型离子源的研制与初步应用

本文介绍永磁镜场边引出潘宁型离子源的原理、结构特点、实验结果及应用。该源具有电离效率高,引出束流密度大和小巧轻便等优点,能提供总束流大于1mA的多电荷重离子束或轻离子束。其中多电荷离子比例较大。用N_2和BF_3等气体实验,~(14)N~+和~(11)B~+的离子比分别达到80％和60％。在离子注入机上初步应用,~(11)B~+靶流达300μA。     

LC—2F型离子注入机研制成功

一、引言我所从事离子注入机的研究‘已近二十年的历史。在七十年代初‘首先研制出LC—1型低能离子注入机,紧接着又研制成功LC—2型中能离子注入机和LC—3型高能离子注入机等。初期的离子注入机,在束流强度方面还比较小,只有10μA(~(11)B~ )。到八十年代初,经过不     

国外离子注入机发展动态

国外离子注入机发展动态随着超大规模集成电路的迅速发展，为适应中００、０．５μｍ工艺的需求，国外出现了多种新型的中束流、大束流、高能离子注入机，现将其现状介绍如下：新型中束流离子注入机大多采用平行束扫描方式、束的平行度优于０．５度。２００ｍｍ晶片内注入...     

离子束辅助低能碳离子注入工艺原理

离子束辅助低能碳离子注入是在低能含碳离子束轰击样品表面并沉积膜层的同时采用中能离子束辅助轰击注入，它可在低温下将碳离子注入到样品表层足够的深度，其注入深度比动态离子束混合(DIM)增加1～2倍。离子束流实行交替变化，有利于保持较低的样品基体温度，且比恒束流注入的深度有明显增加。它对材料表面改性效果明显优于DIM工艺，离子注入改性后，40Cr钢表面显微硬度HV可提高一倍左右。     

离子束流的稳定方法

在离子注入机、离子束蚀刻机、离子束镀膜机等离子束设备中,离子束流的稳定性是一个值得重视的问题。由于束流的不稳定,将会给器件加工及材料的分析研究带来一系列误差。所以对于离子束流稳定方法,尤其是长时间稳定方法的研究,引起了越来越多的关注。影响束流稳定的因素很多,如工作气体流量、阳极电压、灯丝电压、离子源栅极引出系统热变形等。但总的原则,不外乎是利用负反馈的办法,控制影响束流的某     

离子注入机的辐射剂量

一、引言随着器件工艺的不断发展,对离子注入机提出了更高的要求,70年代初的离子注入机只能获得几十微安的束流,称为弱流离子注入机。近年来,广泛采用的是中束流离子注入机,束流可达几百微安,能量一般在200kev以下。同时束流达毫安级的大束流离子注入机,能量在100kev以下,也得到迅速的发展。随着束流的提高,注入剂量的增大,离子注入机的辐射剂量也随之增大。测量结果表明,离子注入机的辐射线主要是X—γ射线,为了减少辐射线对工作人员的危害,并为设计离子注入机提供一些参数,我们对我所生产的LC_2和LC_3型离子注入机,以及国内现有部分离子注入机的辐射剂量进行了较全面的调查和测量.本文简要介绍我们的调查和测量结果。     

弗里曼离子源综述

弗里曼离子源至今已有30多年的历史,仍然是适用面最广、用得最多的一种离子源。由于它能够对大多数元素产生聚焦得很小、束流达毫安级的离子束,而且具有较宽的能量范围,因而成为人们普遍选用的一种离子源。就半导体离子注入的应用来说,该源具有性能好和操作简单等特点,因而被广泛地用作硅器件的掺杂。几十年来弗里曼离子源已成功地应用在离子注入机领域的许多方面,其中包括束流为毫安级的多种金属离子束的常规生产。本文将详细讨论离子束的产生方法,对灯丝寿命和离子源研究的最新进展及今后展望等也分别作了介绍。     

硅离子束的沾污及其控制

本文分析了离子注入法制备n-GaAs薄层材料时Si~+离子束的沾污问题,指出在Bi~+与Si共用的注入机上,~(29)BF~+是~(29)Si离子束的主要沾污物。     

离子注入均匀性的工艺控制

叙述了影响离子注入均匀性的几个主要因素,其中包括束流品质,离子束聚焦与扫描以及束流大小选择等。同时介绍了如何控制这些因素来获取优异的注入均匀性,通过这些控制手段,均匀性可以优于１ ％ ,结果令人满意。     

LY—2型空心阴极重离子源

一、前言丹麦哥本哈根大学Bohr实验室的G.Sidenius于1965年首先创造了一个在同位素分离器上使用的空心阴极离子源。后来经过许多改进,成为目前的911A型重离子源,这个源从阴极引出离子束,它需要大约200高斯的均匀磁场,来提高引出束流强度。911A型重离子源在高能加速器和离子注入机等设备上早已得到广泛的使用。该源的主要特点是:     

中束流高能离子注入机Extrion500

这种由美国Varian公司研制的Extrion 500注入机能量高达750keV,打破了原来中束流离子注入能量不超过200keV的界限。这种机器可用作高能离子注入,能满足更多的工艺需求,是一种提高下一代设备投资效率的新途径。     

小剂量离子注入均匀性的工艺控制

本文叙述了影响小剂量离子注入均匀性的几个主要因素，其中包括束流品质、离子束聚焦与扫描以及束流大小的选择等。同时介绍了如何控制这些因素来获取优异的注入均匀性，通过这些控制手段，均匀性可以优于5％，结果令人满意。     

会议消息

*第五届离子注入设备与工艺国际会议将于1984年7月23—27日在美国弗蒙特州,杰斐逊维尔,斯姆格拉狭谷举行。会后紧接着在美国依萨卡召开离子束材料改性(简称IBMM)会议。本届会议的主要议题是离子注入设备和工艺技术的最新进展,特别着重在半导体器件上的应用。投稿论文可选择下述题目:高能注入,基片冷却,快速退火,掩蔽效果,离子束掺杂,金属除气,残余缺陷产生以及设备研究设计的最新进展等。     

国外大束流离子注入机市场动态

离子注入机从70年代开始应用于半导体掺杂以来,已经取得了很大的进展。从其应用范围来看已从半导体掺杂扩大到对金属注入(即材料改性)、制造太阳能电池和在绝缘物上生长单晶等。从它的品种来看已从小束流发展到中束流(0.5—1mA),大束流(1～10mA)和特大束流(100～200mA)。能量从中能(100～200keV)发展到     

双电荷离子注入技术

一、概述离子注入技术作为半导体集成电路制作工艺中的新型掺杂技术，具有均匀性好、重复往高、分布随意、掺杂精度准确等优点，已被广泛地运用于集成电路制作工艺中。特别是当今集成电路向着大规模、小尺寸方向的迅速发展，更加突出了离子注入技术在电路制作过程中的重要作用。与此同时，离子注入技术自身也在此过程中经历着不断的发展，离子注入技术的各种新应用层出不穷。特别是高能离子束、聚焦离子束技术在集成电路领域的运用已是日趋成熟。国内由于受注入设备局限，这些方面的工作开展较少。我们基于工艺发展需要并结合我们已有的中能…     

真空电子技术

0463.2,TN107 98()4(]()89二级透镜粱焦离子束系统及其对中方法/俞学东,毕建华,陆家和(清华大学电子工程系)夕清华大学学报(自然科学版)一1997.37(10)一49~53介绍了一台使用液态金属离了源的二级透镜业微米聚焦离子束系统。系统使用了可以微动的针尖以及电可调现场可变束径束流     

EatonCorp离子注入设备制造公司

ＥａｔｏｎＣｏｒｐ离子注入设备制造公司Ｅａｔｏｎ公司半导体设备部已取得三种离子注入机均衡发展的信誉。其高能、大束流及中束流离子注入机是三大离子注入设备市场的一流产品，是唯一能够满足用户全线离子注入机需求的供应商。Ｅａｔｏｎ公司从１９７９年开始销售第一...     

LC—2A型离子注入设备的某些改进

本文叙述了弗里曼(Freeman)离子源体联接在LC-2A型中能离子注入机上的应用;表明了弗里曼离子源体与LC-2A型中能离子注入机光路系统相吻合后,可以茯得较大束流;这样,满足了我所半导体集成电路研制工艺中高剂量离子注入掺杂要求;文章还讨论了LC-2A型离子注入机束流增大后引起的诸如离子流的污染、磁分析器扁管防“穿通”、以及样品热聚积效应问题。     

指数式离子剂量仪与均匀性检测装置

<正> 由于离子注入机注入晶片的离子(如B、P、A等)数量及注入深度等均可严格控制,故比传统工艺优越得多。特别是在中、大规模集成电路及一些特殊用途器件生产中,已成为必不可少的工艺设备之一。 随着半导体工艺水平的不断提高,对离子注入机的扫描面积、注入剂量、均匀性、重复性等方面提出了更高的要求。根据目前半导体生产的实际需要,我们研制了一套检测离子剂量与均匀性的装置,供微控中束流离子注入机使用。该装置手动工作时,作离子剂量仪使用,剂量预置最大范围达1×10~(19)离子/厘米~2,     

离子注入形成SOI材料的XTEM分析

近几年来,SOI(silicon on Insulator)材料因用于制备抗辐照、高速CMOS电路及三维集成电路等受到人们越来越多的关注。在各种SOI技术中,离子注入形成SOI材料有其独到的优点,制备工艺简单方便,可获得高质量的表层单晶硅。本文以XTEM研究大束流,高剂量的氮离子或氧离子注入单晶硅形成的SOI材料,用于确定表面层硅的辐照损伤和氮化硅或氧化硅埋层剖面的显微结构。注N~+SOI试样的制备,采用Φ50毫米的硅晶片(n型、3～6Ωcm,<110>)注入能量为190kev,剂量为1.8×10_1~(18)N~+/厘米~2,N~+束流密度为50微安/厘米~2.注入后试样表面利用CVD方法淀积350纳米