静电电子工业的隐形杀手

随着科学技术的飞速发展,电子、邮电通讯、航天航空等高新产业的迅速崛起,尤其需求电子仪器仪表和设备等电子产品日趋小型化,多功能及智能化。 高密度集成电路(HIGH DENSITY IC已成为电子工业对上述要求中不可缺少的器件。这种器件具有线间距短、线细、集成度高,运算速度快,低功率,低耐压和输入阻抗高的特点,因而导致这类器件对静电越来越敏感,称之为静电敏感(ESDS)器件。     

静电的成因与防护措施

据有关资料统计 ,全世界每年损失近 6 0亿美元用于调换或修理因静电而损坏的微电子元器件。这是因为现在的微电子元器件的集成度越来越高 ,线条越来越细 ,氧化膜厚度越来越薄 ,导致这类元器件的耐静电压强度大为降低。同时 ,有关人员对静电的成因及危害缺乏较全面的了解 ,实际工作中对静电的防护不够严密等 ,也是造成微电子元器件被静电损坏的重要原因。1　静电的成因静电即静止的电荷 ,原子受到外界作用而失去或得到电子 ,即成为离子 ,从而成为带电体。当原子未发生宏观运动时 ,就形成了静电。日常生活中 ,两个物体接触后分离或发生摩擦也…     

击穿18V的高压LDD PMOS器件的研制

从Synopsys TCAD的软件模拟出发，基于0．8μm标准CMOS工艺，通过重新设计高压N阱，以及优化器件LDD区域注入剂量，成功研制了栅长0．8μm击穿电压达到18V的LDD结构的高压PMOS器件，并实现了低高压工艺的兼容。研制的宽长比为18／0．8的PMOS器件截止电流在500pA以下，阚值电压为-1．5V，-10V栅压下饱和电流为-5．6mA，击穿电压为-19V。器件主要优点是关态漏电小，且器件尺寸不增加，不影响集成度，满足微显示像素驱动电路对高压器件的尺寸要求，另外与其他高压器件相比更容易实现，节约了成本。     

呆护敏感IC元件

为了成本,集成度和性能等指标,采用高速串行数据接口,并且减小半导体制造布局是非常有必要的。但这种较小的器件更容易受到较低电压和电流所造成的静电损伤。另外,用于高速数据线上的低电容ESD保护器件在电容减小的同时,动态电阻会变大,这会使它们保护系统敏感IC元件的能力变差。     

保护敏感IC元件

数据表说明书之外的正确静电放电(ESD)保护措施 为了成本,集成度和性能等指标,采用高速串行数据接口,并且减小半导体制造布局是非常有必要的.但这种较小的器件更容易受到较低电压和电流所造成的静电损伤.另外,用于高速数据线上的低电容ESD保护器件在电容减小的同时,动态电阻会变大,这会使它们保护系统敏感IC元件的能力变差.     

ESD S20-20认证——电子产品加工企业承接国际订单的通行证

电子行业的发展对ESD(静电放电)防护提出了越来越高的要求。从技术层面上讲，随着电子元器件技术的发展，静电对元器件应用造成的危害越来越明显：一方面，电子元器件不断向轻、薄、短、小、高密度、多功能等方向发展，因而元器件的尺寸越来越小，尤其是微电子器件，COMS IC中亚微米栅已进入实用化，栅条宽度达到0．18um，栅氧厚度为几个nm或几十个，     

电子元器件静电放电模型及适用范围浅析

静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分.这三种基本静电模型是:人体放电模型、带电器件放电模型、机器放电模型.     

与5V CMOS标准工艺兼容的20V N-CDMOS器件研究

文章主要介绍了在0．5μm5VCMOS标准制造工艺的基础上,不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度,借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N—CDMOS器件的漂移区长度、沟道长度与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟和实验设计,最终获得20V高压N—CDMOS最优化的器件结构与工艺参数。其制造工艺与现有5V低压工艺完全兼容,工艺简单、集成度高,可广泛应用于功率器件的芯片上。     

应用PDCA实现湿度敏感器件的有效控制

伴随信息技术快速发展与电子产品的普及和应用,电子产品的使用寿命和可靠性越来越成为人们关注的焦点。在电子产品的制造过程中,ESD(静电放电)和MSD(湿度敏感器件)成了威胁电子产品质量的两大重要因素,直接影响产品测试的直通率和产品的可靠性。MSD器件的失效像ESD破坏一样,具有一定的隐蔽性。MSD失效在测试过程中,也不一定会表现为完全失效。在各种诱发器件失效的机制中,MSD失效在电子制造过程中占据相当高的比例。在审核多家SMT工厂过程中发现,MSD的控制远比ESD的防护要薄弱。文章从工作实践出发,探讨应用PDCA全面质量管理的思路来实现电子产品制造过程中湿度敏感器件的有效控制。     

低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制

采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源电压时环振的单级门延迟时间分别为840ps和390ps．与体硅器件相比，全耗尽CMOS／SIMOX电路在低压时的速度明显高于体硅器件，亚微米全耗尽CMOS／SOI技术是低压低功耗和超高速集成电路的理想选择．     

ZY2120/ZY8120：POL转换器

PowerOne公司推出ZY2120和ZY8120数字POL转换器,器件提供20A电流和高达93％的效率,集成了功率管理和转换功能,以减少板级元件数量。转换器具有8V-14V输入范围和用户定义的0．5V-5．5V输出。工作温度范围为0℃-70℃。转换器管理高达32个元器件,包括高达4个模拟器件。     

电子封装净化间的静电防护及监控

随着电子产品集成度越来越高,器件对静电也越来越敏感,容易受静电放电导致损伤或损坏。文章介绍了静电的产生机理,阐述在生产制造过程中静电产生的来源以及危害。介绍了净化间内部抑制静电产生的三大措施:防止静电荷积聚,建立安全的静电泄放通路,以及采取静电监控设备进行静电监控。提出采用镀锡铜排环绕厂房内部的形式来消除静电防护死角,并重点描述了防静电门禁系统和静电在线监控系统的工作原理及功能实现,结合电子封装厂房结构特点,首次提出防静电门禁系统与风淋门联动控制,有效控制封装厂房的静电来源。     

静电危害与静电消除器

科学技术的飞速发展，电子、通信、航天航空等新产业迅速崛起，尤其需要电子仪器仪表和设备等电子产品日趋小型化、多功能及智能化。因此高密度的大规模及超大规模集成电路不断问世。这类器件具有线间问距短、线径细、集成度高、运行速度快、低功率和输入阻抗高等特点，因而导致此类器件对静电越来越敏感。在应用中人们逐渐发现器件无缘无故地损坏或早期失效。这类现象往往是由于静电放电（即ESD）造成的．     

一种防止声表面波器件静电烧伤的方法

为了防止声表面波器件被自身的热释电静电烧伤,提出了一种新的静电防护方法.该方法采用导电介质来实现对声表面波器件引脚的良好接触,并建立了静电传导途径,实现了热释电静电的释放,解决了困扰声表面波器件的静电敏感问题.试验结果表明,该方法能有效预防静电烧伤,具有很好的实用性.     

微电子器件静电损伤实验

在不同的静电放电模型下,通过实验研究了几种典型的半导体器件的静电敏感端对的静电放电情况和灵敏参数,由于外部环境、材料、结构和加工工艺不同,器件的静电损伤模式不同,其最大未损伤阈值和最小损伤阈值也不尽相同.实验结果表明,对于高频低噪声npn型硅三极管来说,反向CB结的静电敏感度要高于反向EB结的静电敏感度;ESD电流注入硅器件不同端对时,灵敏参数一般包括反向击穿电压、直流电流放大系数和反向漏电流,而极间电容和噪声系数对静电不敏感.     

静电敏感器件的击穿防护

随着器件的升级换代和集成度的提高、功耗降低、输入阻抗增大等特点,以致有的器件对静电较敏感。为提高整机可靠性,把静电敏器件的损坏数尽量降低,我们在生产中采取了一些措施收到了一定的效果。静电敏感器件防护的必要性: 以MOS器件为例,它的铝栅极为SiO_~2薄层所绝缘(见图1)由于SiO_2的绝缘性能特别好,使得器件的输入电阻可达10~(12)Ω以上,这样栅极上的静电荷不能通过泄漏电流释放掉,而在栅极上聚积起来,所以栅极和沟道实际上构成了平行板电容器。随着静电荷聚积电压不断上升,再由于绝缘栅场效应管的输入电容只有3PF,即使是微量的电荷也会使电压升的很高,SiO_2薄层的厚度为0.15～0.17um其耐压为100V左右,超过了就要     

GaN基LED等ESD敏感器件的静电防护技术

随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在LED器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，GaN基LED毕竟是ESD敏感器件，静电防护必须渗透到生产全过程。     

TPD4S014：静电放电保护

德州仪器推出在单一封装内集成4种类型USB2．0芯片保护功能的器件。该TPD4S014支持静电放电高级保护，尺寸为2mm×2mm。在器件接点温度超过150℃时，开关会关闭电源轨，对过温情况提供保护。如果电源降至2．8V以下或升至6．15V以上时，TPD4S014的负载开关将立即打开，防止出现欠压或过压问题，从而可避免移动电压线路损坏电源轨。     

静电在SMT行业内的危害与防护

SMT电路板表面贴装技术是当今电路板集成制造领域内普遍使用的一项技术。静电作为一种因摩擦感应而产生的电能,会对SMT制造行业带来严重危害,尤其会对集成电路板上的SSD器件产生伤害。在SMT生产制造过程中开展针对静电产生根源的分析与研究,并对各种SSD器件按照等级特性,进行分级防护,在企业内部建立起一套完整的防护静电措施与制度。这样才能有效杜绝静电在整个生产过程中的产生与影响,保证SMT产品的质量与安全。     

静电防护设计

在电子元器件，组件和设备的生产，制造和使用过程中，通过各种防护手段，防止因静电的力学效应和放电效应而产生或可能产生的硬击穿或软击穿，并进而导致整机性能的下降或失效，所以静电防护设计的目的是控制静电放电，防止静电的发生或将静电放电能力降到所有静电敏感地元器件的损害阈值以下，以确保产品质量。