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本文重点讨论了喇曼散射与超喇曼散射非线性光学过程中的压缩效应(Squeezing Effects)。 首先写出喇曼散射与超喇曼散射非线性相互作用过程的哈密顿量,然后由海森堡方程建立场算符 相似文献
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在15K和1~3GPa静压范围内研究了ZnS0.02Te0.98混晶的共振喇曼散射,样品用MBE方法生长在(001)晶向的半绝缘GaAs衬底上,利用静压调制带隙实现也488.0nm线的共振喇曼散射,观察到类ZnTe和类ZnS两类LO声子模以及它们的倍频模和组合模-测得类ZnTe的LO声子模的压力系数为4.5cm^-1/GPa。 相似文献
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激光的相干性是由受激辐射和谐振腔选模的结果。由此而得与时间相干性和空间相干性相对应的高度的单色性和方向性。 普通喇曼散射是一种自发辐射,由微扰理论计算得到喇曼跃迁偶极矩[P]_(fi)具有相位因子exp{-i(δ_f-δ_i)},从一个散射分子到另一个散射分子,这个因子是无规则地变化。因此喇曼散射是非相干的。散射光按整个空间分布。 相似文献
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利用对孤子哈密顿量的部分对角化研究了有机蛋白质分子中激发孤子导致的喇曼散射特点,求出喇曼散射的跃迁几率和微分截面的表达式,得到了与实验值相吻合的和与喇曼散射斯塔克分量相关的红移值 相似文献
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The resonant Raman scattering by TO1 and TO2 was studied near E0 gap of liquid-phase-epitaxy Ga0.39Al0.81As and Ga0.29Al0.71As samples. In order to tune the energy gap of a semiconductor with respect to a fixed gas laser line, the resonant Raman scattering was performed by means of the variation of the energy gap with the temperature in the sample. According to the quasistatic approximation, the resonant profiles of one-phonon deformation potential scattering were calculated. It was discussed in the microscopic theory that the resonance maxima occured at an energy 1/2hvp higher than the gap energies. These were applied to interpret the experimental data. From these measurements, it was found that the direct energy gap Eg was 2.44eV for Ga0.29As0.71As and 2.31eV for Ga0.39Al0.61As at room temperature. 相似文献
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本文采用小功率He-Ne激光及化学激励的方法,首次观察到了溶液中钠原子反斯托克斯受激喇曼散射谱线双频移效应,并讨论了它的产生条件。 相似文献
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近来由于染料激光器的出现,人们希望借助于受激喇曼散射技术获得可调谐的紫外光源,将可调谐范围扩展到紫外波段.特别是高压氢中的受激喇曼散射,位移大,效率高,但是使用时必须附加真空及充高压氢系统,因此使用时不很方便.本文报道石英管式喇曼散射管.充一次气可以长久使用. 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1974,11(10):45
美国哥伦比亚大学的温加顿(R. A. Weingarten)和弗勒斯伯格(A. Flusberg)等在美国物理学会年会上报道,他们用一台发射150毫焦耳脉冲的低发散Q开关红宝石激光器研究了原子铊蒸汽的受激喇曼散射。1.5微米处发射的斯托克斯光具有与蒸汽密度成函数关系的明显阈值;在接近阈值密度的两倍时出现饱和。使铊产生的斯托克斯光、红宝石激光器发出的未转换的激光以及在热管炉内的闪光灯泵浦的可调染料激光器输出相结合,还能获得四波参量变换,并了解到染料激光器的反斯托克斯辐射的性质和初始的斯托克斯光相似,均与铊蒸汽密度成函数关系。 相似文献