压电换能器电调介质滤波器的设计与实现

为了解决变容管电调窄带滤波器的插入损耗大和承受功率小的问题,研究了用压电换能器作电调元件的电调介质滤波器.分析了压电换能器调谐介质谐振器的机理,讨论了耦合系数和外部Q值的控制方法,仿真结果表明耦合系数和外部Q值随调谐频率的变化较小.采用HFSS软件设计和优化了两级电调介质滤波器的结构,并用高Q值的介质谐振器制作了两级电调介质滤波器.根据ANSYS软件的分析结果,提出了提高电调率的有效措施.当控制电压为0~50V时,滤波器的中心频率调谐范围为4.155~4.205GHz,3dB带宽为37~40MHz.     

电调微波带通滤波器的研究进展

电调滤波器是当前微波滤波器的研究热点,它们取代滤波器组可减小整机体积和降低设计复杂度。本文从电调滤波器的分类着手,分别综述变容管电调滤波器、铁电薄膜电调滤波器、微机电系统(MEMS)电调滤波器和压电换能器电调滤波器的结构和性能,并分析各自的特点。最后,提出电调滤波器的发展趋势。     

声表面波纵向耦合谐振滤波器通带特性研究

在理论方面,作者应用COM理论分析研究了纵向耦合谐振滤波器通带波纹大小和耦合换能器与输入/输出换能器间距离的关系。在工艺上,作者采用剥离工艺制作了相应的纵向耦合谐振滤波器,并给出了所设计的纵向耦合谐振滤波器频率响应的测试结果。实验测得样品滤波器中心频率为895 MHz,1 dB带宽40.5 MHz,阻带抑制达到47 dB,插入损耗3.8 dB,通带波纹小于0.9 dB。实验与理论分析比较一致。     

一种新型双环双模带通滤波器

本文提出了一种由一个环形谐振器和一个微扰小环构成的新型双环双模带通滤波器。微扰小环具有两个可调参数,增加了调整双模的自由度,从而更容易地调节双模,便于实现滤波器的小型化。抽头输入输出耦合结构可以方便地调整双模滤波器的两个传输零点,从而改善滤波器的通带特性。最后实现了中心频率为2.41GHz,相对带宽为17.77%的双环双模带通滤波器,通带内插入损耗为0.67dB,回波损耗为17dB,且带外衰减大于20dB。     

单向单相分布式声反射结构的声表面波滤波器

分析了均匀分布式声反射(DART)和抽指DART换能器的结构.并用准静态分析法和反射列阵模型(REM)推导出它们的P矩阵、Y矩阵及S12参数.设计了一个中心频率为140 MHz,相对带宽为0.1%,插入损耗10 dB,波纹小于1 dB,带外大于40 dB的窄带低损耗滤波器.压电基片材料为水晶,器件封装尺寸为13 mm×6.5 mm的表贴外壳.     

基于Interleave和微谐振环的32信道波分复用器特性

对结合interleave滤波器的1×32信道垂直耦合双环谐振波分复用器件的传输特性进行了研究,得到了器件的光学传递函数公式,对器件的参数、光谱响应、分波光谱、插入损耗以及信道间的串扰进行了数值模拟和优化.分析结果表明,通过在微环谐振波分复用器件的前端增加interleave滤波器,使信道间的串扰降低了14 dB,并且改善了器件的输出光谱形状,提高了器件的信道复用密度;同时,由于采用了在同一基片上集成,保证了器件的低插入损耗.通过参数优化,得到了中心波长为1 550 nm、波长间隔为0.4 nm、3 dB带宽为0.21 nm、插入损耗低于1.1 dB和串扰低于-32 dB的32信道密集波分复用器(DWDM).     

平坦通带高频纵向耦合谐振滤波器的研制

应用耦合膜理论,重点研究了纵向耦合谐振滤波器耦合换能器与输入/输出换能器间距对纵向耦合谐振滤波器通带波纹的影响,探讨了制作纵向耦合谐振滤波器中金属铝的干法刻蚀工艺。基于理论模拟得出的结论,文中给出了中心频率为900MHz纵向耦合谐振滤波器频率响应的计算模拟结果和实验测试数据。测得1dB带宽25.9MHz,3dB带宽28.7MHz,阻带抑制达到50dB,插入损耗3.85dB,通带波纹小于0.7dB。实验结果与理论分析相吻合。     

AlN薄膜体声波梯形滤波器的制备与性能分析

用Mason一维等效电路模型模拟了不同级数的梯形体声波滤波器的传输特性.讨论了谐振器级联数对滤波器插入损耗和带外抑制的影响.以AlN薄膜为压电材料,采用微机电系统(MEMS)工艺流程制备了3级梯形结构的滤波器,用扫描电镜照片(SEM)和网络分析仪表征了器件的结构和传输响应特性,测试结果表明,所制备的滤波器结构完整,图形整齐,并得到滤波器的带宽为180 MHz,带外衰减为-10.12 dB,插入损耗为-5.15 dB.     

基于混合梳状线谐振器的三阶恒定带宽电调微带滤波器研究

文章提出了一种基于终端加载变容管的混合型梳状线谐振器的三阶电调微带带通滤波器,仅采用两个电压源进行控制．根据奇偶模分析方法,推导了混合梳状线谐振器间耦合系数计算公式,通过合理设计级间及输入输出耦合结构,绝对带宽保持恒定的要求可以得到满足．设计了一个调谐范围为1.0GHz～1.78GHz ,3dB绝对带宽为104.5±8MHz的三阶电调滤波器,其插入损耗小于5.7dB ,回波损耗优于16dB ,对二次谐波的抑制达到60dB ．实验结果表明,测试结果与电磁仿真结果基本一致．     

一种共面波导结构双模方形贴片带通滤波器

提出一种新型共面波导(CPW)结构双模方形贴片带通滤波器。该滤波器采用方形贴片作为谐振器,在方形贴片的两个对称的角上开两个相同的方形切角作为微扰使其简并模式分离并产生耦合,贴片与输入/输出CPW分别设计在介质基板的两个不同的面上。文中给出了该滤波器的结构以及通过仿真和实验获得的性能参数,结果表明该滤波器的通带带宽可在4.9%到7.4%的范围内调节,通带内的最小插入损耗为1.85dB。     

A V-band planar narrow bandpass filter using a new type integrated waveguide transition

A surface mountable planar narrow bandpass filter is proposed and demonstrated at V-band. The filter is constructed using an integrated waveguide in an alumina substrate employing a novel microstrip line to waveguide transition. The insertion loss per one transition is less than 0.1 dB over 43 to 73 GHz. A fabricated three-pole Chebyshev filter exhibits an insertion loss of 3 dB with a 3.3% bandwidth at a center frequency of 62 GHz and the return loss is better than 15 dB in the passband.     

Low-loss and high-selectivity bandpass filter with harmonic suppression and piezoelectric transducer tuning

A low-loss and high-selectivity bandpass filter with harmonic suppression and piezoelectric transducer (PET) tuning is presented. At the 3.5 GHz passband, the insertion loss is 1.48 dB, and the transmission zeros at 3.05 and 4.08 GHz have a rejection of 55 dB. The rejection at the 7 GHz second harmonic is 50 dB. A PET tunes the bandstop sections to obtain a tunable suppression (>45 dB) around the second harmonic from 5.35 to 7.8 GHz.     

A New Approach to the Realization of a Dual-Band Microstrip Filter With Very Wide Upper Stopband

This paper presents the design of a new dual-band filter with very wide upper stopband. The proposed circuit offers a simple and compact structure with low insertion loss. Spurious suppression is achieved by using specially designed coupling and resonator sections. Moreover, a systematic analysis is applied to the proposed topology with closed-form design equations derived. For verification purposes, the measured performance of a microstrip filter operating at 1 and 2 GHz is shown with stopband attenuation of greater than 20 dB over the frequency range from 2.5 to 8.0 GHz.     

一种基于T型缺陷微带结构低通滤波器

提出了一种T型微带缺陷结构(DMS),并分析了其传输特性,设计并制作了一款基于T型DMS低通滤波器,仿真和实测结果表明,所设计的新型低通滤波器3 dB截止频率为2.9 GHz,通带插入损耗小于0.15 dB,回波损耗最大旁瓣优于15 dB。该滤波器设计方法简单,电磁泄漏小,体积小,并且易于与其他电路集成。     

Piezoelectric Transducer-Controlled Dual-Mode Switchable Bandpass Filter

A piezoelectric transducer-controlled dual-mode switchable bandpass filter is introduced. A piezoelectric transducer is used to lift up or pull down the attached dielectric substrate perturbation. When the dielectric substrate is pulled down, the perturbation excites dual modes and the dual-mode filter is on. The return loss is better than 10 dB and the insertion loss is less than 3 dB from 2.92 to 3 GHz. When the dielectric substrate is lifted up, the dual-mode resonator is unperturbed and the dual-mode filter is off. The isolation is 21 dB at 3 GHz. The on-off ratio is 18 dB     

一种毫米波微带带通滤波器的设计

摘要：基于小反射理论,引入Klopfenstein阻抗渐变线对传统发夹型谐振器结构进行改进,设计了一种相对带宽为8%的结构紧凑型毫米波带通滤波器。采用S参数的多项式综合方法得到耦合矩阵电路模型,利用三维电磁场全波仿真软件HFSS拟合出耦合系数与谐振器间距、外部品质因数与抽头位置的关系曲线,进而提取出耦合矩阵对应滤波器的物理尺寸。实测结果表明：在28.8GHz-31.2GHz频带内,该滤波器的插损小于3.0dB,回波优于-17dB,带外抑制大于40dB@33GHz,测试结果与计算结果吻合较好。     

低损耗双模微带贴片带通滤波器研究

首先提出了一种新颖、简单的带有两个切角的双模微带带通滤波器结构。该结构使用单个贴片谐振器并且没有耦合缝隙,通带两端各有一个衰减极点,可以有效减小滤波器的辐射损耗。对该滤波器结构进一步改进,又提出了一种中心频率1.8GHz相互正交槽线的新型双模微带带通滤波器结构。该滤波器在中心频率1.8GHz处,回波损耗达到31.65dB,通带内最小插损为0.01dB,3dB带宽为19.44%。研究结果表明该结构可以进一步减小辐射损耗,并且可以减小滤波器的体积,有利于小型化。     

基于折叠型SIR 谐振器的双通带滤波器设计

文中提出了一种基于折叠型SIR 谐振器的双通带频率可控的微带滤波器,它由SIR 谐振器特性结合 传输线理论实现。该滤波器设计为具有两个自由度,调节谐振器的导带宽度可以对两个通带之间的频率及其间隔 进行调节。文中还研究了调整谐振器导带长度对滤波器频率特性的影响。测试结果表明,该微带滤波器有两个通 带,其中心频率分别为2. 79 GHz 和3. 90 GHz,带内最小插入损耗分别为-0. 96 dB 和-3. 0 dB,带内最小回波损耗分 别为-42 dB 和-18 dB,相对带宽分别为5. 7%和6. 7%。仿真和测试结果的一致性证实了滤波器设计的有效性。     

Micromachined V-band CMOS bandpass filter with 2 dB insertion loss

A low-insertion-loss V-band CMOS bandpass filter is demonstrated. The proposed filter architecture has the following features: the low-frequency transmission-zero (vz1) and the high-frequency transmission-zero (vz2) can be tuned by the series-feedback capacitor Cs and the parallelfeedback capacitor Cp, respectively. To reduce the substrate loss, the CMOS process compatible backside inductively-coupled-plasma (ICP) deep trench technology is used to selectively remove the silicon underneath the filter. After the ICP etching, this filter achieved insertion loss (1/S21) lower than 3 dB over the frequency range 52.5?76.8 GHz. The minimum insertion loss was 2 dB at 63.5 GHz, the best results reported for a V-band CMOS bandpass filter in the literature.