Pb_(1-x)Sn_xTe质子轰击和等时退火

采用质子轰击使x=0.20和x=0.24 P型Pb_(1-x)Sn_xTe转变为n型。质子能量在200和450千电子伏之间。对于初始浓度低于10~(17)/厘米~3范围的P型Pb_(0.80)Sn_(0.20)Te.用5×10~(17)质子/厘米~2的剂量就能转变为n型。对于浓度与其相当的P型Pb_(0.80)Sn_(0.20)Te要转变型号,剂量需高过5×10~(15)质子/厘米~2。迁移率的变化不大,一般不超过三倍。转了型的样品,迁移率一般增加。使用等时退火研究了由质子造成的效应的稳定性。发现,转为n型的x=0.20和x=0.24两类样品,在退火温度接近或低于140℃时要返回P型。     

用费米-狄拉克统计法计算Hg_(1-x)Cd_xTe本征载流子浓度

用费米-狄拉克统计法计算Hg_(1-x)Cd_x Te本征载流子浓度,以前是用玻耳兹曼统计法计算的。用玻耳兹曼统计法计算只限于组分x≥0.20的Hg_(1-x)Cd_xTe,而对于窄带隙组分x<0.20并不适用。我们使用下面两种方法改进现有计算:用组分和温度相关动量矩阵元的平方(这是对Kane的k·p理论的补充)和对除了Kane的理论所固有的那些近似值以外的能带结构不取近似值。我们发现,使用这两种统计法计算x≥0.20的结果都非常一致。我们还把计算结果与Hansen和Schmit的计算结果进行比较,发现在0.15≤x<0.40范围内十分一致。     

非抛物型能带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度

本文利用Kane的非抛物型能带模型及费密-狄拉克统计推得Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度公式为n_i=(1 3.25KT/Eg)9.56(10~(14))E_g~(3/2)T~(3/2) [1 1.9E_g~(3/4)exp(Eg/2kT)]~(-1), 该式适用于x=0.17～0.37,T≤300K范围,式中Eg(eV)=-0.295 1.87x-0.28x~2 (6-14x 3x~2)(10~(-4))T 0.35x~4。本文还测量了不同组份Hg_(1-x)CdxTe样品(x=0.19～0.251)在77K～300K温度范围的本征载流子浓度。将上述公式的计算结果与本文实验结果及其他作者实验结果相比较表明,该式在x=0.19～0.29,T=77～300K范围与实验符合很好。     

Magnetic Properties of Al-Doped Na_(0.7)Co_(1-x)Al_xO_2

Single phase polycrystalline samples Na0.7Co1-xAlxO2 （x = 0, 0.05, 0.10, 0.15, 0.20, 0.25, 030） were prepared by solid state reaction. The magnetic properties from 5 K to 300 K have been studied by dc and ac magnetic susceptibility measurements. Samples with lower doping quantity （x = 0, 0.05, 0.10） showed paramagnetic behaviors, but those with higher doping quantity （x=0.20, 0.25, 0.30）showed spin-glass behaviors with a freezing temperature （Tf） of about 13 K.     

用红外光吸收法测定Hg_(1-x)Cd_xTe的组分

本文用测量本征吸收光谱的方法,确定Hg_(1-x)Cd_xTe的禁带宽度Eg值,再根据Eg与x的关系来确定x值。在Hg_(1-x)Cd_xTe的本征吸收光谱上,Eg能量值出现在陡峭的指数吸收边和平坦的本征吸收带交界区域。利用本征吸收光谱确定Eg,需要对Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品进行测量,样品厚度一般为10μm左右。我们用PE983红外分光光度计在室温下测量了七个已知组份的     

未掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe中杂质的鉴别和研究

引言当x值大于0.15时,Hg_(1-x)Cd_xTe材料为一种本征半导体。由于禁带宽度随组分x连续变化,故能设计出在1～14微米波长内具有理想性能的Hg_(1-x)Cd_xTe探测器。尽管这种合金系统具有接近本征的载流子浓度,然     

低熔点Sn-Ag-Cu合金成分的优化

发现Sn-Ag和Sn-Cu二元相图的共晶点Sn96.2Ag3.8和Sn98.7Cu1.3的平均原子尺寸相等,Ra=0.154 6nm.从而在三元Sn-Ag-Cu合金中,通过连接Sn-Ag和Sn-Cu二元共晶点得到一条Ra=0.154 6 nm的平均原子尺寸线,考虑到误差,在这条线近处选择了Ra=0.154 4和Ra=0.1548的两条平均原子尺寸线.在高真空下用电弧熔炼法制备了三类合金(Sn96.2Ag3.8)x(Sn98.7Cu1.3)1-x(x=0.1,0.3,0.5,0.7)、(Sn94Ag6)x(Sn97.8Cu2.2)1-x(x=0.2,0.5,0.7)和(Sn98Ag2)x(Sn99.3Cu0.7)1-x(x=0.1,0.3,0.6).     

简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应(详细摘要)

本文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级。本文还在77～300K温度范围内测量了组份为x=0.165、0.170、0.194的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,观察到明显的Burstein-Moss移动。实验所得光学禁带宽度与费密能级计算结果一致。     

简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应

当半导体的费密能级进入导带,本征光吸收边就会向短波方向移动,这就是Burstein-Moss效应。对Hg_(1-x)Cd_xTe半导体尚未见到有关研究报道。我们采用三个不同组份、高电子浓度的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品:x=0.165,N_D~*=4×10~(16)cm~(-3),d=10μm;x=0.17,N_D~*=5.85×10~(15)cm~(-3),d=9μm;以及x=0.194,N_D~*=2.2×10~(16)cm~(-3),d=24μm。采用PE983红外分光光度计在5～33μm波长范围和77～300K     

GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱

通过Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～3.1%)混晶的低温光致发光( PL )谱,探讨了N在不同组分Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分( x =0 .0 5 %～0 .81%)下,Ga Nx P1 - x的PL谱由NNi 对及其声子伴线的发光组成;在高组分( x≥1.3%)下,NNi 对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低.同时,在x=0 .12 %的Ga Nx P1 - x中,得到了清晰的NN3 零声子线及其声子伴线,从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线.     

碲镉汞晶体电学参数分布的研究

利用Te溶剂法生长x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体在300K和77K下的定点霍耳测量。其电阻率ρ的轴向分布和x光萤光光谱法所获x值的轴向分布具有相对应的关系,利用Drude-Lorentz理论和电子有效质量与x值的关系,给予了初步的分析,它为选取适当ρ值范围提供了条件。选取低补偿的样品。验证了理论计算本征载流子浓度和霍耳测量值的一致性,这样便为通过简单的霍耳测量估算响应波长提供理论依据。     

用K-K关系求Hg_(1-x)Cd_xTe的长波折射率

根据Hg_(1-x)Cd_xTe的本征吸收光谱,利用K-K关系式,计算了Hg_(1-x)Cd_xTe不同组份样品的长波折射率N_0,发现该材料符合Moss关系式n_0~4E_g=55.5x+7.8。把E_g(x,T)的经验公式代入,得到n-0的经验公式,可以计算不同组份样品在不同温度下的n_0值,结果与实验基本相符。     

应变SiGe层中本征载流子浓度的计算

采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子浓度增加的速度越来越快。在一定Ge组分下,本征载流子浓度随掺杂浓度的增加而变大。随着掺杂浓度的增加,本征载流子浓度的增长速度变得越来越缓慢。     

B位取代对钛酸锌相结构及介电性能的影响

通过固相烧结法结合半化学法制备了ZnO-(1-x)TiO2-xSnO2(x=0.04~0.20)陶瓷,掺杂1.0%3V2O5(质量分数)-B2O3降低陶瓷的烧结温度,研究了B位取代对ZnTiO3相结构及介电性能的影响。结果表明,Sn的加入促进了六方相分解,形成了立方尖晶石结构的固溶相Zn2(Ti1-xSnx)O4;随烧结温度升高,Sn的固溶量增加,900℃时,最大固溶量为0.08 mol。900℃烧结试样,随x增加,其介电常数ε先增大后减小,而介电损耗tanδ恰好相反,先减小后增大,当x=0.12时,得到ε的最大值(ε=29)和tanδ的最小值(tanδ=9.86×10-5)。900℃烧结的具有优良介电性能的ZnO-(1-x)TiO2-xSnO2(x=0.04~0.20)陶瓷有很好的实际应用前景。     

Bi1/2(Na1-xLix)1/2TiO3压电陶瓷的性能和微结构

利用传统陶瓷工艺制备了Bi1/2(Na1-xLix)1/2TiO3(简写BNLT100x,其中x为摩尔含量)系无铅压电陶瓷,研究了该陶瓷的微结构、压电和介电性能。X-射线衍射分析(XRD)结果表明,在x=0~0.20时,Bi1/2(Na1-xLix)1/2TiO3陶瓷为单相三方晶系钙钛矿结构;在x=0.30时,会有影响压电性能的第二相产生。扫描电镜(SEM)结果表明,Li含量越高,陶瓷的烧结温度越低,Li促进了晶粒特定方向的生长;在x=0.15时,压电系数d33达极大值109 pC/N;同时研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响。     

GaP1-xNx混晶的光致发光谱

通过GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的低温光致发光(PL)谱,探讨了N在不同组分GaNxP1-x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分(x=0.05%～0.81%)下,GaNxP1-x的PL谱由NNi对及其声子伴线的发光组成;在高组分(x≥1.3%)下,NNi对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了GaNxP1-x混晶的带隙降低.同时,在x=0.12%的GaNxP1-x中,得到了清晰的NN3零声子线及其声子伴线,从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线.     

CuO掺杂量对LSMO/NiCuZn复合材料微波特性的影响

采用固相反应法制备了La0.67Sr0.33MnO3/(Zn0.6Fe0.4)[Ni0.4-xCuxFe1.6]O4(LSMO/NiCuZn)铁氧体复合材料。研究了CuO掺杂量对复合材料在1MHz～1.8GHz频段下的复磁导率频谱特性和复介电常数频谱特性的影响。结果表明:CuO掺杂量的增加(x=0.05～0.20),提高了复合材料磁谱与介电谱的虚部,增加了材料的磁损耗与介电损耗,提高了材料的吸波性能。当CuO的掺杂量x为0.20时,复合材料磁导率和介电常数的虚部分别达到27和107。     

降低碲镉汞组分梯度的方法

本文涉及碲镉汞的生长。特别提到降低碲镉汞的组分梯度。(Hg,Cd)Te是由宽禁带半导体(E_g=1.6电子伏)碲化镉和具有“负能带”约-0.3电子伏的碲化汞的混合物所组成。合金能带与x值成线性关系,x值表示合金中碲化镉的克分子数。选择适当的x值,有可能获得在宽红外波段内有峰值响应的(Hg,Cd)Te探测器材料。对于8～14微米大气透射窗口,碲镉汞是尤为重要的探测器材料。早在1959年首次提出用碲镉汞作为本征红外光电器件材料。以后对碲镉汞进行了长期的研究,获得了波长1～30微米的高性能(Hg,Cd)Te探测器。目前在红外探测系统中已获得广泛应用。碲镉汞的主要缺点是难以制取优质、均匀一致的晶体,且制取n型碲镉汞晶体更难。从合金相图中可以看到固、液相线分离。     

Y型量子线中电子弹道输运性质

对有限长 Y型量子线中的电子弹道输运性质进行了量子力学计算 .该有限长的量子结构分与两半无限长的量子通道相连 ,当施加一偏压时 ,量子通道分别可作为电子的发射极和收集极 .采用了转移矩阵方法和截断近似技术 .计算结果表明 ,当结构对于 x轴对称时 ,在入射电子的能量小于量子结构的第一个横向本征模时 ,电导存在着两个峰 ;当结构对于 x轴不对称时 ,电导则存在着三个峰 .进一步分析表明 ,这些峰来自于电子共振隧穿量子结构中的量子束缚态 .该结构对于经典粒子来说是非束缚体系 .当结构对于 x轴对称时 ,较高能级是双重简并的 ,而当结构对于 x轴不对称     

Cd_(1-x)Mn_xTe基本吸收边的研究

报道了用透射法在10～300K温度范围内测量不同组分(x=0.007、0.20、0.30和0.45)Cd_(1-x)Mn_xTe的基本吸收边,结果表明,能隙随温度线性变化,能隙的温度系数为负并显著地随Cd_(1-x)Mn_xTe混晶的组分变化。