研究有机功能薄膜光存储的半导体激光装置

叙述了一种为研究有机功能薄膜光信息存储而设计的半导体激光装置，用该装置研究金属酞菁固态薄膜，发现其有光存储功能。     

研究有机功能薄膜光存储的半导体激光装置

叙述了一种为研究有机功能薄膜光信息存储而设计的半导体激光装置，用该装置研究金属酞菁固态薄膜，发现其有光存储功能。     

FFS袋用吹塑薄膜的生产技术和性能指标研究

介绍了FFS袋用吹塑薄膜产品的用途;重点根据国内外现有装置的生产特点,阐述了生产工艺和性能指标,并对国产吹膜设备和进口设备进行了对比分析,指出了存在的问题和改进方向;最后简述了投资建设FFS袋用吹塑薄膜装置的经济效益.     

一种薄膜材料电阻率测试用环形电极设计

针对航天器用高电阻率薄膜材料的电阻率测试问题进行了研究。通过对现有高阻值电阻率测试环形电极设计方法进行仿真理论分析,结合数学模型推导,提出了一种环形电极有效测试宽度及尺寸设计取值方法,并制成薄膜材料测试用环形电极装置。通过实验实现了航天器用薄膜材料表面电阻率和体电阻率测量,相对示值误差可控制在9%范围内;该装置可应用于体积电阻率在105~1018Ω·cm的航天器用复合材料电阻率的测试。     

用发射天线式微波等离子体CVD装置沉积大面积金刚石薄膜

在国内首次研制成功了高气压发射天线式微波等离子体辅助化学气相沉积金刚石薄膜装置，用该装置成功地在３英寸的单晶硅衬底上沉积了Φ７０ｍｍ的金刚石薄膜。这一成果填补了国内空白，对我国金刚石薄膜研究领域的设备更新换代和开发应用具有重要意义。     

新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置

微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积，在国内首次研制成功了５ｋＷ带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式ＭＰＣＶＤ装置。初步用该装置成功在硅基片上沉积得到了金刚石薄膜。     

聚偏氟乙烯压电薄膜

宾沃尔特(Pennwalt)公司的 Kynar 压电聚偏氟乙烯薄膜可用作路面传感器以帮助管理交通信号。聚偏氟乙烯薄膜通常不产生压电现象,但伸展薄膜并使分子排列整齐,用金属覆层包覆和在强电场中处理薄膜(使聚偏氟乙烯薄膜中的氢和氟原子取向)后,会产生压电现象。当伸展和受压时,薄膜产生电流。用这种薄膜制成的交通传感装置能计算车辆数,称     

日本收缩包装机

收缩包装机由薄膜外包装装置和加热箱(热风炉)构成。商品用热收缩薄膜包装和密封以后,加热箱的热能使薄膜收缩,形成收缩包装。早先,包装商品时,外包装用手工操作。以后逐渐使用半自动密封机。即使是现在,仍使用 L 型加热板密封机和加热箱联合装置。包装大宗商品时,也要使用自动包装机和加热箱合装在一起的种种包装机。热收缩外包装机具有以下的特点:(1)外包装本身不需要包装得很紧。     

太空辐射致冷空调装置的实验研究

针对辐射致冷进行了可行性研究.首先介绍了辐射致冷的原理和实现方法,然后利用红外发射率测定仪测定了碳黑、TiO2、NaCl晶体、聚酯(PET)薄膜与聚四氟乙烯(PTFE)薄膜的红外发射率,并间接测定了低密度聚乙烯薄膜(LDPE)对于不同材料的透过率.最后研制了利用空气为冷媒介质的辐射致冷实验装置,进行了夜间静态和连续抽气实验.实验结果表明:分别用PET薄膜和PTFE薄膜作为辐射体,静态实验时,可获得与环境的最大温差分别为11℃和9℃;连续抽气实验时,装置出口处冷空气与环境的最大温差分别为4.7℃和5.4℃.通过计算,装置的有效致冷功率为74.5W/m2,故该装置可实现节能型建筑夏季夜间的连续降温.     

表面波激发等离子体合成类金刚石薄膜的实验研究

用表面波等离子体装置进行了类金刚石薄膜的合成实验,研究了微波功率、基底负偏压和气体组成等条件对成膜的影响.用拉曼光谱和扫描电子显微镜对薄膜结构和表面形貌进行了分析,得出在100Pa的工作气压下,使用CH4放电,大功率和高偏压有利于生成质量较好的薄膜.     

高温薄膜分离气体

使用薄膜来大规模分离气体的成功，促进了能用于其它装置的新膜的开拓研究。最近研制的一种薄膜，是用聚二甲基硅氧烷在多孔玻璃中进行聚合制成的高温膜。     

用超音速电弧等离子体射流合成金刚石膜

本文简要地介绍用超音速电弧等离子体射流合成金刚石薄膜的原理、装置、性能、特点及目前进展。     

表面波激发等离子体合成类金刚石薄膜的实验研究

用表面波等离子体装置进行了类金刚石薄膜的合成实验，研究了微波功率、基底负偏压和气体组成等条件对成膜的影响。用拉曼光谱和扫描电子显微镜对薄膜结构和表面形貌进行了分析，得出在100Pa的工作气压下，使用CH4放电，大功率和高偏压有利于生成质量较好的薄膜。     

聚酰亚胺薄膜的制备及其摩擦学性能研究

通过浸渍得到了聚酰胺酸薄膜,采用适当的方法对薄膜进行处理之后再进行热亚胺化得到聚酰亚胺薄膜.用DF-PM型动静摩擦系数精密测定装置考察所得到的聚酰亚胺薄膜的摩擦学性能.用SEM考察了聚酰亚胺薄膜的磨痕形貌和对偶Si3N4陶瓷球表面的转移膜的形貌.结果表明,聚酰亚胺薄膜在与Si3N4陶瓷球对磨时,由于在摩擦过程中,聚酰亚胺能够在对偶面上形成均匀的并且低剪切强度的转移薄膜,因此表现出了优异的减摩与抗磨性能.聚酰亚胺薄膜的摩擦和磨损行为主要取决于薄膜的制备条件.     

全息照相用新材料的研究

日本三菱电机中央研究所应用掺杂新杂质铀离子的铌酸锂晶体,成功地将信息存储保持时间比用旧材料延长10倍以上。全息照相存储装置作为取代磁盘存储装置的第二代大容量薄膜存储装置的补充而引     

离子束溅射作用下聚四氟乙烯薄膜的制备方法

在多功能离子束辅助沉积装置上采用交替溅射和冷却聚四氟乙烯靶材的方法制备了薄膜。由XPS的结果可知，所得薄膜主要由CF2结构组成；FT-IR的结果表明，所得薄膜由C-F的最强吸收峰和聚四氟乙烯的特征吸收峰构成。所得薄膜的这些结构特征与聚四氟乙烯的结构是一致的。试验结果表明，用这种离子束溅射沉积方法可以获得聚四氟乙烯薄膜。     

沉积参数对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响

用强电流直流伸展电弧化学气相沉积金刚石薄膜装置,在CH4-Ar和CH4-H2-Ar气氛中沉积了纳米金刚石薄膜,研究了沉积气氛中H2加入量和沉积压力对金刚石薄膜显微组织和生长机制的影响.沉积气氛中H2含量对金刚石薄膜的表面形貌、晶粒尺寸和生长速度有显著影响,随着H2含量增加,金刚石晶粒尺寸增大,薄膜生长速度提高.在1%CH4-Ar气氛中沉积的纳米金刚石薄膜,晶粒尺寸细小,薄膜表面形貌光滑平整.在1%CH4-少量H2-Ar气氛中沉积的金刚石薄膜,晶粒尺寸小于100nm,薄膜表面形貌较平整.随着沉积压力提高,金刚石薄膜的生长速度增大.用激光Ram an对金刚石薄膜进行了表征.     

超声喷雾热解法制备MgO薄膜及性能研究

采用自制超声喷雾热解装置制得MgO薄膜,用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计等研究了MgO薄膜的晶体及微观结构。结果表明,随着沉积温度的提高,薄膜的结晶性能变好,光透射率随之升高;当沉积温度为650℃时,薄膜的晶粒为52.295nm,在可见光波段透射率达到77%。沉积温度对MgO薄膜的晶体结构、表面形貌以及光学特性有显著影响,是调控MgO薄膜结构和光学特性的有效手段。     

增强型脉冲离子源镀制DLC薄膜拉曼光谱研究

本文利用增强型脉冲电弧离子源在硅基底上沉积类金刚石薄膜，拉曼光谱分析表明DLC薄膜中sp^3键含量比不加磁过滤装置时脉冲离子源所镀的类金刚石薄膜高，折射率更接近金刚石折射率2．4并且光学带隙也增大，证明用增强型脉冲离子源镀制的类金刚石薄膜sp^3键含量提高，性能得到了很大改善。     

纳米结构TiN薄膜的制备及其摩擦学性能

在室温条件下,用磁过滤等离子体装置在单晶硅基底上制备了纳米结构TiN薄膜分析了薄膜的表面形貌、晶体结构,测量了TiN薄膜的硬度,研究了基底偏压对薄膜结构性能的影响.结果表明,用此方法制备的TiN薄膜表面平整光滑,颗粒尺寸为50～80 nm;随着基底偏压的增大薄膜发生(111)面的择优取向随着偏压的提高,薄膜的颗粒度稍有增大,摩擦系数增大,偏压提高,晶面在较密排的(111)面有强烈的择优取向,硬度也有所增大.在其它条件相同的情况下载荷越大,摩擦系数越大.不起用磁过滤等离子体法制备的纳米结构TiN薄膜具有较低的摩擦系数(0.14～0.25).