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在等离子弧焊接中采用无电源探针法可以检测等离子云,判断焊接小孔是否形成。根据等离子体鞘层理论,伸入等离子云中的探针表面将产生一负电位,称其为鞘层电压。采用探针检测等离子弧焊接中的等离子云,其检测信号与鞘层电压密切相关。由于鞘层电压大小与探针检测处等离子体温度和成分有关,因此,在检测过程中,探针位置、焊接速度和焊接电流等影响等离子云温度的因素是影响检测电压大小的主要原因。试验证明,同样的焊接条件,探针位置不同,检测信号差别很大,甚至可能检测不到等离子云的信号。不同的焊接工艺参数,对应有不同的最佳探针位置,在最佳探针检测位置可以获得最大的检测电压值。 相似文献
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利用高速摄影照片试验研究了等离子弧焊接时小孔形成过程中等离子体反翘的变化情况,以及小孔尺寸与等离子体反翘之间的关系.结果表明,等离子体反翘随着小孔的形成而不断变强,喷射角不断变大;随小孔尺寸的增大,等离子体反翘逐渐变弱,喷射角逐渐减小.通过分析等离子体反翘与小孔尺寸的关系,根据等离子体反翘导电特性设计了一种简单适用的探针法检测小孔状态的电路,可以检测出小孔的不同状态.提出了一种新的穿孔等离子弧焊中小孔稳定性的控制思想. 相似文献
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目前的高漏抗空气等离子弧切割机设计有些不太合理。本文通过大量试验得出切割一定厚度所需电压、电流, 避免造成过电压欠电流和欠电压过电流。另外,在变压器制造时注意漏磁产生的涡流,通过采取合理措施提高空气等离子弧切割机的暂载率。即可设计出高质量的空气等离子弧切割机。 相似文献
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阴极等离子电解沉积是一种将传统电解和等离子体相结合的表面处理与材料制备技术,与传统的表面处理技术相比,该技术在能量消耗、制备速率、沉积层表面致密度、与基体结合力等方面均有大幅度改善,因此备受关注。概述了阴极等离子电解沉积的基本机理,包括电压-电流的演变过程、气体鞘层的形成过程、等离子体的演变规律和金属离子的沉积现象等,在此基础上讲解了阴极等离子电解沉积的技术优势。针对阴极等离子电解沉积过程中复杂的影响因素,分析并探讨了电压、占空比、时间等电参数以及酸含量、添加剂、电解液浓度等溶液参数对阴极等离子电解沉积的影响规律。在此基础上,重点综述了近年来阴极等离子电解沉积在多个领域的研究进展,包括先进陶瓷涂层、金属涂层以及复合涂层的制备,纳米电催化剂、纳米微球、中空微球和石墨烯等功能材料的合成以及渗碳、渗氮等领域的应用等。最后总结并展望了阴极等离子电解沉积在涂层领域的发展方向以及催化剂、石墨烯等其他新型领域的研究前景。 相似文献
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T. E. Sheridan Plasma Research Laboratory Australian National University Canberra ACT Australia 《金属学报(英文版)》2000,13(2):611-617
Plasma--immersionionimplantation(Pill)isapowerfultechniqueforsurfacemodificationofmaterials[1'2].InthePillprocess)theobjectbeingimplantedisimmersedinaplasmaandrepeatedlypulsedtoahigh,negativevoltage(scallto--100kV).AtypicaltargetgeometryisshowninFig.la.Theapplicationofthisbiascreatesasheaththatexpandsintothesurroundingplasma,uncoveringpositiveionsandacceleratingthemtothetargetsurfaCe,wheretheymaybeimplanted.Theseimplantedionsmodifythesurfacewhiletightdimensionaltolerancesaremaintained.Aprin… 相似文献
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在磁流体动力学模型的基础上,引入阳极鞘层区简化模型,对直流等离子体电弧流动与传热进行了模拟研究.为研究阳极鞘层区对直流等离子体电弧存在的影响,进行了四组不同条件的模拟计算,并对引入和未引入阳极简化模型的模拟结果进行统计分析.结果表明,电弧阳极鞘层区的存在虽然对电弧最高温度及其温度云图没有明显影响,但对阳极热通量影响较大,使阳极热通量明显降低,并且增大了阳极界面所受剪切力.因此,电弧阳极鞘层区不仅降低电弧热传递效率,而且会导致阳极熔池界面不稳定性增强. 相似文献
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Zongtao Zhu Xiubo Tian Zhijian Wang Chunzhi Gong Shiqin Yang Ricky K.Y. Fu Paul K. Chu 《Surface & coatings technology》2011,206(7):2021
Plasma immersion ion implantation (PIII) is a promising surface treatment technique for the irregular-shaped components. However, it is difficult to achieve uniform implantation along the surface of a concave sample due to the propagation and overlapping effect of plasma sheath. In this paper, a new ion implantation process is presented for improving the dose uniformity, especially for enhancing the lateral dose of the samples with concavities. In PIII enhanced by beam-line ions process, a beam-line ion source with certain energy is introduced from an external source into the concavity to suppress the sheath propagation and consequently to improve the dose uniformity. The time-dependent evolution of the potential, electrical field and the particle movement surrounding the surface of concave sample is studied by a particle-in-cell/Monte Carlo collision (PIC/MCC) simulation during a single bias high voltage (HV) pulse. The simulation results show that the plasma sheath propagation surrounding the concave sample is suppressed effectively by beam-line ions, and can be quasi-steady state during a single HV pulse. The influence of the energy of induced beam-line ions on the incident ion dose and energy distribution is discussed. Compared with the traditional PIII process, the dose uniformity of the sample surface is improved obviously due to the increase of the ions implanted into the lateral surface. 相似文献