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液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。 相似文献
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利用弱束暗场技术透射电镜拉伸台观察了二相TiAl基金属间化合物层片结构中的位错组态,发现层片结构中含有丰富的位错网络,位错亚晶界以及界面位错墙。位错与拉伸变形时的位错滑移线均可贯通TiAl及Ti3Al层片,反映了民支片间的协调变形。 相似文献
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在扫描电镜和H-800透射电子显微镜上,研究了Ti3Al-Nb(Ti-24Al-14Nb-3V-0.5Mo)(at.%)合金不同组织状态下的室温拉伸变形机制。利用双倾技术和双束条件下g.b=0不可见判据,分析了合金中具有D019结构的α2相和bcc结构的B2相在拉伸变形后的位错类型和滑移系。结果表明,初生α2相体积分数高时,α2相内部出现致密且平行的滑移带,a型位错在基面{0001}上形成大量亚晶界和六角位错网络,使初生α2晶粒产生形变,并且协调了晶界的变形。另外,还有a型刃位错及少量c型位错在柱面{1010}上滑移,初生α2相体积分数低时,基体B2相上形成宽而长的滑移带,a/2〈111〉刃型位错在{110}面上滑移是B2相的主要变形模式。 相似文献
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用X射线衍射,扫描电子显微镜和透射电镜/能谱仪分析了Al2O3/TiB2和Al2O3/TiB2/SiCW陶瓷材料在1300℃氧化30小时后氧化层的相组成及显著结构。 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。 相似文献
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TiAl合金形变孪晶恢复过程的原位拉伸观察*梁伟杨德庄*赵兴国陆路郑维能(太原工业大学测试中心,太原030024)(*哈尔滨工业大学热处理教研室)(1/6)〈112]{111}形变孪生及(1/2)〈110]普通位错滑移是双相TiAl基合金的两个主要变... 相似文献