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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 218 毫秒
1.
Al_(67)Mn_8Ti_(25)有序合金常温变形位错分解的计算机模拟分析戎咏华,吴晓华,陈小夫,陈世朴,胡赓祥(上海交通大学材料科学系,上海200030)常温脆性仍是Ll_2型Al_3Ti合金成为新一代航天航空材料的主要障碍。为此,了解其变形机制及变...  相似文献   

2.
液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响   总被引:3,自引:2,他引:1  
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。  相似文献   

3.
TiAlSi合金γ相内位错网的电子衍衬分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
γ-TiAl中所观察到的位错主要有(1/2)〈110]普通位错,(1/2)〈112]和[011]超点阵位错。Kad等研究了TiAl合金层状组织层片界面的位错结构[1],表明由于非180°旋转孪晶界面两侧晶体在界面处的非严格匹配而形成剪切边界,其中一类...  相似文献   

4.
利用弱束暗场技术透射电镜拉伸台观察了二相TiAl基金属间化合物层片结构中的位错组态,发现层片结构中含有丰富的位错网络,位错亚晶界以及界面位错墙。位错与拉伸变形时的位错滑移线均可贯通TiAl及Ti3Al层片,反映了民支片间的协调变形。  相似文献   

5.
在扫描电镜和H-800透射电子显微镜上,研究了Ti3Al-Nb(Ti-24Al-14Nb-3V-0.5Mo)(at.%)合金不同组织状态下的室温拉伸变形机制。利用双倾技术和双束条件下g.b=0不可见判据,分析了合金中具有D019结构的α2相和bcc结构的B2相在拉伸变形后的位错类型和滑移系。结果表明,初生α2相体积分数高时,α2相内部出现致密且平行的滑移带,a型位错在基面{0001}上形成大量亚晶界和六角位错网络,使初生α2晶粒产生形变,并且协调了晶界的变形。另外,还有a型刃位错及少量c型位错在柱面{1010}上滑移,初生α2相体积分数低时,基体B2相上形成宽而长的滑移带,a/2〈111〉刃型位错在{110}面上滑移是B2相的主要变形模式。  相似文献   

6.
用X射线衍射,扫描电子显微镜和透射电镜/能谱仪分析了Al2O3/TiB2和Al2O3/TiB2/SiCW陶瓷材料在1300℃氧化30小时后氧化层的相组成及显著结构。  相似文献   

7.
本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体  相似文献   

8.
Al3Ti金属间化合物具有比重小、热强性高和抗高温氧化性能好等特性而引人注目,可望成为新的轻质高温结构材料。但Al3Ti具有有序四方DO22结构,很脆。用Fe、Mn、Cr、Ni等元素替代合金中一定量的Al,可将DO22结构转变成高对称性的有序立方L1...  相似文献   

9.
本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。  相似文献   

10.
TiAl合金形变孪晶恢复过程的原位拉伸观察*梁伟杨德庄*赵兴国陆路郑维能(太原工业大学测试中心,太原030024)(*哈尔滨工业大学热处理教研室)(1/6)〈112]{111}形变孪生及(1/2)〈110]普通位错滑移是双相TiAl基合金的两个主要变...  相似文献   

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