一维位置灵敏热中子3He高气压正比计数管的研究

对高气压（10atm）下的^3He国产正比计数管的一维位置灵敏效应做了一定的研究。包括正比管的设计、蒙特卡罗模拟等。得到了较明显的位置灵敏效应结果,测出了厘米级的位置分辨率。     

^3He球形正比计数器热中子探测效率研究

导出了球形计数器中子探测效率与其结构参数的关系。计算和测量了~3He球形正比计数器对一已知温度麦克斯韦谱中子的探测效率,计算值与实验值在实验误差以内相符。     

慢中子正比计数器探测效率研究

推导出典型几何计数器中子探测效率及热能谱修正系数。~3He和BF_3计数器热中子探测效率实测值与理论预言值满意地符合。在E>0.1eV能区,仅考虑~3He(n,p)反应的理论值低于蒙特卡罗计算值[已计及(n,n)反应]和实验值,而实验数据与蒙特卡罗计算结果较好地符合。     

低气压多丝正比室性能的系统测试

介绍了对自行研制的低气压多丝正比室在低能下的系统测试结果。结果显示：在最佳工作条件下，低气压多丝正比室的位置分辨率小于0．8mm，时间分辨率小于2ns，低能下的探测效率接近100％，适合于放射性核束的束流监测。     

掺钆高阻性板室热中子探测器的性能模拟

利用MCNP和Garfield程序模拟粒子与高阻性板室(RPC)热中子探测器的作用过程,计算出了转换体Gd2O3的最佳厚度和高阻性板室探测器对中子、γ的灵敏度,并得出了热中子和1.25 MeVγ与探测器作用产生的电子能谱。最终利用模拟数据给出了RPC热中子探测器的探测效率和时间分辨随电场、混合气体比例的变化规律,得到了最佳的电场强度和混合气体比例。     

三维方孔硅探测器的热中子探测影响研究

采用基于Monte-Carlo方法的Geant4程序对填充~6LiF中子转换材料的三维方孔硅探测器的热中子探测进行了模拟,研究了探测器结构与探测效率、能量沉积谱的关系。探究了方孔截面尺寸、孔间距、孔深度、系统最小可探测限(LLD)等参数对热中子探测效率的影响。研究结果表明,探测效率随截面尺寸或孔间距的增大先增加后减小,随孔深度的增加而增大,直到一个极限值。经优化结构参数,在LLD为300 keV的情况下,孔间距大于6μm的三维方孔硅探测器的探测效率受LLD的影响较小。理论上,三维方孔硅探测器的最佳尺寸为孔间距6μm、孔截面尺寸30μm、孔深度1 mm,其探测效率可达59.5%。     

正比计数管探测低能X射线时探测效率的MC计算

为研究各因子对正比计数管探测低能X射线时性能的影响,利用MCNP5软件计算了不同光子能量下管内气体种类、气体压强及壁效应、放置距离等因素对探测器探测效率的响应情况。结果表明正比计数管探测器对10~30 ke V X射线探测效率最佳;且在探测低能X射线时,正比计数管应尽可能靠近源项,同时管内最佳气体压强在1.515×105~2.02×105Pa之间。     

用于低能X射线分析的电荷分配式位置灵敏正比计数器

研制了一种电荷分配式单丝阳极位置灵敏正比计数器．它的效率由近似公式所估价．在感兴趣的4～6．5keV能区内相应效率从65％～25％间变化;它的位置分辨率用宽度50μm(x)的^55FeX射线束测定,可达到0．55mm。并介绍了由这PSPC构成的位置灵敏谱仪两个应用事例。     

涂硼正比计数管慢化体对中子探测效率影响研究

涂硼正比计数管是一种常用的反应堆源量程探测器,对热中子测量有很高的探测效率,对于快中子反应堆则需要增加合适的慢化体,提高中子探测效率。本文利用蒙特卡罗程序MCNP,模拟计算涂硼正比计数管在不同慢化体厚度的情况下,对各能量单能中子的相对探测效率和绝对探测效率,得到在不同慢化体厚度下,计数管的相对探测效率和绝对探测效率与中子能量的关系。最后针对快中子反应堆的典型中子能谱,模拟计算涂硼正比计数管在不同的慢化体设计时的探测效率,得出了一种优化的慢化体设计方案,对快中子反应堆核测量系统设计具有一定指导意义。     

中子计数器探测效率的校准

设计制作了一个 BF3长硼中子计数器 ,采用伴随粒子法标定了其中子探测效率 ,约为 3.17×10 -4 ( 1± 18% )。利用这个中子探测器测量了中子管脉冲中子产额 ( 10 7/ pulse)     

高效率BF3正比探测器阵列的中子探测技术

主要介绍了一种由置于石蜡慢化体内的BF3计数管阵列组成的高效率的中子探测器测量系统．整个系统共包含了8组正比探测器,每组所包含的BFs计数管数目均不同,其总中子探测效率可达3．38％。此探测系统能够广泛应用于中子产额变化范围宽、下限低的脉冲中子源的中子产额测量。     

基于LabVIEW设计的RPC-Gd热中子探测器测试系统

在WinXP系统下,基于LabVIEW开发了RPC-Gd热中子探测器的性能测试系统.结合LabVIEW图形显示能力和仿真仪器面板功能,通过调用外部动态链接库机制,封装CAMAC的I/O接口命令为功能函数子Ⅵ系列,以此将各电子学插件编译为功能模块.根据不同实验的要求可对功能模块进行灵活选择和设置.测试系统具有开放性、可移植性,使用界面友好简易.     

用于中子诊断的塑料闪烁探测器性能标定

介绍了用于脉冲中子诊断的塑料闪烁探测器特性，并通过K－400加速器和脉宽10ns的窄脉冲中子管分别刻度了探测器的DT中子探测效率和灵敏度。探测效率的计算值与实测数据在误差范围内是一致的。     

降低闪烁探测系统中子灵敏度的方法初探

针对脉冲辐射场高强度裂变中子测量的特点,设计了降低灵敏度的狭缝闪烁探测系统,初步研究了系统的2.5MeV中子灵敏度。实验结果表明：由狭缝屏蔽准直器和闪烁探测器组成的新型狭缝闪烁探测系统,可使传统的直照探测模式的下限灵敏度降低一个量级,拓宽了闪烁探测器在脉冲辐射场中子测量中的应用。     

Si-PIN探测器中子直照灵敏度研究

介绍了利用K600中子发生器进行Si-PIN探测器灵敏度标定的实验方法,并在实验中测出了Si-PIN探测器对14MeV中子的直照灵敏度。同时,利用MCNP模拟程序对Si-PIN探测器不同能量的中子直照灵敏度进行了理论计算,实验灵敏度处理结果和理论计算值较为一致。     

闪烁探测器中子灵敏度高精度标定技术

叙述了探测器的14.1MeV中子灵敏度标定原理和方法,针对实验空间小,干扰大的特点,采取了有效的屏蔽措施,利用MCNP程序建模,优化设计出了对次级γ和散射中子屏蔽性能高的屏蔽体,实验研究表明:ST401、YaP:Ce、 CeF3的信噪比分别达30∶1、11∶1、6.6∶1,比测点本身的信噪比提高了7倍,灵敏度标定精度提高了20%以上.