具有黑色矩阵滤光片的高亮度多色EL显示屏

在实验的基础上研制出了具有黑色矩阵滤光片的多色EL显示屏。采用CVD法沉积ZnS:Mn发光层,在60Hz驱动频率下绿色和红色象素的亮变分别超过80cd/m~2和30cd/m~2。     

高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备

通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m~2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m~2到20000 cd/m~2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 m A/cm~2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m~2和500 cd/m~2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。     

彩色有机薄膜电致发光器件及显示技术

对性能稳定的彩色薄膜有机EL器件进行了研究.其中绿色有机器件的半亮度寿命为14000小时(初始亮度100cd/m2),已达到实用化的要求.红色、蓝色和白色器件的半亮度寿命(初始亮度100cd/m2)分别达到了3750、1016和2850小时.在得到稳定的绿色有机薄膜电致发光器件基础上,对矩阵显示屏及动态显示技术进行了研究.得到了面积为48mm×30mm、分辨率为2线/mm的96×60象素矩阵显示器,其中单位象素的有效发光面积为0.4mm×0.4mm,单元间隙为0.1mm.并设计了有效的驱动和控制电路,实现了无"交叉效应"的、高清晰度的动态图形显示.显示器在1/64的驱动占空比下的显示亮度大于100 cd/m2,屏的功耗为0.6W.     

有机EL平板显示器件技术进展

自1936年初发现EL(电致发光)现象以来,直至将其应用于显示器件已延续了半个多世纪。以研究历史来看比液晶显示器件(LCD)长,但实用化却相对滞后。现在仍局限于少数公司在开发橙色或绿色的单色显示器件。这种单色器件使用Se和Zn等无机化合物薄膜为发光材料,属于结构简单的自发光型平板显示器件。但:发光效率低,为1m/W;驱动电压高,为100V以上;只能获得100cd/m~2的亮度。     

几种蓝色发光薄膜电致发光器件

近年来,为实现全色平板显示器,人们对薄膜电致发光器件进行了积极的研究。实际应用的最大障碍是缺少蓝色发光器件。作为一种蓝色发光的 EL 器件,人们对 Tm 掺杂的 ZnS 薄膜进行了研究,但是这类器件所能达到的最大发光亮度很低(10—12cd/m~2)其次,ZnS:Tm EL 器件的发光颜色也不合     

Tb~(3+)和Eu~(2+)掺杂的CaS薄膜的电致发光

引言最近的一些研究结果已经表明:稀土掺杂的碱土硫化物材料对于彩色薄膜电致发光器件是一种很有希望的材料。然而到目前为止,能象ZnS:Mn那样用于商品化平板显示器件的材料只有绿色的ZnS:TbF_x。对于红色发射的CaS:Eu~(2+)和蓝绿色发射的SrS:Ce~(3+),K薄膜,在1k Hz频率驱动下,其亮度分别为170和500cd/m~2。这一亮度对于实际应用来说还是很低的。与此相类似,CaS:Cc~(3+),Cl薄膜在5kHz频率驱动下,     

具有Zn_2SiO_4:Mn发射层的高亮度绿色发光TFEL器件

利用 Zn_2SiO_4:Mn 荧光粉薄膜和BaTiO_3绝缘陶瓷片制备出高亮度绿色发光TFEL 器件。当用频率为5kHz 的正弦电压驱动时,这种器件的亮度和发光效率分别为5600Cd/m~2和0.8m/W;当驱动频率为60Hz时,亮度高于200Cd/m~2.结果证明,具有 Zn_2SiO_4的绿光发射 ICTFEL 器件的 EL特性完全可以与 ZnS:Tb,F 器件相媲美。     

白色磷光OLEDs的制备及性能研究

采用蓝色、黄色磷光混色的发光方式实现白光有机电致发光器件(OLEDS),其中黄色发光层由红色和绿色磷光材料混合而成,器件的结构为ITO/MoO3(30nm)/NPB(40nm)/mCP:FIrpic(8%)(50nm)/CBP:R-4B(1%):GIrl(14%)(xnm)/BCP(10nm)/AlQ(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)(x=2,3,4,5,6nm)。对器件的效率、亮度等对比发现,当x=5nm时,器件的性能最佳,最大亮度为9 471cd/cm2,效率为23.5cd/A,色坐标(0.32,0.35)。实验表明,影响器件色稳定性和效率低的原因是电子和空穴迁移随驱动电压变化响应不一致引发激子复合区域的移动。     

薄膜电致发光材料

综述了近期关于适合于高场 AC 驱动的薄膜器件的发光材料方面的工作。在商业化平板显示器件中使用的黄色辐射 ZnS:Mn 材料仍是最好的 EL 材料。对于彩色显示器件的需要已经导致了稀土离子掺杂的 ZnS 和碱土硫化物材料的发展。它们能给出蓝色、绿色和红色的发光。对于这些新的磷光体,给出绿色发射的 ZnS:TbF_3材料最接近于商品化应用。     

蓝色发光有机电致发光器件

具有多层薄膜结构,发射鲜蓝色光的有机电致发光(EL)器件已经制成并为选择蓝色发光材料制定了二个经验性指南。要获到具有高 EL 效率的 EL 器件,关键是发射层要有优异的成膜能力以及发射极与载流子输运材料的适当组合,避免形成激态复合物。在我们的有机电致发光器件中,有一个器件在电流密度为100mA/cm~2,直流驱动电压为10V 时,蓝光发射亮度达700cd/m~2。     

含有SrS:Ce,Cl/Zu Mn双磷光体层的白色薄膜电致发光EL器件

Zn:Mn 薄膜交流 EL 平板显示器件在高亮度、长寿命和稳定性等方面所取得的进展使人们对这种显示器件的兴趣进一步增加。由于 ZnS:EL 屏的发光颜色局限于橙黄色。因此,人们为了研制多色薄膜 EL 器件而进行不了懈的努力。然而,在研制白色薄膜 EL 器件方面所做的尝试却很少。至今已报导过的较好的白色薄膜 EL 磷光体 ZnS:PrF_3,在5kHz 电压驱动下只能给出350cd/m~2的较低亮度。最近的研究表明,稀土掺杂的碱土硫化物对于多色薄膜 EL 器件来说是一种有希望的材料,尤其是 SrS:Ce 已成为蓝色 FL 的一种     

稳定的白色SrS:Ce,K,Eu TFEL

本文报道了一种发白光的 SrS:Ce,K,Eu 薄膜电致发光(TFEL)器件,在超出阈值电压40V,频率为1kHz 的驱动下,亮度可达325cd/m~2,效率为0.151m/W.对以SrS 为基质的 TFEL 器件的亮度一电压衰减特性进行了测量。发现 SrS:Eu 器件比     

稳定的白色SrS:Ce,K,Eu(TFEL)薄膜电致发光

本文报道了发射白光的SrS:Ce,K,Eu薄膜电致发光(TFEL)器件,在1kHz驱动下其亮度达500cd/m~2。在5kHz的加速老化条件下稳定性超过4000小时。用埋置滤光片得到全色器件。     

多层结构红色OLED器件的制备与光电性能研究

采用真空热蒸镀的方法,在高精度膜厚控制仪的监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀,其中发光层采用三种材料的共蒸,制备了一种多层结构红色有机电致发光(OLED)器件:ITO/CuPc/α-NPD/Alq3∶Rubrene(10%)∶DCJTB(1%)/Alq3/LiF/Al.从实验结果分析可知:随着驱动电压的变化,其EL光谱有蓝移的现象,发射峰从638nm变到632nm,同时色坐标值也发生相应的变化;器件的发光效率在驱动电压较低时(5V),达到最大值5.77cd/A,随着驱动电压的增加,发光效率呈缓慢降低的趋势.     

加入电子阻挡层的黄色磷光有机电致发光器件

使用绿色磷光材料GIr1和红色磷光材料R-4B作 为掺杂剂,制备了一种黄色磷光有机电致发光 器件(OLED),其结构为ITO/MoO₃(60nm)/NPB(40nm)/TCTA(x nm,x＝0、5、10和15)/CPB:GIr1:R -4B(30nm,14%,2%) /BCP(10nm) /Alq₃(40nm)/LiF(1nm)/Al( 100nm)。其中x＝0,5,10,5nm。通过在发光层与空穴传输层之间增 加电子阻挡层TCTA,使器件的效率得到提高。当TCTA厚为10nm时, 起亮电压为4V左右,器 件的最大发光效率为20.2cd/A,最高亮度可以达到21840cd/m²,器件的色坐标 为(0.42,0.53)。器件的EL主峰位于524nm 和604nm。并且当电流 密度为2.49mA/cm²时,10nm厚的TCTA 电子阻挡层的器件发光效率是不加入TCTA的器件发光效率的2倍。发光效率的提高是由于电 子阻挡层的加入限制了空穴传输层NPB的发光,从而使更多的激子在发光层中复合。     

基于DSA-ph的高效率超薄层蓝色有机电致发光器件

讨论了基于蓝色荧光染料DSA-ph作为发光层的蓝色有机电致发光器件,器件结构为：ITO/2T-NATA/NPBX/DSA-ph（xnm）/TAZ/Bphen/LiF/Al。通过改变DSA-ph的超薄层厚度,相应器件的性能指标也有所不同。研究表明,在超薄层厚度为0.5nm,驱动电压为4V时,器件的最大发光效率为6.57cd/A;在超薄层厚度为0.3nm时,驱动电压为10V时,器件的最大亮度为5 122cd/m^2。器件的色坐标在（0.17,0.36）附近,属于蓝光发射。     

双主体掺杂红色有机电致发光显示器件的研究

利用三源共蒸发技术制作了双主体掺杂红色有机电致发光显示器件,研究了不同掺杂比例下,Alq3∶Rubrene∶DCJTB双主体掺杂系统的红色OLED器件,器件结构为ITO/HIL/NPB/Alq3∶Rubrene∶DCJTB/Alq3/LiF/Al,其中发光层Alq3∶Rubren∶DCJTB是三掺杂发光结构体系。综合研究分析了Alq3与Rubrene的掺杂比例和发光效率、色纯度之间的关系,当Rubrene的掺杂比例达到60%时,器件达到最佳效果;电压9V时,该器件发光亮度达到3580cd/m2,发光效率达到4.58cd/A,功率效率也达到1.60lm/W,相应的色坐标为(0.65,0.35)。     

采用新型锰源用MOCVD技术制备ZnS:Mn电致发光层

在用MOCVD技术制备ZnS:Mn多晶薄膜的过程中,用CPM[(C_5H_5)_2Mn:2-π-茂基锰]和BCPM[(CH_3C_5H_4)_2Mn:二甲基茂基锰]作新的掺杂源,并与早些时候使用的TCM[(CH_3C_5H_4)Mn(CO)_3:三碳酰甲基茂基锰]做了与较。与即使在400-500℃也仅有部分分解的TCM相比,CPM和BCPM在ZnS的最佳生长温度即280-350℃就完全分解。在热分解的时候,TCM产生含有锰和碳酰的副产品,它对发光不起作用;而CPM和BCPM则不是这样。由于它的这些优点,用CPM或BCPM制备的器件有更高的亮度。用CPM制备的厚度为500nm的ZnS:Mn层在1kHz正弦波激发下的最大光效(ηmax)为4.81m/W,而饱和亮度(Lsat)为4300cd/m~2。至于BCPM,则得到3150cd/m~2的饱和亮度。而用TCM制备的器件的亮度则低于1000cd/m~2,光效低于1lm/W。当与红色滤光片联用时,采用具有CPM或BCPM的MOCVD制备的ZnS:Mn还能提供有效的红色EL。当使用截止波长为590nm的玻璃滤光片时,在1kHz正弦波激发下,用CPM制备的EL器件产生的Lsat为1420cd/m~2,ηmax为1.6lm/W,色座标值x=0.4626,y=0.373。     

具有CaS_(1-x)Se_x:Eu荧光粉层的红色电致发光器件的特性

本文研究了CaS_(1-x)Se_x∶Eu(0相似文献   

具有溅射SrS:Ce薄膜的蓝-绿色TFEL器件

用射频溅射法制备出以SrS:Ce荧光膜层为基础的发射蓝-绿光的薄膜器件。将器件的亮度和效率作为薄膜生长期间的气体压力,溅射靶中的杂质含量有源层厚度的函数,并对此进行了研究。生产出的器件在1kHz驱动下能产生超过300cd/m~2的亮度,它的CIE色坐标值为x=0.174,y=0.368。为了改进器件特性还讨论了实验结果。