含各向异性特异材料三明治结构的Goos-H主inchen位移研究

采用稳态相位法研究了正折射率材料/各向异性特异材料/金属三明治结构反射波的Goos-H(a)nchen (GH)位移.分别给出了在第一界面处发生全反射和部分反射情况下GH位移的解析表达式,并分析了含有4种不同类型特异材料三明治结构反射波产生GH位移的条件及GH位移的正负情况.通过数值计算系统研究了各向异性特异材料的光轴...     

古斯汉欣位移研究进展

本文通过K. Artmann的稳定位相理论对古斯汉欣(Goos-H?nchen,GH)位移进行了定性解释和定量分析;总结了国内外相关研究工作,介绍了GH位移在金属界面、介质光栅结构、多层金属包络结构、光子晶体材料、手性材料等界面理论研究和实验测量结果;综述了GH位移在不同波段特别是太赫兹波段的研究成果;GH位移的测量方法有直接测量和干涉测量2种,本文对此做了总结和解释;最后,以温度传感和浓度传感方面的研究结果为例介绍了GH位移的应用。     

酞菁铜有机静电感应三极管动作特性研究

介绍了由有机半导体材料酞菁铜制作的具有Au/CuPc/Al/CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管.根据对该三极管测试,采用适当的数学工具,对其参数进行计算.通过Ⅰ-Ⅴ方程的拟合,对其动作特性进行了研究.通过对小信号等效电路模型的仿真计算,得出其截止频率,并提出了改善其动作特性的途径.     

磁性材料、超导材料和器件

TM271 02020103高灵敏度Ni过渡层Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应及其来源/李铁(中国科学院上海冶金研卿.)11中国科学E辑一2001,31(4).一314一322通过制备不同生长阶段不同厚度Ni过渡层C。/Cu/Co三明治,利用原子力显微镜、X射线衍射和高分辨电子显微镜等手段,系统地研究了Ni过渡层对材料表面形貌、界面,以及上下磁层磁性行为的影响,从而对高灵敏度的Ni过渡层C o/Cu/C。三明治巨磁电阻效应的来源进行了深入的研究.图6表1参17(木)TM274,TN911.7 020201.06粗糙表面铁磁性棒材微裂纹书翻0与信号处理技术研究/于敏,胡红利,孔忻,于轮元(西…     

大型波束波导平面反射镜设计与仿真技术研究

针对大型波导波束天线中大型平面反射镜的需求,给出了一种新的结构形式与制造方法,能够满足平面反射镜的高精度、 高刚度以及轻量化的要求.通过有限元分析优化设计,对比不同材料、 不同结构形式下的平面反射镜的力学性能,分析对比了常见蜂窝夹层结构计算的等效方法.依据蜂窝夹层三明治夹芯板理论的有限元分析结果,采用铝合金材料加铝蜂窝...     

薄膜增强的Goos-H(a)nchen位移

在单界面的全反射和双棱镜结构的受抑全内反射中,Goos-Hanchen(GH)位移量只能达到波长的量级,在实验中很难对其进行探测.在镀有薄膜的玻璃棱镜界面上,当入射角小于但接近于棱镜与薄膜(其折射率小于棱镜的折射率)界面的临界角时,全反射光束的GH位移共振增强现象.分析表明,在入射角给定的情况下,共振峰的峰值随着薄膜厚度的增加而增加,峰值位移量可以达到光波长的100～1000倍,且位移量可通过改变入射角和薄膜厚度来调节.最后给出了为使反射光束的轮廓不变,薄膜的厚度应满足的条件.     

静磁场对Sn58Bi焊点凝固显微组织的影响

采用对比分析的方法,观察了Cu/Sn58Bi/Cu和Ni/Sn58Bi/Ni焊点在匀强磁场下的凝固显微组织变化,研究了静磁场对焊点凝固显微组织的影响。结果表明:静磁场条件下,焊点的三明治结构在凝固过程中使界面附近产生明显温度梯度,导致界面附近的显微组织层片间距增大;慢速冷却利于粗大规则的共晶组织形成;Ni基板焊点的界面金属间化合物形成不规则的锯齿状结构。     

各向异性特异材料界面的反常折射与反射性质

根据电磁场边界条件和色散关系,理论研究了电磁波从各向同性右手材料向各向异性特异材料入射时的反常折射与反射性质,结果表明,从各向同性右手材料向never cutoff型特异材料入射时,透射波的波矢和坡印廷矢量的反射角具有相反的符号,折射角的幅度随着入射角的增大而增大并趋于一定值;研究了磁导率张量参数对折射角的影响,对于anti-cutoff型特异材料界面,当入射角小于临界角θc时可以发生反常的全反射,而对于always cutoff型特异材料界面总会发生全向全反射。这些电磁性质将在部分聚焦与全向反射镜方面具有潜在的应用价值。     

椭圆偏振光在各向异性1维光子晶体中的传输

为了解决利用传统传输矩阵法计算在各向异性材料结构中任意极化态电磁波传播遇到的困难,设计含磁光材料缺陷层的1维光子晶体。通过把入射电磁波按左旋圆偏振和右旋圆偏振进行正交分解的方法,推导出适合各向异性材料和任意极化态入射电磁波的传输矩阵算法。结果表明,该算法可以确定1维层状结构透射波和反射波偏振态的变化。     

含有损耗双负介质的棱镜波导中古斯汉森位移特性研究

研究含有损耗的双负介质导波层的棱镜波导耦合系统中的古斯汉森(Goos-H?nchen,GH)位移增强效应。采用稳态相位理论得出了GH位移的表达式,并推导出获得较大GH位移的充分条件;通过仿真分析,研究了介电常数、包层和导波层的厚度对GH位移的影响,同时验证了增强GH位移的充分条件的有效性。结果表明,利用双负介质做棱镜波导系统的导波层可以有效克服材料自身带来的损耗,实现较大值的GH位移;同时,系统中的GH位移极大值对包层和导波层的厚度的微弱变化(1纳米)十分敏感,可用来制作高灵敏度的表面平整度探测器。     

电气和电子工程用材料科学

TB43,TM936 00010032用转矩仪测皿薄膜磁各向异性的研究/张宝峰,曹文斗,魏立锋(天津大学)11仪器仪表学报一1 999,20(4)一398一400该文讨论由转矩仪测量薄膜材料磁各向异性的一个新方法,当单轴各向异性膜材料的本征易轴随机取向与膜平面的夹角为a时,通过测量本征易轴和形状各向异性易轴合成的表观易轴的取向(与膜平面间的夹角)以及常数值,就可以计算得到膜材料的本征磁各向异性常数和易轴的空间取向.图4参6(木)利用高能离子注人技术系统地研究了不同剂量、不同种类离子注入对C60薄膜结构的影响,并利用Raman光谱对其结构进行分析.结果表明:…     

非均匀介质透射波Goos-Hnchen位移的研究

基于不变嵌入理论,推导出电磁波入射到非均匀介质平板,反射系数和透射系数的耦合波方程;利用稳态相位方法,分析了透射波Goos-Hnchen(GH)位移的性质。通过数值计算,研究了入射角和介质厚度对透射率及GH位移的影响。结果显示,介质厚度一定时,透射率在特定角度具有极大值,对应的透射波发生负的GH位移,并且位移绝对值最大;入射角不变时,透射率和GH位移随厚度呈周期性变化,厚度增加,透射率呈下降趋势,但GH位移呈增大趋势。GH位移受入射角和介质厚度的影响很大,因此,可以通过调节厚度和入射角,获得合适的透射率和GH位移。     

含Rashba自旋轨道耦合二维电子气结构中电子反常位移及自旋分离

研究了含Rashba自旋轨道耦合的磁电调制半导体二维电子气中弹道电子的反常位移 （Goos-H?nchen位移,即GH位移）。计算中发现,通过调节结构的各个参数包括入射角、磁场强度和Rashba自旋轨道耦合系数,可以有效地调控GH位移,并且在一定条件下可以为负。电子的GH位移和自旋极化态有密切关系,这个自旋相关的位移可以用来分离不同自旋极化的电子束。基于这种现象,提出了一种利用GH位移在半导体2DEG中分离不同自旋极化电子的方法。     

孔型对金属介质金属三明治结构超材料的透射率和负折射率的影响

通过改变长方形孔的长度,利用数值模拟研究了金属-介质-金属三明治结构超材料的透射率,负折射(NRI)率和品质因数(FOM)等性质.研究结果表明,随着长方形孔的长度的增大,低频透射峰和最大透射峰都出现了红移现象.长方形孔的负折射率和负折射带宽则随着长方形孔的长度的增大而减小.这意味着可以通过调节金属-介质-金属三明治结构超材料的孔阵列的长度获得较高的透射率或者负折射率.这些结果为开发太赫兹范围的光电器件提供可能的理论.     

Au/STO/Pt三明治结构阻变存储器性质研究

采用脉冲激光沉积法(PLD)在Pt衬底(Pt/TiO2/SiO2/Si)上制备了SrTiO3(STO)薄膜,并对其表面特性,表面组成和结构进行了研究分析。在此基础上制备了具有三明治结构的Au/STO/Pt阻变器件,并测试了其I-V特性。结果显示:空间电荷限制电流(SCLC)机制对SrTiO3薄膜中氧空位的运输起了决定作用;薄膜界面缺陷对载流子的俘获与去俘获导致了SrTiO3薄膜I-V特性的产生。     

改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.     

改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.     

基于石墨烯的电控可调微波吸收器件

电控可调微波吸收器件在微波工程领域有着广泛的应用前景。本文采用石墨烯/离子液体/石墨烯的三明治夹层结构代替传统Salisbury屏的电阻层,利用石墨烯表面电荷浓度可调的性质,通过外加电压对三明治结构的输入阻抗动态调控,进而实现对微波吸收的动态调控。通过数值仿真研究了反射率随方块电阻的变化特性,并测试了不同电压下的反射率变化规律。结果表明,电压从0 V变化到2 V过程中,电压为0.6 V时,反射率最小为-42.09 dB,阻抗匹配程度最佳。最后,建立了该模型的等效电路,理论计算了谐振频率处反射率与方块电阻之间的关系,揭示了影响调控性能的因素。     

改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

对Ge浓缩技术进行改进，通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火，成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料. 实验结果表明：顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失，退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布，同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集. 在高温条件（1150℃）下制备的SGOI材料应力完全释放，几乎没有引入位错.     

柱状结构中多层各向异性吸波材料的电磁分析

通过对圆柱状结构中多层各向异性薄层吸波材料的电磁分析—柱体由金属柱芯和包围其外的多层各向同性介质材料组成,在各层之间和外表面涂覆各向异性薄层.考虑各薄层的输入阻抗,得出曲面结构内部及表面涂覆各向异性吸波材料散射场.根据级联矩阵和算法,在一定波段上进行RCS (Radar Cross Section)减缩,获令人满意的计算结果.