AlGaInAs-InP材料系1550nm偏振无关半导体光放大器

采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了 1 5 5 0 nm Al Ga In As- In P偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变量子阱结构 ,应变量为 - 0 .4 0 % .器件制作成脊型波导结构 ,并采用 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射 .经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 0 .3d B,3d B带宽为 5 6 nm.半导体光放大器小信号增益近 2 0 d B,带宽大于 5 5 nm.在 1 5 0 0～ 1 5 90 nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 .8d B,峰值增益波长的饱和输出功率达7.2 d Bm.     

AlGaInAs-InP材料系 1550nm偏振无关半导体光放大器(英文)

采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了 1 5 5 0 nm Al Ga In As- In P偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变量子阱结构 ,应变量为 - 0 .4 0 % .器件制作成脊型波导结构 ,并采用 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射 .经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 0 .3d B,3d B带宽为 5 6 nm.半导体光放大器小信号增益近 2 0 d B,带宽大于 5 5 nm.在 1 5 0 0～ 1 5 90 nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 .8d B,峰值增益波长的饱和输出功率达7.2 d Bm.     

1.3μm高增益偏振无关应变量子阱半导体光放大器

采用低压金属有机化学气相外延法 (LP MOVPE)生长并制作了 1 3μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器 (SOA) ,有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱 (4C3T)结构 ,压应变阱宽为 6nm ,应变量 1 0 % ,张应变阱宽为 11nm ,应变量 - 0 95 % ;器件制作成 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。半导体光放大器腔面蒸镀Ti3 O5/Al2 O3 减反 (AR)膜以进一步降低腔面剩余反射率至 3× 10 -4以下 ;在 2 0 0mA驱动电流下 ,光放大器放大的自发辐射 (ASE)谱的 3dB带宽大于 5 0nm ,光谱波动小于 0 4dB ,半导体光放大器管芯的小信号增益近 30dB ,在 12 80～ 1340nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 6dB ,饱和输出功率大于 10dBm ,噪声指数 (NF)为 7 5dB。     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.     

高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器

采用三元InGaAs体材料为有源区，通过直接在InGaAs体材料中引入0．20％张应变来加强TM模的增益，研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机化学气相外延(LPMOVPE)的过程中，只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量。制作的半导体光放大器在200mA的注入电流下，获得了50nm宽的3dB光带宽和小于0．5dB的增益抖动；重要的是，半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于1．1dB的偏振灵敏度。对于1．55gm波长的信号光，在200mA的偏置下，其偏振灵敏度小于1dB，同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益，3dBm的饱和输出功率和大于30dB的芯片增益。用作波长变换器，可获得较高的波长变换效率。进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率，可得到性能更佳的半导体光放大器。     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．     

渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器

采用渐变应变有源区结构,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器,工作电流在60～160mA范围内,其3dB带宽范围不小于35nm,偏振不灵敏度小于0.35dB,自发发射出光功率为0.18～3.9mW.     

渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器

采用渐变应变有源区结构,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器,工作电流在60～160mA范围内,其3dB带宽范围不小于35nm,偏振不灵敏度小于0.35dB,自发发射出光功率为0.18～3.9mW.     

分布式光纤喇曼放大器实验研究

为了对后向抽运分布式宽带光纤喇曼放大器的特性进行实验研究,采用多波长1426nm,1440nm,1460nm,1475nm和1495nm的半导体激光器作为抽运源,实现了C+L波段近80nm带宽的信号光放大,获得了比较好的平坦增益、偏振相关增益,系统平均开关增益为10.7dB,增益平坦度为1.5dB,最大噪声指数为-1.96dB,偏振相关增益小于0.4dB.结果表明,光纤喇曼放大器的抽运源波长、功率选择比较合理,系统所有技术指标均满足光纤通信使用要求.这一结果将对通信产业化发展有着重要的指导作用.     

1550 nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55 μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA).采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7.的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%.对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度.对一腔长800 μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB.而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB.     

A 10-Gb/s Monolithically Integrated Filterless InGaAsP/InP Widely Tunable Wavelength Converter With Conversion Gain

In this paper, we present the details of a monolithically integrated filterless wavelength converter based on photocurrent-driven technology. The device consists of an integrated tunable laser transmitter and an optical receiver. The transmitter includes a sampled-grating distributed-Bragg-reflector laser, an electroabsorption modulator, and a semiconductor optical amplifier. The optical receiver employs two semiconductor optical amplifiers and a quantum-well p-i-n photodetector. The wavelength converter is characterized at 10 Gb/s over a variety of bias conditions at various input-power levels in various digital-system experiments. Bit-error-rate measurements at 10 Gb/s over an output tuning range of 32 nm between 1531 and 1563 nm show power penalties less than 1 dB. Similar experiments over an input wavelength range of 25 nm from 1535 to 1560 nm show a power penalty less than 2.5 dB. For a wavelength conversion from 1548 nm to a range of output wavelengths between 1531 and 1563 nm, the facet-to-facet gain ranges from 9 to 13 dB, neglecting fiber coupling losses.     

基于两只半导体光放大器级联结构的多波长光纤激光器

通过数值模拟对两只半导体光放大器(SOA)级联结构的静态增益饱和特性进行了理论研究.在不考虑自发辐射的情况下,分析了注入电流对两只SOA级联结构增益的影响.实验上构建了一种基于两只SOA级联结构的多波长光纤激光器,观测并分析了半导体光放大器的驱动电流和增益带宽对多波长输出结果的影响.在室温下,获得了基本符合ITU-T标准100 GHz的27个波长以上的稳定多波长输出,各信道输出功率不平坦度小于±3 dB,线宽小于0.102 nm,信噪比大于25 dB,总输出功率为1.94 mW,并且与由单只SOA构成的多波长光纤激光器进行了对比.     

Fabrication and characterization of 1 550 nm polarization-insensitive semiconductor optical amplifiers

Semiconductor Optical Amplifiers (SOAs) can beused asin-line amplifier ,preamplifier ,optical switch,andwavelength converter in future optical systems[1-3].Po-larization-independent gain,high output power and lowgain ripple are desirable features for most…     

Fibre transmission of 10 Gbit/s signals following wavelengthconversion using a travelling-wave semiconductor optical amplifier

The wavelength of an intensity-modulated signal at 10 Gbit/s was translated from 1546 to 1531 nm using cross gain-compression in a semiconductor optical amplifier. The shifted signal was transmitted with less than 1 dB penalty over a 121 km span of dispersion-shifted fibre with two in-line amplifiers. A dispersion penalty of nearly 2 dB is measured for transmission of 6 Gbit/s data over 20 km conventional fibre     

Simultaneous all-optical frequency downconversion technique utilizing an SOA-MZI for WDM radio over fiber (RoF) applications

Simultaneous all-optical frequency-downconversion technique utilizing a semiconductor optical amplifier Mach-Zehnder interferometer (SOA-MZI) is experimentally demonstrated, and its application to a wavelength-division-multiplexing (WDM) radio over fiber (RoF) uplink is proposed. The conversion efficiencies from 22.5 (f/sub RF/) to 2.5 GHz (f/sub IF/=f/sub RF/-2f/sub LO/) are in the range from 1.5 to 3 dB for the optical RF wavelength between 1548 and 1558 nm. Error-free simultaneous all-optical frequency downconversion of the two WDM RoF upstream channels that carry 155-Mb/s differential phase-shift keying data at 22.5 GHz to an optical intermediate frequency signal having the frequency of 2.5 GHz with the power penalty less than 0.1 dB at the bit error rate of 10/sup -8/ is achieved.     

双波长皮秒脉冲与可调谐脉宽产生的实验研究

为了提高多波长光脉冲设备的实用性,采用双波长工作原理,设计了一种稳定的双波长半导体环形光纤激光器。讨论了环形腔色散、滤波器脉宽以及调制深度等对输出脉冲的影响。结果表明,双波长光脉冲的重复率为5.0GHz,典型脉宽为20ps,双波长光脉冲具有良好的边模抑制比,当输出波长为1554.75nm和1557.21nm时,边模抑制比分别为29.1dB和29.7dB,其典型的输出功率分别为-6.7dBm和-6.1dBm,输出光谱的峰值功率波动小于0.5dB。这项研究对太赫兹源和多波长光脉冲设备的研究具有借鉴意义。     

基于频移和偏振烧孔的多波长掺铒光纤激光器

为了研究能够在室温下实现稳定多波长输出的掺铒光纤激光器,采用了在激光谐振腔中引入正弦相位调制和偏振烧孔来抑制腔中模式竞争的方法。在线形谐振腔中,利用半导体光波导作为一个反射腔镜,并用正弦信号对其进行驱动。这样,半导体光波导可以等效成一个对光信号产生移频反馈效果的正弦相位调制器和一个诱使掺铒光纤中产生偏振烧孔的非线性相位延时器。通过实验,得到了10波长输出的稳定光谱。相邻波长间隔为0．32nm,功率谱比较平坦,起伏小于3dB。结果表明,相位调制和偏振烧孔的共同作用,可有效地抑制由于掺铒光纤的均匀展宽效应引起的模式竞争。     

Four-channel polarization-insensitive optically transparent wavelength converter

Multichannel wavelength converters may be important components in the cross-connects in future wavelength-division multiplexed (WDM) transport networks. We demonstrate a multichannel, polarization-insensitive, optically transparent wavelength converter, based on four-wave mixing in two semiconductor optical amplifiers in a polarization-diversity arrangement. Bit-error-rate (BER) measurements with four input 2.5-Gb/s WDM channels, spaced by 2 nm, show penalties for wavelength conversion less than 2.6 dB at 10/sup -9/ BER. Changes in the state of polarization of the input signals cause the output power to change by less than 1.2 dB, and the corresponding power penalties change by less than 0.9 dB.