一种低功耗、宽变增益范围、极小噪声恶化的1.45GHz LNA

给出了一种新型的低噪声放大器的变增益方案.与传统的噪声恶化很严重的低噪声放大器变增益方案相比,该方案以3d B为步长,可以得到2 5 d B的变增益范围,并且在低增益时的噪声恶化只有0 .3～0 .5 d B.此外,这种变增益方案与传统方案相比,还有不需要额外功耗的优点     

具有动态增益均衡特性的低噪声全光增益箝位EDFA

针对全光增益箝位EDFA噪声指数恶化以及用于WDM系统时增益动态变化两个问题,提出具有动态增益均衡特性的低噪声全光增益箝位EDFA,在35 nm范围内,输入信号功率在-40 dBm到0 dBm之间变化时,增益变化被箝制在1 dB范围内,同时保持单波长输入噪声指数<4.5 dB,多波长输入增益谱不平坦度<0.4,噪声指数<5.5 dB,有效解决了以上问题.     

具有动态增益均衡特性的低噪声全光增益箝位EDFA

针对全光增益箝位EDFA噪声指数恶化以及用于WDM系统时增益动态变化两个问题,提出具有动态增益均衡特性的低噪声全光增益箝位EDFA,在35 nm范围内,输入信号功率在-40 dBm到0 dBm之间变化时,增益变化被箝制在1 dB范围内,同时保持单波长输入噪声指数＜4.5 dB,多波长输入增益谱不平坦度＜04,噪声指数＜5.5 dB,有效解决了以上问题.     

一种0.5~5 GHz改进型折叠混频器

采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种基于双平衡Gilbert单元的宽带低噪声亚阈值混频器。采用折叠型结构,在跨导级添加LC并联谐振电路,控制开关管工作在亚阈值区,以提高增益、降低噪声,同时降低本振功率。与传统的折叠混频器相比,该电路的增益达到9.5~18.4 dB,噪声仅为6.1~7.2 dB,在1.8 V电压下功耗为18.18 mW。     

一种新型2.4 GHz RF低噪声放大器的设计

提出了一种新型的低噪声放大器,在输入管的栅极加入一个电容,使放大器的噪声性能与增益都得到明显的改善。该电路基于Chartered 0.18μm CMOS工艺设计,工作频率为2.4GHz。仿真表明,在电流消耗为300μA的条件下,提出的低噪声放大器具有更好的噪声系数与增益,分别比传统的电感源极衰减低噪声放大器改善1.9 dB与5.3 dB。     

2.4 GHz、增益可控的CMOS低噪声放大器

介绍了一种基于 0 35 μmCMOS工艺、2 4GHz增益可控的低噪声放大器。从噪声优化、阻抗匹配及增益的角度详细分析了电路的设计方法 ,讨论了寄生效应对低噪声放大器性能的影响。仿真结果表明在考虑了高频寄生参数的情况下 ,低噪声放大器依然具有良好的性能指标 :在 2 4GHz工作频率下 ,3dB带宽为 6 6 0MHz,噪声系数NF为 1 5 8dB ,增益S2 1为 14dB ,匹配参数S11约为 - 13 2dB。     

一种降低频率合成器相位噪声的高增益电荷泵

设计了一款低噪声高增益电荷泵,主要用于低相位噪声的频率合成器.在传统的电流转向型电荷泵结构中增加了非镜像结构的低噪声电流源单元,使电荷泵的输出电流呈比例增加,降低电荷泵对频率合成器输出相位噪声的贡献,以进一步降低频率合成器的相位噪声.采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺进行了设计仿真和流片验证.测试结果表明:频率合成器工作在频率为10 GHz时,电荷泵中高增益低噪声电流源关闭和开启情况下,锁相环相位噪声分别为-106.1 dBc/Hz@10 kHz和-108.68 dBc/Hz@10 kHz.实现了通过开启电荷泵中高增益低噪声电流源使锁相环输出相位噪声下降约3 dB的目标.     

一种Ku波段低噪声放大器的设计

基于ADS和HFSS电磁仿真软件,设计了一种Ku波段低噪声放大器。放大器包含波导-微带转换单元和低噪声放大器两部分。波导-微带转换单元采用体积小,性能优良的微带探针型过渡,为提高转换性能和带宽,采用二阶λ/4阻抗变换结构来实现50Ω微带线与微带探针之间的阻抗匹配。低噪声放大器选用CDK公司生产的具有超低噪声和高增益的FET器件CKRF7512CK24晶体管,采用偏置电路、最小噪声匹配及最大输出增益匹配相结合的方案,实现了低噪声和高增益。实测结果表明,在11.5GHz～13.5GHz的频率范围内,该低噪声放大器的输入输出回波损耗均小于-10dB,噪声系数小于0.8dB。     

一种共基差分低噪声放大器设计

在无线通信终端中,低噪声放大器是射频接收系统中的第一级有源电路,对系统性能有重要影响.在深入分析噪声的基础上,提出一种采用共基差分输入结构的低噪声放大器,电路包括可控增益放大器和增益控制电路.该结构的低噪声放大器的输出电压直接反映到自动增益控制电路的输入端,根据输出电压幅值的大小,自动增益控制电路的输出电压反馈到低噪声放大器的增益控制电路比较器的输入端,进而影响放大器的总体增益.基于JAZZ 0.35 μmBICMOS工艺设计放大器电路结构,并对电路进行了仿真和分析,结果表明设计的放大器可以更加有效地抑制噪声,低噪声放大器能提供25 dB的增益,噪声系数小于1 dB,灵敏度达到2μV.     

12GHz低噪声MMIC放大器

<正>据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器采用具有均匀性、重复性好的自对准多层金属栅结构超低噪声GaAs FET工艺,并使噪声和阻抗的匹配电路开始单片化.与以前采用凹槽型的GaAs FET放大器相比,性     

2.4GHz可变增益CMOS低噪声放大器设计

设计了一款工作在2.4GHz的可变增益CMOS低噪声放大器,电路采用HJKJ0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明,最高增益为11.5dB,此时电路的噪声系数小于3dB,增益变化范围为0～11.5dB。在1.8V电压下,电路工作电流为3mA。     

CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计

文章设计了一种48MHz~860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB~18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。     

一种新型的5GHz自适应偏置及可变增益低噪声放大器

该文提出了一种新型的自适应偏置及可变增益低噪声放大器(LNA),利用电荷泵(亦称电压倍增器)将LNA输出信号转换成与LNA射频输入信号功率成比例变化的直流信号,以此信号同时反馈控制LNA的偏置和增益,来实现自适应偏置以及可变增益低噪声放大器, 从而极大地改善了LNA的输入线性范围。鉴于5GHz频率下,Bipolar相对于CMOS更好的频率特性和低噪声特性,该项研究采用了BiCMOS工艺,实现了低于3.0dB的噪声系数(高增益状态下)和大约13dBm的输入三阶交调点IIP3的控制范围以及大于15dB的增益控制范围。     

基于ADS的平衡式低噪声放大器设计

平衡放大技术有着驻波特性好,增益高、易级联的优点。本文将平衡放大技术应用到低噪声放大器的设计中,在保证低噪声和功率增益的同时,用以提高低噪声放大器的驻波比和增益平坦度。ADS仿真结果表明,在5.3-6.3 GHz的频带范围内,低噪声放大器绝对稳定,噪声系数≤1.182 dB,功率增益达到10 dB,并且通过采用平衡放大技术,输入输出驻波比≤1.3∶1,带内波动≤1dB,提高了低噪声放大器的有效工作带宽。     

宽带CMOS低噪声放大器的设计

文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz～470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz～470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。     

Design of Low Power 2.4GHz CMOS Cascode LNA with Reduced Noise Figure for WSN Applications

In this paper, a narrowband cascode Low Noise Amplifier (LNA) with shunt feedback is proposed. A typical inductively degenerated cascode LNA can be treated as a Common Source-Common Gate (CS-CG) two stage LNA. The series interstage inductance is connected between CS-CG stages to increase the power gain. An additional inductance which is connected at the gate of CG stage is used to cancel out the parasitic capacitance of CG stage therefore reduces the noise figure of CG stage. The shunt feedback is used to improve the stability and input impedance matching. This configuration provides better input matching, lower noise figure, low power consumption and good reverse isolation. The proposed LNA exhibits the gain of 13 dB, input return loss of ?11 dB, noise figure of 2.2 dB and good reverse isolation of ?42.8 dB at a frequency of 2.4GHz using TSMC 0.13 μm CMOS technology. It produces gain and noise figure better than conventional cascode LNA. The proposed LNA is biased in moderate inversion region for achieving sufficient gain with low power consumption of 1.5mW at a supply voltage of 1.5V.     

X波段低噪声放大器模块

报道了自行设计并研制成功的X波段低噪声放大器(LNA)模块,提出了调整模块增益平坦度的有效方法,即在两级放大器之间设计多个并联谐振回路,使其在带外低频段产生不同的谐振点来衰减低频段的增益,同时拉低带内低频端的增益,再用谐振回路中的串并联电阻调整增益压缩的大小,从而使工作频带内增益平坦.利用这种方法研制的模块最终测试结果为:增益平坦度≤±0.34dB,噪声系数≤1.84dB,增益＞35dB,模块性能完全符合设计要求.     

X波段低噪声放大器模块

报道了自行设计并研制成功的X波段低噪声放大器(LNA)模块,提出了调整模块增益平坦度的有效方法,即在两级放大器之间设计多个并联谐振回路,使其在带外低频段产生不同的谐振点来衰减低频段的增益,同时拉低带内低频端的增益,再用谐振回路中的串并联电阻调整增益压缩的大小,从而使工作频带内增益平坦.利用这种方法研制的模块最终测试结果为:增益平坦度≤±0.34dB,噪声系数≤1.84dB,增益＞35dB,模块性能完全符合设计要求.     

A 0.6-V Low Power UWB CMOS LNA

This paper presents the design of a low-power ultra-wideband low noise amplifier in 0.18-mum CMOS technology. The inductive degeneration is applied to the conventional distributed amplifier design to reduce the broadband noise figure under low power operation condition. A common-source amplifier is cascaded to the distributed amplifier to improve the gain at high frequency and extend the bandwidth. Operated at 0.6V, the integrated UWB CMOS LNA consumes 7mW. The measured gain of the LNA is 10dB with the bandwidth from 2.7 to 9.1GHz. The input and output return loss is more than 10dB. The noise figure of the LNA varies from 3.8 to 6.9dB, with the average noise figure of 4.65dB. The low power consumption of this work leads to the excellent figure of gain-bandwidth product (GBP) per milliwatt     

L波段砷化镓单片低噪声放大器

设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。